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针对深水桥梁在海洋中面对波浪的冲击问题,以某跨海斜拉桥为例,设定P-M谱为目标谱,依据Welch算法对海浪功率谱进行验证,基于以上理论采用fluent软件建立数值波浪水槽,根据重现期为10年、50年和100年分别计算对应的波高为6.4 m,7.2 m和9.6 m的波浪力,并将波浪力导入斜拉桥进行动力响应计算。综合分析大桥的动力响应, 结果表明,(1) 纵桥向波浪力是由横桥向波浪冲击桥墩出现绕射效应而产生,所以斜拉桥所受横桥向波浪力远大于纵桥向波浪力;(2) 随着波高的增大,斜拉桥的动力响应峰值逐渐增大,主跨跨中和塔顶动力响应峰值随波高的增长率最快,次边跨跨中动力响应峰值随波高的增长率次之,边跨跨中动力响应峰值随波高的增长率最慢;(3) 随着波浪荷载的增大,塔顶横向位移响应增幅显著,塔顶位移响应峰值最大达到0.0598 m。相关研究对大跨度深水桥梁的设计和动力分析有一定的参考意义。 相似文献
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智能家居中所需控制的家电种类、数量日益增多,同时它们分散于各个房间,这就对控制系统的功能提出了更高的要求。针对这种状况,提出一种基于ARM和无线射频技术的嵌入式智能家居系统,系统以S3C2440处理器作为控制核心,利用GSM模块实现和用户手机通信,以短信方式接收用户控制命令,再将控制信息以射频信号的形式发送到无线通讯节点或智能插座。各通讯节点能够实现对多种红外家电的控制,各智能插座能够实现对多种非红外家电的控制。当对应家电的控制信号发出后,用户将会接收到短信提醒。实验结果表明,各个家电能够响应相应的控制要求。该系统功能多样,控制效果良好,可扩展性强,具有较好的应用前景。 更多还原 相似文献
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柔性圆柱涡激振动流体力系数识别及其特性 总被引:2,自引:0,他引:2
涡激振动是诱发海洋立管、浮式平台系泊缆和海底悬跨管道等柔性圆柱结构疲劳损伤的重要因素.目前,海洋工程中用于柔性圆柱涡激振动预报的流体力系数主要来源刚性圆柱横流向受迫振动的实验数据,存在一定缺陷和误差.本文综合考虑横流向与顺流向振动耦合作用,建立了柔性圆柱涡激振动流体力模型,运用有限元法和最小二乘法确定升力系数、脉动阻力系数和附加质量系数.为了准确识别柔性圆柱涡激振动流体力系数,设计并开展了拖曳水池模型实验,实验用柔性圆柱模型的质量比为1.82,长径比为195.5.通过与刚性圆柱流体力系数对比,深入分析了柔性圆柱流体力系数的特性.结果表明:柔性圆柱在一阶模态控制区,流体力系数随约化速度变化趋势与刚性圆柱大致相似;二阶模态控制区,升力系数和脉动阻力系数显著增大;附加质量系数在响应频率较低时与振动位移的相关性增强;当响应频率较低时,振动位移较大区域为能量耗散区,当响应频率较高时,振动位移较大区域为能量输入区. 相似文献
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表面活性剂存在条件下脲醛树脂杂化氧化硅微球的合成和表征 总被引:2,自引:0,他引:2
考察了表面活性剂存在条件下利用脲醛树脂杂化沉淀制备氧化硅微球的反应过程. 不同表面活性剂条件下所得的氧化硅微球产物各不相同. 焙烧后P123 (PEO20-PPO70-PEO20)条件的杂化微球分解成壳状氧化硅碎片, CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)条件的氧化硅严重变形, 体积收缩到前体粒子的九分之一, 而SDBS(十二烷基苯磺酸钠)条件的产物球形貌良好的保留了下来. BET分析揭示P123和CTAB条件下的氧化硅比表面分别增加了20%和13%, 而SDBS(十二烷基苯磺酸钠)条件的产物在表面积不变的条件下孔体积和孔径减少了一半. 定量分析证明SDBS条件下氧化硅纳米粒子的杂化受到了明显抑制, 而正硅酸乙酯浸渍方式的补硅量接近一倍, 这种优化的几何结构保证了氧化硅微球产物的完整性和稳定性. 相似文献
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This paper reports that the high-K HfO2 gate dielectrics are fabricated on n-germanium substrates by sputtering Hf on Ge and following by a furnace annealing. The impacts of sputtering ambient, annealing ambient and annealing temperature on the electrical properties of high-K HfO2 gate dielectrics on germanium substrates are investigated. Experimental results indicate that high-K HfO2 gate dielectrics on germanium substrates with good electrical characteristics are obtained, the electrical properties of high-K HfO2 gate dielectrics is strongly correlated with sputtering ambient, annealing ambient and annealing temperature. 相似文献
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