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201.
在无水乙醇体系中构建了镝-磺基水杨酸-三正辛基氧化磷的三元配合物荧光体系,使用荧光分光光度计在激发波长305 nm,发射波长574 nm的条件下对体系进行荧光强度的检测,同时进行条件的优化,对试剂的配比和加入顺序以及反应时间进行筛选。得出了三元配合物体系中镝∶磺基水杨酸∶三正辛基氧化磷的最佳配比为2∶1∶7,最优检测时间为30 min,同时得出了最优的试剂加入顺序依次为Dy~(3+), SSA,TOPO。通过加入镧来构建新的荧光强度更为良好的发光体系。并进行了常见离子的干扰实验以及加入体系中的镧离子的条件进行了优化。在已构建的体系中加入盐酸四环素,发现体系荧光强度明显降低,并利用四环素这一荧光淬灭效应对药品中四环素含量进行检测。 相似文献
202.
203.
对铁掺杂和高温退火非掺杂磷化铟制备的两种半绝缘材料的电学补偿和深能级缺陷进行了分析和比较.根据热激电流谱(TSC)测得的深能级缺陷结果,分析了这两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响.在掺铁半绝缘InP材料中,由于存在高浓度的深能级缺陷参与电学补偿,降低了材料的补偿度和电学性能.相比之下,利用磷化铁气氛下高温退火非掺InP获得的半绝缘材料的深能级缺陷浓度很低,通过扩散掺入晶格的铁成为唯一的深受主补偿中心钉扎费米能级,材料表现出优异的电学性质.在此基础上给出了一个更为广泛的半绝缘InP材料的电学补偿模型. 相似文献
204.
A γ/hadron separation analysis is described for the observed air shower events with primary energy above 100 TeV based on the Tibet ASγ detector configuration. The shower age and size parameters are fitted from the measured lateral density distribution and used as discrimination variables. According to the MC simulation while taking into account the systematic uncertainty estimated from data and MC comparison, it is found that 70% of the cosmic ray (CR) background can be rejected while more than 78% of the γ-rays can be retained. Sensitivity for 100 TeV γ-rays observation can thus be improved by at least 40%. 相似文献
205.
通过改进的Hummers法制备氧化石墨烯(GO),利用酰胺化反应将端基为氨基的六臂聚乙二醇(PEG)连到氧化石墨烯表面,改善其水溶性和生物相容性.原子力显微镜(AFM)数据表明所制备的GO-PEG尺寸小于250 nm,稳定性试验证明GO-PEG在水和PBS缓冲液中可以很好地分散.利用制备的GO-PEG作为药物载体,通过物理共混的方法负载疏水性抗肿瘤药物——冬凌草甲素.紫外光谱法测得载药率高达105%,远高于一般其他的药物载体.选择肺癌细胞A549和乳腺癌细胞MCF-7对载药体系的细胞毒性进行了研究,结果表明即使在高达100 mg/L的浓度下培养48 h,载体GO-PEG对两种细胞仍然具有很小的毒性(相对细胞存活率>85%),而通过载体负载后冬凌草甲素的疗效有所增强,对细胞具有更大的杀伤作用. 相似文献
206.
石墨相氮化碳的化学合成及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
石墨相氮化碳(g-C3N4)具有独特的电子结构和优异的化学稳定性, 近年来不仅被作为不含金属组分的催化剂和催化剂载体, 广泛地应用于有机官能团的选择性转换、光催化分解水、氧还原和Au、Pd、Ag、Pt等贵金属的负载, 还被作为绿色储能材料和硬模板剂用于H2、CO2的存储和纳米金属氮(氧)化物的制备等, 在能源和材料相关领域逐渐引起人们的关注. 本文将从材料的制备和应用角度,综述国内外同行近年来在g-C3N4研究中所取得的一些重要进展, 并对其未来发展趋势,特别是在能源和环境领域中的应用进行了展望. 相似文献
207.
Impact of gate offset in gate recess on DC and RF performance of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs 下载免费PDF全文
Shurui Cao 《中国物理 B》2022,31(5):58502-058502
A set of 100-nm gate-length InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) were designed and fabricated with different gate offsets in gate recess. A novel technology was proposed for independent definition of gate recess and T-shaped gate by electron beam lithography. DC and RF measurement was conducted. With the gate offset varying from drain side to source side, the maximum drain current (Ids,max) and transconductance (gm,max) increased. In the meantime, fT decreased while fmax increased, and the highest fmax of 1096 GHz was obtained. It can be explained by the increase of gate-source capacitance and the decrease of gate-drain capacitance and source resistance. Output conductance was also suppressed by gate offset toward source side. This provides simple and flexible device parameter selection for HEMTs of different usages. 相似文献
208.
209.
210.
蒋洪平 傅世年 彭军 程鹏 黄涛 李鹏 李芳 李健 刘华昌 刘美飞 孟鸣 孟才 慕振成 荣林艳 欧阳华甫 孙彪 王博 田建民 王标 王盛昌 姚远 徐韬光 徐新安 辛文曲 赵富祥 曾磊 周文中 《中国物理 C》2014,38(8)
In beam halo experiments, it is very important to correctly characterize the RFQ output proton beam. In order to simulate the beam dynamics properly, we must first know the correct initial beam parameters. We have used two different methods, quadrupole scans and multi-wire scanners to determine the transverse phase-space properties of the proton beam. The experimental data were analyzed by fitting to the 3-D nonlinear simulation code IMPACT. For the quadrupole scan method, we found that the RMS beam radius and the measured beam-core profiles agreed very well with the simulations. For the multi-wire scanner method, we choose the case of a matched beam. By fitting the IMPACT simulation results to the measured data, we obtained the Courant-Snyder parameters and the emittance of the beam. The difference between the two methods is about eight percent, which is acceptable in our experiments. 相似文献