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一类Narcissistic反应过渡态的优化 总被引:1,自引:0,他引:1
我们对一类narcissistic 反应XCH_2-CH_2Y→[过渡态TS]→YCH_2—CH_2X (1)进行了研究,结果表明其过渡态能在对称性限制下由能量极小化方法较容易地给出. 采用IMSPAK分子轨道从头算程序,在IBM VM/370计算机系统上用STO—3G极小基组以平衡几何构型的能量梯度优化方法,在对称性限制下对反应(1)的几种反应体系的过渡态构型进行了优化,其结果列于表1. 相似文献
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研制出了用于计算氚投料量在FEB聚变堆各个子系统中的分布及其随时间变化的数值模拟程序包SWITRIM。通过近5年的使用,表明其运行良好、计算结果可靠。用SWITRIM数值模拟研究了聚变堆起动过程中的“氚坑深度和氚坑时间”新现象。简单介绍了SWITRIM程序包的组成和用户使用说明以及最新的运用等。 相似文献
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We present a semimonolithic frequency-doubler from 1080 to 540 nm with 80% doubling efficiency and up to 849-mW output power of green light. 相似文献
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当产品质量指标服从二元正态分时,可用T2控制图与Λ控制图联合判断产品生产的过程是否处于受控状态。本文利用T2统计量与F统计量、Λ统计量与F统计量之间的关系,得到了两指标情形下两类基于F分布统计量的统计过程控制图,简称双F统计过程控制图,并给出了控制图应用实例。 相似文献
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Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献
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