超高效液相色谱-四极杆质谱联用快速测定地表水中的溴氰菊酯

建立了无需前处理程序直接进样快速测定地表水中溴氰菊酯的超高效液相色谱-串联质谱(UPLC-MS/MS)分析方法.样品经0.2μm针式滤头过滤除去颗粒性杂质后,进样UPLC-MS/MS分析,电喷雾负离子(ESI+)多反应监测模式(MRM)下测定.以m/Z 532.2/281.1为溴氰菊酯的检测离子对,溴氰菊酯的检出限达0.5μg/L.在1.0-1000μg/L的线性范围中,相关系数r=0.9997,高、中、低3个浓度水平下回收率94.8％-106.7％,相对标准偏差(RSD,n=6)为1.53％-7.38％.方法具有检出限低、检测速度快、定性准确且回收率高等优点.     

The influence of cation additives on the NIR luminescence intensity of Er3+-doped borate glasses

Er3+-doped 25BaO-(25-x)SiO2-xAl2O3-25B2O3 transparent glasses are prepared with x = 0,12.5 and 25 by a solid-state reaction.The Er-related NIR luminescence intensity,which corresponds to the transition of 4I15/2-4I13/2,is obviously altered with different silicon/aluminum ratios.The Judd-Ofelt parameters of the Er3+ ions are adopted to explain the intensity change in the NIR fluorescence,and the Raman scattering intensity versus the amount of Al and/or Si components are discussed.The spectra of the three samples are quite similar in the peak positions,but different in intensity.The maximal phonon density of state for the samples is calculated from the Raman spectra and is correlated to the NIR luminescence efficiency.     

ZnS修饰对ZnO纳米棒：P3HT复合薄膜I-V性质的影响

本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm, 长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列, 引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰, 分别制备得到了具有ITO (indium tin oxides)/ZnO/Poly-(3-hexylthiophene) (P3HT)/Au和ITO/ZnO@ZnS/P3HT/Au结构的多层器件. 通过I-V曲线对比讨论了两种结构器件的开启电压, 串联电阻, 反向漏电流及整流比等参数, 认为包含ZnS修饰层器件的开启电压、串联电阻、反向漏电流明显降低, 整流比显著增强, 展现出更优异的电子传输性能. 光致发光光谱分析结果证实由于ZnS使ZnO纳米 棒的表面缺陷产生的非辐射复合被明显抑制, 弱化了电场激发下的载流子陷获, 改善了器件的导电特性. 关键词： ZnO纳米棒阵列 表面修饰 电流-电压特性     

固相萃取-亲水相互作用液相色谱法同时测定环境水样中3种酰胺类化合物

基于亲水相互作用液相色谱(Hydrophilic Interaction Liquid Chromatography,HILIC)技术,建立了同时测定环境水样中丙烯酰胺、N,N-二甲基甲酰胺和N,N-二甲基乙酰胺的液相色谱分析方法.水样采用石墨化碳黑固相萃取柱净化,上样1.0 mL,并最终用1.0 mL乙腈洗脱,洗脱液进样色谱分析.选择Waters HILIC色谱柱,以乙腈/水作为流动相,等度洗脱,二极管阵列检测器200 nm条件下检测.在优化的分析条件下,3种酰胺类化合物在11 min内实现基线分离.所有目标化合物浓度在0.05～ 100 mg/L范围内线性良好,相关系数均大于0.9999;检出限达0.01 mg/L.加标回收率为84.1％～106％;相对标准偏差1.8％～10.4％.本方法具有简便快捷、灵敏准确等特点,能够满足环境水样中痕量酰胺类污染物检测的要求.     

