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41.
42.
The micro-void growth by dislocation emission under tensile loading is explored with focus on the influence of crystal orientations. Based on the elastic theory, a dislocation emission criterion is formulated. It is predicted that the preferential location of dislocation nucleation and its threshold stress are dependent on the crystal orientation. Large-scale molecular dynamics (MD) simulations are also performed for single crystal copper to illustrate the dislocation evolution pattern associated with a nano-void growth. The results are in line with those given by the theoretical prediction. As revealed by MD simulations, the characteristics of void growth at micro-scale depend greatly on the crystal-orientation.  相似文献   
43.
In this paper, we study the global existence and the asymptotic behavior of classical solution of the Cauchy problem for quasilinear hyperbolic system with constant multiple and linearly degenerate characteristic fields. We prove that the global C1 solution exists uniquely if the BV norm of the initial data is sufficiently small. Based on the existence result on the global classical solution, we show that, when the time t tends to the infinity, the solution approaches a combination of C1 traveling wave solutions. Finally, we give an application to the equation for time-like extremal surfaces in the Minkowski space-time R1+n.  相似文献   
44.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低. 关键词: 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目  相似文献   
45.
Thurston proposed that conformal mappings can be approximated by circle packing isomorphisms and the approach can be implemented efficiently. Based on the circle packing methods the rate of convergence of approximating solutions for quasiconformai mappings in the plane is discussed.  相似文献   
46.
Novel oxyfluoride glasses are developed with the composition of 30SiO2-15Al2O3-28PbF2-22CdF2-0.1TmF3 - xYbF3 - (4.9 - x) AlF3(x=0, 0.5, 1.0, 1.5, 2.0) in tool fraction, Furthermore, the upconversion luminescence characteristics under a 970nm excitation are investigated. Intense blue, red and near infrared luminescences peaked at 453nm, 476nm, 647nm and 789nm, which correspond to the transitions of Tm^3+: ^1D2 →^3F4, ^1G4 →^3H6, ^1G4 →^3F4, and ^3H4 →^3H6, respectively, are observed. Due to the sensitization of Yb^3+ ions, all the upconversion luminescence intensities are enhanced considerably with Yb^3+ concentration increasing. The upconversion mechanisms are discussed based on the energy matching rule and quadratic dependence on excitation power. The results indicate that the dominant mechanism is the excited state absorption for those upconversion emissions.  相似文献   
47.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. 关键词: MOCVD InGaAs/InGaAsP 应变量子阱 分布反馈激光器  相似文献   
48.
考虑材料熔化潜热的高温高压本构   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
冉宪文  汤文辉  谭华  戴诚达 《物理学报》2006,55(6):2852-2855
本文在修正的SCG模型基础上,提出了一种考虑了熔化潜热的高温高压本构.该本构所给出的铝的剪切模量的变化分为三个阶段:加工硬化,温度软化和熔化,并在完全熔化点处变为零.并且在前两个阶段,计算的结果与修正的SCG模型所给出的剪切模量的差别不超过4%,这一差别是在动高压实验误差范围之内的,在熔化区所给出的剪切模量与现有的实验数据相符合. 关键词: 剪切模量 熔化潜热 修正的SCG模型 动高压实验  相似文献   
49.
熔制了掺铒碲铌玻璃样品(100-X)TeO2-XNb2O5(X=5,10,15,20mol%),测试了其密度、折射率、转变温度、析晶温度、维氏机械强度、吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命等参量。利用Judd-Ofelt和McCumber理论分别计算了铒离子强度参量Ωt(t=2,4,6)和受激发射截面σemi的大小,研究了掺铒碲铌玻璃样品光谱参量对Nb2O5成分的依赖性,并与典型的碲锌钠玻璃(75TeO2-20ZnO-5Na2O)在热学、机械强度、光谱性质和放大品行四个方面进行了比较.  相似文献   
50.
利用高灵敏度的氢原子里德堡飞渡时间谱方法研究了 F H_2→HF H 反应碰撞能在5.02kJ/mol 下的交叉分子束反应态态散射动力学.所有在时间飞渡谱中被观测到的谱峰可以归属为 HF 产物的振转态结构.还观测到了明显的 HF(v’=3)前向散射,以及少许的 HF(v’=2)前向散射.  相似文献   
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