欢迎有敬业精神的同志自荐为本刊编委

本刊编委产生的方式有三种：自荐、推荐和聘请，自荐是本刊提倡的方式。凡不计报酬、乐意献身于科技期刊出版事业、基本具有副高级以上技术职称的同志,都可以自荐为本刊编委。自荐者可与本刊联络处联系，地址：北京市81信箱66分箱 刘建林，邮政编码：100095。 《光谱实验室》编辑部     

再谈"三维导体"的自感系数

由公式ε＝Ｌ│ｄＩ／ｄｔ│出发，只要求出“三维导体”中的等效自感电动势，即可求得自感系数Ｌ，并以无限长同轴电缆自感系数的求解为例加以证明。     

大孔树脂对脲酶的吸附作用

本文主要研究不同极性和孔结构的大孔树脂对脲酶的吸附作用,以及脲酶溶液的浓度、纯度和pH等对脲酶吸附作用的影响。     

基于Dijkstra算法的单工序对其平行工序数量敏感性分析

在CPM网络计划中，一个工序开始和结束时间的变化可能不光会对它的顺序工序产生影响，也会对它的平行工序产生影响，当该工序的结束时间从最早结束时间开始推迟不同的量时，或者当它的开始时间从最迟开始时间开始提前不同的量时，它的平行工序中自由时差、安全时差或总时差增大的工序数量也可能不同。针对该单个工序对其平行工序数量敏感性问题，利用工序自由时差、安全时差和总时差的概念及功能对其进行分析，建立了某工序最早结束时间的推迟量或最迟开始时间的提前量与它的平行工序中受影响工序数之间的函数关系模型。最后，通过算例，进行了具体阐述。     

对光子质量表述的不同看法

通过提出二个问题 ,指出某些教材中关于光子质量表述的不妥之处 ,再根据洛仑兹变换公式成立的条件 ,证明了引起这种不妥表述的根源。     

基于飞秒激光引导高压放电的SF6分解物原位检测

气体绝缘开关设备(GIS)绝缘缺陷引发的放电会导致SF₆分解,分解产生的低氟硫化物与设备内的微量H₂O和O₂反应生成具有腐蚀性的物质,影响设备正常运行,因此,研究SF₆分解机理对GIS的安全运行具有重要意义。由于部分分解物在采样过程中发生转化,因此,实现SF₆分解物的原位检测对于研究SF₆分解机理是十分必要的。采用飞秒激光引导高压放电实现了高压放电空间和时间的精确控制,并利用飞秒激光引导高压放电产生的空间分辨光谱实现了SF₆分解物的原位测量。首先研究证明了飞秒激光不会引起SF₆的分解;其次,利用飞秒激光产生的等离子体通道实现了放电空间和时间的精确控制;最后,发现分解物中包含由于高能电子碰撞直接或间接产生的大量S和F的离子和原子。研究证明了基于飞秒激光引导高压放电可以实现SF₆分解物的原位检测,为开展高压放电下SF₆分解机理研究提供了一种新的研究手段。     

两个可调的四核铜Schiff碱配合物:自组装、晶体结构和抗癌活性

通过水热反应制备了2个中心对称的四核铜Schiff碱配合物[Cu_4(H_2O)_2(μ-Brsth)2(μ_3-Brsth)_2](1)和[Cu_4(H_2O)_2(Brsth)_2(μ-Brsth)_2(μ2-4,4′-bipy)_2](2),其中H2Brsth为5-溴水杨醛缩噻吩-2-甲酰腙。2个配合物晶体属单斜晶系,空间群分别为P21/c和C2/c。2个配合物中所有的铜原子都是五配位,但每个配合物中4个Cu(Ⅱ)都处于2种类型的四方锥配位环境。在配合物1中4个铜原子被4个Schiff碱配体的酚盐氧分别以μ3-O和μ-O方式桥联形成椅式{Cu_4O_4}单元,而在配合物2中2对铜原子分别被2个Schiff碱配体的酚盐氧μ-O和2个桥联的μ2-4,4′-联吡啶连接形成环状的四核结构。体外抗癌活性的研究结果表明,配合物1和2对人肝癌细胞HEPG2均有较强的增殖抑制作用。     

一种基于组合不确定型OWA算子的区间数群决策方法

在群决策中,由于决策环境的不确定性,决策者给出区间效信息.基于区间数可能度矩阵公式和互补判断矩阵的排序公式,提出了一种组合不确定型OWA算子,它是不确定型OWA算子的推广.该算子能集结群决策中区间数信息,文中给出了其在应用的具体步骤,最后实例分析说明了该方法的有效性和可行性.     

微波注入反相器基本电路的非线性效应

采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化。实验结果表明:在固定环境温度条件下,有效注入功率大于33 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上;有效注入功率大于30 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上。相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大。非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40~70 ns不等,与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关。