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通过对Eu2-xPbxRu2O7(x=0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0和1.8)系列样品的结构、电阻和磁化率的观测,结果发现,随着Pb替代浓度x值的增加,样品的电阻率逐渐减小,系统在x=0.8附近发生了金属-绝缘体(M-I)相变;Ru4+的局域磁矩及其自旋玻璃冻结温度TG也随之降低. 在该体系中,Pb2+对Eu3+的部分替代使样品中载流子浓度增加,Pb的6p能带与Ru 4d电子的T2g能带混合,能带得以拓宽,Ru 4d电子的巡游性增强,导致该体系物性的系列变化. 相似文献
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使用参数Dioid模块网络法,把含大量摄动参数的在普通极大代数意义下非线性状态空间模型在参数Dioid意义下线性化,在此基础上研究一类过程摄动系统的无阻塞鲁棒性.给出了有限缓冲串行生产系统在没有缓冲器下无阻塞的充要条件和充分条件. 相似文献
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The clusters of Eu3+ ion in Eu(DBM)3Phen-doped polymethyl methacrylate (PMMA) have been studied by three means. The relative fluorescence intensity ratio of the 5D0 → 7F2 to 5D0 → 7F1 transitions with different concentrations of Eu3+ in Eu(DBM)3Phen-doped PMMA and metastable-state (5D0) lifetime dependence on Eu3+ concentration are analyzed. The analysis indicates that there are no clustering effects in Eu3+ ions of Eu(DBM)3Phen-doped PMMA when the Eu3+ doping concentration is up to 1.0 wt.-%. At the same time, the clustering effect has not been observed by the scanning near-field optical microscopy (SNOM) in Eu(DBM)3Phen-doped PMMA with 1.0 wt.-% of Eu3+ ions. The analysis reveals that a high concentration of Eu3+ can be incorporated into polymer optical fiber (POF) without clustering effect.OCIS codes: 180.5810, 300.6280, 250.5460, 160.5690. 相似文献
58.
应用密度矩阵方程计算了四能级原子系统中三阶非线性极化率随信号光和探针光频率失谐的变化关系。结果表明,由于量子干涉对信号光强度的敏感性,使四能级原子介质的交叉Kerr非线性作用大大增强,与三能级系统相比,四能级原子介质的Kerr非线性系数可增强两个数量级。 相似文献
59.
Femtosecond laser is a perfect laser source for materials processing when high accuracy and small structure size are required. Due to the ultra short interaction time and the high peak power, the process is generally characterized by the absence of heat diffusion and, consequently molten layers. Various induced structures have been observed in materials after the femtosecond laser irradiation. Here, we report on fabrication of micro-optical devices by the femtosecond laser. 1) formation of optical waveguide with internal loss less than 0.5dB/cm in the wavelength region from 1.2 to 1.6 mm, by translating a silica glass perpendicular to the axis of the focused femtosecond laser beam; 2) nano-scale valence state manipulation of active ions inside transparent materials; 3) space-selective precipitation and control of metal nanoparticles inside transparent materials; The mechanisms and applications of the femtosecond laser induced phenomena were also discussed. 相似文献
60.
在变缓冲层高迁移率晶体管(MM_HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能.
关键词:
变缓冲层高迁移率晶体管
Shubnikov_de Hass 振荡 相似文献