聚环氧氯丙烷γ辐射效应的NMR研究

用~（１３）Ｃ和~１ＨＮＭＲ波谱，探讨了聚环氧氯丙烷（ＰＥＰＣＨ）的辐射效应，结果表明随着辐射剂量的增加，本体聚合物的~（１３）ＣＮＭＲ谱中各基团的分辨率得以提高，~１ＨＮＭＲ谱中出现了裂解产物共振峰，Ｔ~１变短，表明ＰＥＰＣＨ在限量空气氛中的辐射效应以大分子裂解反应为主，并通过特性粘度的测定，得到了证实。     

国外试题选

<正> (1)(苏)计算曲线积分,式中x=ax+by,Y=cx+dy,ad≠bc,L为绕原点的简单闭曲线。(2)(苏)设f(x,y)为单位圆内的可微函数,并且f(0,0)=0,试证明。     

激光装置新型能源系统技术改造

改造后的新型能源系统特点为：(1)充电机是能源系统中非常重要的设备，在设计时，用LC串联谐振恒流充电，输出端加隔离保护，使电容器端充电波形基本保持为直线，减小干扰信号的产生和对电容器的冲击。充电时间可调，使得在电容器老化的情况下依然可调节充电机使其基本同时达值，这样电容器在高压状态下等待触发的时间变短，有利于电容器的保护，减缓电容器的老化；(2)用了容差0～5％的双电极自愈式金属化膜电容器，该电容器储能密度(0．5J／cm^3)、可靠性高，系统故障承受能力强(能承受3倍正常放电电流峰值约20kA冲击），     

一种新的相位编码幅值调节联合变换相关器

给出了一种对经典联合变换相关器进行相位编码和幅值调节的新方法,使联合变换相关器具有优化的相关输出信号和很强的抗干扰能力.在相位编码幅值调节联合变换相关器中,输入的待识别信号首先通过相位模板进行相位编码,然后对联合功率谱进行幅值调节滤波.在进行幅值调节滤波时采用了增强型幅值调节滤波器,其调节因子可根据输信号的噪音干扰情况进行调节变化.相位编码幅值调节有效地祛除了多目标识别联合变换相关器的冗余信号,可广泛的应用于多目标识别.     

一类三次Kolmogorov系统的极限环分支

本文研究了一类三次Kolmogorov系统，得出了该系统可分支出三个极限环，且其中有两个是稳定的，同时给出了其中心条件.     

基于张量奇异值分解的鲁棒视频水印算法

针对视频的版权保护, 提出了一种基于张量奇异值分解(T-SVD)的鲁棒视频水印算法. 不同于图像, 视频具有多维度的特点, 能够被看作一个高阶张量, 并通过张量奇异值分解以保留帧内和时域的相关性, 从而提高水印鲁棒性. 首先, 对视频帧的亮度分量进行离散小波变换(DWT), 计算得到低频子带(LL), 并将每3帧的LL作为一个三阶张量; 其次, 将三阶张量分成不重叠块, 并进行张量奇异值分解, 计算得到对角张量; 最后, 利用包含强相关性的对角线张量的奇异值嵌入水印以增强鲁棒性. 此外, 还采用密钥随机提取视频帧, 以加强算法的安全性. 实验结果表明, 提出的算法能够抵抗多种视频攻击, 具有较强的鲁棒性.     

异戊二烯与OH自由基光化学反应的二次有机气溶胶的生成

利用烟雾箱模拟装置,研究了异戊二烯与OH自由基反应的二次有机气溶胶(SOA)的生成.反应中生成的气相产物通过质子转移反应质谱仪(PTR-MS)测定,SOA的浓度及粒径谱分布通过高分辨率粒径谱仪(EEPS3090)测定.研究表明:甲基丙烯醛(MAC)/甲基乙烯基酮(MVK)、乙醛、甲醛、甲醇、甲酸/乙醇、乙醇醛、甲基乙二醛、丙酮/丙醛等为主要气相产物,各组实验中MAC/MVK和乙醛浓度达到最大时,其产率分别介于13.78%～37.72%和5.38%～9.34%(以C计)范围内;SOA生成量及其中值粒径随异戊二烯反应量的增加而增加,气相物质稳定后,SOA产率在5.6%～11.7%范围内,粒径在22～165nm范围内.     

应用4变量精确平板理论分析FG复合板的自由振动

应用4变量的精确平板理论,对矩形功能梯度材料(FGM)复合板进行自由振动分析.与其它的理论不同,该理论的未知函数数量只有4个,而别的剪变形理论的未知函数为5个.提出的4变量精确平板理论,协调条件有了改变,与经典的薄板理论相比,许多方面有着惊人的相似,无需引入剪切修正因数——当横向剪应力越过板厚后,为了满足剪应力自由表面条件,出现抛物线状的改变,导致横向剪应力的变化.考虑了两种常见类型的FGM复合板,即,FGM表面层和各向同性夹芯层的复合板,以及各向同性表面层和FGM夹芯层的复合板.通过Hamilton原理,得到了FGM复合板的运动方程.得到闭式的Navier解,然后求解特征值问题,得到自由振动的基本频率.将该理论得到的结果,与经典理论,一阶的及其它更高阶的理论所得到的结果进行比较,检验了该理论的有效性.研究发现,该理论在求解FGM复合板自由振动性能方面,既精确又简单.     

InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响

利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性.随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动.在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂.通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-x...     

C-mount封装不同激光器芯片尺寸的热阻分析

采用波长漂移法对基于C-mount封装类型的不同尺寸芯片的热阻进行测量,得到了使热阻最小的最佳芯片尺寸和铟焊料厚度.测量结果表明,在铟焊料厚度为10 μm、输出功率为2 W、条宽为200 μm、腔长为2 000 μm时,激光器芯片的热阻最小值为2.01℃/W.在铟焊料厚度为5 μm和10μm两种条件下,对腔长为2 00...