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Sb掺杂对透明SnO2薄膜导电性能影响的第一性原理计算
引用本文:邓周虎,闫军锋,张富春,王雪文,徐建平,张志勇.Sb掺杂对透明SnO2薄膜导电性能影响的第一性原理计算[J].光子学报,2007,36(B06):110-115.
作者姓名:邓周虎  闫军锋  张富春  王雪文  徐建平  张志勇
作者单位:[1]西北大学信息科学与技术学院,西安710069 [2]延安大学物理与电子信息学院,陕西延安716000 [3]驻771所军代表室,西安710054
摘    要:本文根据密度泛函理论(DFT),采用第一性原理平面波赝势方法,计算了Sb掺杂对透明导电薄膜SnO2电子结构及导电性能的影响,讨论了掺杂下SnO2晶体的结构变化、能带结构、电子态密度.计算结果表明,Sb掺杂的SnO2具有高的电导率,且随着掺杂浓度的增加,能带简并化加剧,浅施主杂质能级向远离导带底方向移动.

关 键 词:SnO2  第一性原理  电子结构  掺杂
修稿时间:2007-03-30

First-principle Calculation of Effects of Sb Doping on Electrical Conductivity of SnO2 Transparent Film
DENG Zhou-hu, YAN Jun-feng, ZHANG Fu-chun, WANG Xue-wen , XU Jian-ping, Zhang Zhi-yong.First-principle Calculation of Effects of Sb Doping on Electrical Conductivity of SnO2 Transparent Film[J].Acta Photonica Sinica,2007,36(B06):110-115.
Authors:DENG Zhou-hu  YAN Jun-feng  ZHANG Fu-chun  WANG Xue-wen  XU Jian-ping  Zhang Zhi-yong
Abstract:
Keywords:SnO2  First-principles  Electronic structure  Sb-doping
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