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A novel lateral double-gate tunnelling field effect transistor (DG-TFET) is studied and its performance is presented by a two-dimensional device simulation with code ISE. The result demonstrates that this new tunnelling transistor allows for the steeper sub-threshold swing below 60mV/dec, the super low supply voltage (operable at VDD 〈 0.3 V) and the rail-to-rail logic (significant on-state current at the drain-source voltage VDS = 50mV) for the aggressive technology assumptions of the availability of high-k/metal stack with equivalent gate oxide thickness EOT =0.24 nm and the work function difference 4.5 eV of materials. 相似文献
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用NBSGSC计算机程序和单标样的理论α系数法分析结果 总被引:1,自引:0,他引:1
引言过去30年,人们在X射线荧光分析中试用了各种校正元素间影响的计算方法。其中所谓的“经验系数法”需要相当数量的优质标样。而所谓的“基本参数法”原则上仅需纯元素标样或单只多元标样。纯元素标样有时难以得到,而且受到所用物理常数和参数(包括质量吸收系数,荧光产额,吸收边跃迁比,原级光谱和几何因子等)不准确性的严重影响,在多数情况下结果甚差。除非手头没有多元标样,一般在基本参数法中不宜使用。而单只多元标样则可消除或减小理论的不完善性以及基本参数的不准确性,因而在基本参数法中更为可取。 相似文献
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