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991.
992.
一类三阶非线性系统全局稳定性的Liapunov函数构造 总被引:13,自引:0,他引:13
如何根据其的Lia-v函数,N.F.马尔金曾用这样的思想方法(即类比法)对二阶非线性系统零解全局稳定性作了研究.这种方法应用极为广泛,近年来引起不少学者的兴趣,卜5]研究了多个三阶非线性系统.本文在16]的基础上,运用“类比法”对下列两个三阶非线性系统(1.2)所对应的线性系统为取(1.3)的Liapunov函数[‘]为我们用“类比祛”可得(l.2)的LiaPunov函数于是可得下述结论.定理1如果b>0,存在常数a>0,使向)三a;0<八一<a6,则系统(1.2)的零解全局渐近稳定.证在定理条件下V(x,。,。)是定正的.记H(x)一… 相似文献
993.
994.
995.
合成了一系列新型稀土季铵盐混合配体配合物,元素分析结果证明其分子式的通式为:C52H108LnN9O6S1(Ln=Eu,Dy,Er.Yb,Y).研究了该系列配合物的中红外光谱;测定了它们在乙醇溶液中的摩尔电导,证明其属3:1型电解质。用四圆衍射仪测定了铒配合物的晶体结构,属正交晶系,Pnnn空间群,晶胞参数:α=1.2470(7)nm,b=1.2934(3)nm,c=2.1112(6)nm,Z=2,R=0.066.中心离子铒被来自2个硝酸根的4个氧原子和4个硫氰酸根的4个氮原子所配位,配位数为8.Er-O键长为0.2386nm;Er-N键长为0.2457nm,饵配位多面体为畸变三角十二面体。 相似文献
996.
隧洞式内衬储气库是一种新型能源储存方法,有助于平衡供需,推动国家由化石能源向绿色能源的持续过渡,有利于国家“碳中和、碳达峰”目标的实现.本文采用极限平衡方法和弹塑性分析方法推导隧洞式内衬储气库极限储存压力的解析解.在极限平衡方法中,考虑上覆围岩自重、破裂面受力和极限储存压力,选用刚性锥模型,推导了上限压力表达式;在弹塑性分析方法中,根据围岩中应力分布规律和剪切、抗拉强度,推导获得了弹塑性条件下上限与下限压力表达式.最终综合考虑两方法求得的结果,确定极限储存压力解析解.结果表明:极限平衡方法求得上限压力与埋深呈二次函数关系,且随着侧压力系数的增大而增大;弹塑性分析方法确定的上限压力和下限压力与埋深呈线性关系,下限压力随着侧压力系数的增大而减小,且Ⅰ级围岩条件下的内衬储气库不用考虑下限压力.在侧压力系数λ=1.2时上限压力最大,因此应尽量在侧压力系数为1.2的围岩条件下修建隧洞式储气库.最后根据典型工况下上限和下限压力曲线给出内衬洞室推荐压力范围. 相似文献
997.
Au/Fe-O催化剂活性组分在CO催化氧化反应中的存在状态 总被引:8,自引:0,他引:8
采用传统的共沉淀法制备了Au/Fe-O催化剂,运用X射线衍射、X射线光电子能谱和透射电镜技术对其进行了表征,考察了它们对CO氧化反应的催化活性. 结果表明,虽然负载在Fe-O载体上的金晶粒较大(10~15 nm), 但由于采用了共沉淀法制备催化剂,金和载体可紧密接触并产生较强的相互作用. 催化剂中Au 5d轨道上的电子流入Fe 3d轨道,使Au 5d轨道处于非全充盈状态,金呈Auδ+状态(0<δ<1), 这是该催化剂具有较高催化活性的根本原因. CO催化氧化反应测试结果表明,当金含量较高时, CO的转化率在室温下就能达到100%. 相似文献
998.
为了研究水驱油藏中原油极性物质的吸附机理及其对油藏表面润湿性的影响,构建以石英为代表的砂岩岩石骨架模型,己烷为代表的非极性物质模型和以甲苯、胶质和沥青质为代表的极性物质模型,运用分子模拟方法研究4种原油组分和水分子在砂岩油藏表面竞争吸附过程和润湿状态。结果表明:水与4种原油组分在石英矿物表面竞争吸附时,原油中的非极性物质会比极性物质更加容易脱附。极性物质会随着时间的变化逐渐吸附在矿物表面,非极性的物质会随着时间变化逐渐远离矿物表面。吸附过程中静电力起吸附作用,范德华力起排斥作用。最后结合润湿性实验结果,从机理上解释了不同原油组成对润湿性的影响,即原油组分中极性物质含量越高,胶质沥青质含量越大,岩石表面油湿性越大,且水驱过程中润湿性向亲水方向变化越难。结论对提升水驱油藏采收率影响因素的认识有重要意义。 相似文献
999.
采用紫外-可见吸收光谱和电子自旋共振谱(ESR)对硅酸铅玻璃薄膜和体材料受紫外激光照射前后的结构变化进行了研究。研究发现:266 nm的紫外激光照射硅酸铅玻璃体材料时,能使其Urbach能量增大,即玻璃结构的无序性增大。电子自旋共振谱研究表明,266 nm激光照射不会在硅酸铅玻璃中产生顺磁缺陷中心, 也不会对硅酸铅玻璃薄膜在235 nm附近的吸收峰产生影响,但用248 nm紫外激光照射则观察到了235 nm吸收峰的光漂白现象。 相似文献
1000.
采用金属有机化学气相外延技术,在图形化蓝宝石衬底上通过选区外延可控生长了三种不同形貌的InGaN/GaN微米阵列结构,阵列尺寸均为6 μm。其中,六方片状阵列结构以(0001)c面为主,高度为0.6 μm;六棱台状阵列结构包括一个(0001)c面和六个等效的(10-11)半极性面,高度为1.2 μm;六棱锥状阵列结构以(10-11)半极性面为主,高度为5 μm。采用微区光致发光光谱仪对InGaN/GaN微米阵列结构进行发光性能表征,结果表明不同形貌的InGaN/GaN微米阵列结构都可实现多波长发射;阴极荧光光谱结果表明六棱台状InGaN/GaN阵列结构不同晶面位置处发射的波长明显不同,这主要是由于表面迁移效应和横向气相扩散导致各个位置的In组分不同。InGaN/GaN微米阵列结构的成功制备对实现多彩发射和新型光电子器件设计具有重要意义。 相似文献