异构化能量分解分析Ni2CO5的(18，18)与(18，16)构型竞争

本文研究了中性Ni₂CO₅配合物的势能图,发现一个C_2v双桥羰基新构型,与以前报道的三羰基桥联的D_3h构型竞争Ni₂CO₅的基态结构. 尽管三桥式异构体拥有更有利的(18,18)电子构型,即双金属中心都满足18电子规则,中性的Ni₂CO₅$配合物更倾向于(18,16)电子结构的双桥式几何. 异构化能量分解分析表明,这样的结构优选是静电作用和轨道相互作用极大化的结果.     

B28N28笼的稳定性及笼中四元环间键联类型对笼稳定性的影响

采用密度泛函方法对四、六元环组成的所有可能的的23个笼状B28N28结构进行了理论计算和拓扑学特性研究, 用三个指标N4x4(x=0, 1, 2)来描述相邻四元环间的键联类型, 结果发现B28N28笼的相对能量随N4x4值的增大而增大, 且N404对稳定性的影响起主导作用. 这一简单的拓扑学标准可以给出所有四六结构B28N28异构体的大致能量顺序, 并从ISR结构中挑选出能量较低的结构, 因此有望用于挑选大尺寸氮化硼团簇的热力学稳定结构.     

氧化亚锡催化酯化反应

锡的氧化物的催化作用较少报道,较成功的有使用氧化锡与氧化铬组成的二元催化剂催化氧化,氧化亚锡催化硝基苯还原及交酯的聚合。但用于催化酯化,只有用特定方     

稠环类苯化合物的化学键性质

用HF和DFT的B3LYP方法,在6-31G*水平上,首次对XmAlnNnHm(X=Cl,H;n=3,5,7,8,10,12;m=3,4,5,6)稠环类苯化合物的几何构型、红外光谱和化学键性质进行了研究,并与相应的XmC2nHm稠环化合物苯、萘、菲、芘、苝和蒄的结构作了比较.结果表明,XmAlnNnHm与XmC2nHm具有相同的几何构型,随着配位原子与骨架原子数之比R的增大,Al-N键能逐渐增大,键长逐渐减小;配位原子X对骨架化学键Al-N或C-C的影响较小.     

四核钴羰基簇合物的合成和晶体结构

用Co₂(CO)₈与有机杂环二硫代次膦酸盐SP(C₆H₄OR)(S)N(C₆H₅)NC(Me)(R=Me,Et)反应,得到两类4个含S,P桥基配体的四核钴羰基簇合物Co₄(CO)₁₀(μ₄-S)[μ₄-P(C₆H₄OR)](1:R=Me;3:R=Et)和Co₄(CO)₁₀(μ₃-S)[μ₂-P(C₆H₄OR)N(C₆H₅)NC(Me)](2:R=Me,4:R=Et).在反应中,前配体中的PS键以及C-S,P-S,P-N键劈开,产生的分子片与金属钴原子配位,组建成新的羰基钴簇.对这4个簇合物进行了元素分析,IR,¹HNMR和MS谱学表征,并测定了簇合物4的晶体结构,该晶体属单斜晶系,P2₁/c空间群,晶胞参数a=1.9065(4)nm,b=1.0081(2)nm,c=1.6663(3)nm,β=97.36(3)°,V=3.1704(11)nm₃,Z=4,D_c=1.743g/cm³.Co1Co3Co4呈三角形分布,其中Co-Co平均键长为0.251nm,而Co₂在该三角平面的一侧,Co2-Co3键为0.269nm.该簇合物分子骨架为三角钉型结构,每个Co原子的立体几何均为变形八面体,但配位环境各不相同.     

(XNR)_4立方簇合物结构与稳定性的DFT研究

用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/CEP-121G水平上,首次对(XNR)_4 [X = C, Si,Ge,Sn,Pb;R = H,CH_3,C(CH_3)_3,Si(CH_3)_3,C_6H_5]立方簇合物的 几何构型、电子结构、振动光谱和化学键性质进行了研究,并对其分子碎片(XNR) _2进行了相同方法的优化计算。结果表明,(CNR)_4对应原5种结构均不能稳定存在 。(XNH)_4对应原5种结构稳定性较低。对于同一取代基R,簇合物的稳定性大小顺 序为：(PbNR)_4>(SnNR)_4>(GeNR)_4>(SiNR)_4>(CNR)_4。     

(RXNR)_4(X=B，Al，Ga)簇合物的结构与化学键性质

用自洽场理论（HF）和密度泛函理论（DFT）的B3LYP方法,在6-311G~*水平上 ,首次从理论上研究了(RXNR)_4 (R = B,Al,Ga;R = H,CH_3,NH_2,OH)簇合 物及其先驱化合物（RXNR）_2的几何构型、电子结构和化学键性质,并与其异构体 及其等电子化合物进行了比较。结果表明,(RBNR)_4为环状骨架结构,(RAlNR)_4 和(RGaNR)_4为建立骨架结构。     

SiC多型体几何结构与电子结构研究

采用平面波超软赝势法和范数不变赝势法对几种SiC多型体的几何结构、能带结构等进行了系统的研究.结果表明:6HSiC导带最低点在ML线上U点,用平面波超软赝势法计算时U点在(0000,0500,0176)点附近;而用范数不变赝势法计算时在导带最低点附近能带呈现不连续点,不连续点出现在(0000,0500,0178)点附近.两种赝势法计算结果相比,用平面波超软赝势法得到的导带最低点位置更靠近布里渊区M(0,05,0)点.在平面波超软赝势下,随着六角度的增加,cp,cpa增大的趋势较为明显,能隙和价带宽度变宽的趋势也较为明显.在计算极限内,绝对零度下4HSiC系统能量最低、最稳定,而Ewald能量显示3CSiC最稳定. 关键词： 密度泛函理论 电子结构 SiC     

Structure and stability for (AlN)_n~+ and (AlN)_n~- (n=1-15) clusters

Using density functional theory (DFT) method with 6-31G* basis set, we have carried out the optimizing calculation of geometry, vibrational frequency and thermodynamical stability for(AIN)n+ and (AIN)n- (n =1-15) clusters. Moreover, their ionic potential (IP) and electron affinity(EA) were discussed. The results show that the electrical charge condition of the cluster has a relatively great impact on the structure of the cluster and with the increase of n, this kind of impactis reduced gradually. There are no AI-AI and N-N bonds in the stable structure of (AIN)n+ or (AIN)n-, and the AI-N bond is the sole bond type. The magic number regularity of (AIN)n+, and (AIN)n- is consistent with that for (AIN)n, indicating that the structure with even n such as 2, 4,6, … is more stable. In addition, (AIN)10 has the maximal ionization power (9.14 eV) and the minimal electron affinity energy (0.19 eV), which manifests that (AIN)10 is more stable than other clusters.     

(RXNR)_4(X=B，Al，Ga)簇合物的结构与化学键性质

用自洽场理论（HF）和密度泛函理论（DFT）的B3LYP方法，在6-311G~*水平上 ，首次从理论上研究了(RXNR)_4 (R = B，Al，Ga；R = H，CH_3，NH_2，OH)簇合 物及其先驱化合物（RXNR）_2的几何构型、电子结构和化学键性质，并与其异构体 及其等电子化合物进行了比较。结果表明，(RBNR)_4为环状骨架结构，(RAlNR)_4 和(RGaNR)_4为建立骨架结构。