Observation of nonconservation characteristics of radio frequency noise mechanism of 40-nm n-MOSFET

Bias non-conservation characteristics of radio-frequency noise mechanism of 40-nm n-MOSFET are observed by modeling and measuring its drain current noise. A compact model for the drain current noise of 40-nm MOSFET is proposed through the noise analysis. This model fully describes three kinds of main physical sources that determine the noise mechanism of 40-nm MOSFET, i.e., intrinsic drain current noise, thermal noise induced by the gate parasitic resistance, and coupling thermal noise induced by substrate parasitic effect. The accuracy of the proposed model is verified by noise measurements, and the intrinsic drain current noise is proved to be the suppressed shot noise, and with the decrease of the gate voltage, the suppressed degree gradually decreases until it vanishes. The most important findings of the bias non-conservative nature of noise mechanism of 40-nm n-MOSFET are as follows.(i) In the strong inversion region, the suppressed shot noise is weakly affected by the thermal noise of gate parasitic resistance. Therefore, one can empirically model the channel excess noise as being like the suppressed shot noise.(ii) In the middle inversion region, it is almost full of shot noise.(iii) In the weak inversion region, the thermal noise is strongly frequency-dependent, which is almost controlled by the capacitive coupling of substrate parasitic resistance. Measurement results over a wide temperature range demonstrate that the thermal noise of 40-nm n-MOSFET exists in a region from the weak to strong inversion, contrary to the predictions of suppressed shot noise model only suitable for the strong inversion and middle inversion region. These new findings of the noise mechanism of 40-nm n-MOSFET are very beneficial for its applications in ultra low-voltage and low-power RF, such as novel device electronic structure optimization, integrated circuit design and process technology evaluation.     

超高压处理对海参自溶酶活性影响的研究

 海参的超高压处理与传统的处理方法相比有许多优越性,具有十分广阔的应用前景。研究了超高压处理过程中压力（0.1~550 MPa）、保压时间（0~30 min）、温度（24~62 ℃）及保压方式对海参自溶酶活性的影响。在室温、保压20 min的条件下,200 MPa左右较低压力下酶活性降低,相对残存活性为88.25%;250 MPa较高压力下自溶酶被激活,酶活性为106.77%;550 MPa高压下酶活性最低为29.81%。自溶酶活性随保压时间和温度的增加先上升后下降;保压方式对自溶酶活性的影响不大。同时利用误差反向传播神经网络（Back Propagation Neural Network,BP人工神经网络）,模拟了超高压钝酶效果,与实验结果比较,平均相对误差为0.9%,可以获得较好的预测结果。研究结果表明,在一定的压力、保压时间和温度下,酶被激活,其活性上升;而在一定的压力、保压时间和温度下,酶被钝化,活性降低。对优化海参超高压钝酶工艺具有一定的参考价值。     

广义线性模型——理论和方法

广义线性模型是经典线性模型的一种直接推广.本文介绍广义线性模型的一些基本理论和方法,内容包括:模型的提出;模型的参数估计及估计的大样本性质;模型的检验及一些检验统计量的渐近结果.最后,对二值回归、对数线性模型、具有常变异系数的回归等特例,介绍一些具体结果.     

电感耦合等离子体在不同操作条件下的温度和电子密度的测定——Ⅰ.气体温度、激发温度、电离温度的测定

引言等离子体的温度和粒子密度是等离子体的两大基本参数,其中温度是考察等离子体的特性及使操作条件最佳化的关键。等离子体的温度有气体动态温度,激发温度,电子温度和电离温度。气体动态温度有分子旋转谱线法和Doppler加宽法,激发温度有两谱线法和Boltzmann斜率法,电子温度有粒子密     

非对称槽道中涡旋波的特性研究

利用PIV流场显示技术，对振荡流体在非对称槽道中涡旋波的产生、发展和消失的规律进 行了实验研究和分析，测得了涡旋波流场的速度矢量图，阐明了涡旋波流场周期性变化的特 点. 结合涡动力学方程，深入分析并揭示了做周期性运动的流体能在槽道中产生波的特性这 一规律，从中发现：流体周期变化的非定常性和不对称的槽道结构是形成涡旋波流动的主要 因素. 本文对涡旋波流场中各个旋涡的速度分布和涡量进行了测量和计算，分析了涡旋波 强化传质的机理，并研究了Re数对涡旋波流动的影响     