缺陷对电荷俘获存储器写速度影响

基于密度泛理论的第一性原理以及VASP软件,研究了电荷俘获存储器(CTM)中俘获层HfO2在不同缺陷下(3价氧空位(VO3)、4价氧空位(VO4)、铪空位(VHf)以及间隙掺杂氧原子(IO))对写速度的影响.对比计算了HfO2在不同缺陷下对电荷的俘获能、能带偏移值以及电荷俘获密度.计算结果表明:VO3,VO4与VHf为单性俘获,IO则是双性俘获,HfO2在VHf时俘获能最大,最有利于俘获电荷;VHf时能带偏移最小,电荷隧穿进入俘获层最容易,即隧穿时间最短;同时对电荷俘获密度进行对比,表明VHf对电荷的俘获密度最大,即电荷被俘获的概率最大.通过对CTM的写操作分析以及计算结果可知,CTM俘获层m-HfO2在VHf时的写速度比其他缺陷时的写速度快.本文的研究将为提高CTM操作速度提供理论指导.     

顶空气相色谱-质谱法测定土壤中丙烯腈的研究

建立了用顶空气相色谱-质谱联用仪测定土壤中丙烯腈的方法.优化色谱-质谱联用仪和顶空仪对温度、时间等分析条件的设置,选用HP-INNOWAX(30 m×0.32 mm,0.50 μm)毛细管柱,在柱流速1.5 mL/min条件下采用电子轰击电离源,选择离子m/z 53进行外标法定量.该方法线性良好,相关系数r=0.999...     

碳量子点负载TiO_2纳米棒阵列的光电化学性能

研究了碳量子点负载的Ti O2纳米棒阵列光阳极的光电化学过程和光催化行为。实验发现碳量子点的引入使Ti O2纳米棒阵列在可见光区域的吸收强度增强,对可见光的响应电流提高3倍,光照下的开路电位增加了2.5%,光生载流子的转移和传输能力得到相应提高。光阳极对亚甲基蓝的降解特性显示,碳量子点的引入使Ti O2纳米棒在可见光照射下的催化效率由25%提高到33%。利用电化学交流阻抗谱(EIS)、MottSchottky曲线讨论了光影响下的电荷运动过程,表明Ti O2纳米棒阵列负载碳量子点后的电荷转移电阻减小,电子寿命增加;碳量子点的负载使Ti O2纳米棒的平带电位负移,导带位置提高,电子的还原能力增强。     

Sb掺杂对透明SnO2薄膜导电性能影响的第一性原理计算

本文根据密度泛函理论（DFT），采用第一性原理平面波赝势方法，计算了Sb掺杂对透明导电薄膜SnO2电子结构及导电性能的影响，讨论了掺杂下SnO2晶体的结构变化、能带结构、电子态密度．计算结果表明，Sb掺杂的SnO2具有高的电导率，且随着掺杂浓度的增加，能带简并化加剧，浅施主杂质能级向远离导带底方向移动．     

Photoluminescence of ZnO and Mn-Doped ZnO Polycrystalline Films Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

ZnO and Mn-doped ZnO polycrystalline films are prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition at low temperature （220℃）, and room-temperature photoluminescence of the films is systematically investigated. Analysis from x-ray diffraction reveals that a11 the prepared films exhibit the wurtzite structure of ZnO, and Mndoping does not induce the second phase in the films. X-ray photoelectron spectroscopy confirms the existence of Mn^2＋ ions in the films rather than metalic Mn or Mn^4＋ ions. The emission efficiency of the ZnO film is found to be dependent strongly on the post-treatment and to degrade with increasing temperature either in air or in nitrogen ambient. However, the enhancement of near band edge （NBE） emission is observed after hydrogenation in ammonia plasma, companied with more defect-related emission. Furthermore, the position of NBE shifts towards to high-energy legion with increasing Mn-doped concentration due to Mn incorporation into ZnO lattice.     

错位相减的运用

课本上推导等比数列前n项和公式,用了错位相减法.即:等比数列{an}前n项和Sn: Sn=a1 a1q … a1q~(n-1) ①而qSn=a1q a2q2 … a1qn ②①-②得 (1-q)Sn=a1-a1qn, 其实如果能熟练掌握这种方法,会给解题带来方便.