用PIV测试涡旋波流场的速度和剪应力分布

采用PIV瞬态流场测试技术,对二维槽道中的涡旋波流场不同相位上的速度分布和应力分布进行了测试和计算,本文定量地描述了槽道中涡旋波的形成过程及发展规律。通过调整振荡流的振幅和活塞行程,分析了Re数和Sr数对涡旋波流动的影响,得出了槽道内剪应力的分布状况以及平均剪切应力的周期性变化规律。深入分析了涡旋波流场强化传递现象的本质。     

Propagation of ultrashort pulsed beams in dispersive media

Starting from the Rayleigh diffraction integral, the propagation equation of ultrashort pulsed beams in dispersive media is derived without making the paraxial approximation and slowly varying envelope approximation (SVEA). The spatiotemporal properties of ultrashort pulsed beams in dispersive media, such as spectrum redshifting, narrowing and pulse distortion are illustrated with pulsed Gaussian beams. It is stressed that the “antibeam“ behaviour of ultrashort pulsed beams can be avoided, if a suitable truncation function is chosen.     

近壁泊肃叶流中活性粒子迁移规律研究

研究活性粒子在剪切流中的迁移规律对实现颗粒分离和过程强化均具有重要意义.基于耗散粒子动力学理论,建立了描述微通道内近壁泊肃叶流中活性粒子迁移运动的数学模型,考察了活性粒子圆周运动角速度、手性诱导角速度、直行运动速度和转向扩散系数对大肠杆菌和常规活性粒子横向迁移速度和受迫转向频率的影响规律,并确定近壁剪切流中活性粒子横向迁移的形成机制.结果表明,近壁剪切流场中大肠杆菌的横向迁移速度随剪切速率增大先快速增加继而趋于稳定;大肠杆菌横向迁移速度随圆周运动角速度增大而减小,随手性诱导角速度、直行运动速度和转向扩散系数的增大而增大;大肠杆菌的受迫转向频率受圆周运动角速度、直行运动速度和转向扩散系数的影响小,而随手性诱导角速度的增大而加快;相比大肠杆菌,常规活性粒子横向迁移速度显著减小、受迫转向频率明显变慢,二者受直行运动速度和转向扩散系数的影响规律与大肠杆菌类似.直行运动是活性粒子形成横向迁移运动的前提,其他运动参数和结构参数均可一定程度促进或抑制活性粒子在近壁剪切流场中的横向迁移.     

抗消化性溃疡药物的临床应用新进展

消化性溃疡属世界性多发病、常见病,该病以呕血、黑便及腹痛为主要临床症状,具有病程长、复发率高、治愈率低等特点,严重影响患者正常生活及工作。目前,临床上多采用H2受体拮抗剂、抗酸药、质子泵抑制剂、抗幽门螺杆菌药物等治疗消化性溃疡,其中,三联疗法(质子泵抑制剂+2种抗生素)及四联疗法(三联疗法+铋剂)疗效最佳。本研究分析抗消化性溃疡药物的应用新进展,以期为消化性溃疡的治疗提供参考依据。     

靶向抗肿瘤药N-(N’-苄氧羰基甘氨酰脯氨酰)丙卡巴肼(Z-GP-Pcb)的环境友好合成及其透过血脑屏障活性评价

利用靶向策略设计了抗肿瘤药物N-(N’-苄氧羰基甘氨酰脯氨酰)丙卡巴肼(Z-GP-Pcb),发展了3步法合成丙卡巴肼(Pcb).首先以4-甲基苯甲醛为原料,经二溴异氰脲酸(DBI)转化为N-异丙基-4-甲基苯酰胺.该化合物经2-碘酰基苯甲酸(IBX)直接氧化为N-异丙基-4-甲酰基苯酰胺,随后还原胺化得Pcb.最后与N-苄氧羰基甘氨酰脯氨酸缩合得Z-GP-Pcb,总收率49.9%.另外,本研究还建立了体外平行人造膜渗透测血脑屏障(PAMPA-BBB)方法评价Z-GP-Pcb透过血脑屏障(BBB)活性,发现其透膜常数(Pe)为(19.22±4.25)×10^-6cm·s^-1,大于母药Pcb[(11.14±1.34))×10^-6cm·s^-1],具有较高的透过BBB活性.