1,4-丁二醇蒸馏底物解聚溶液组成的分析方法

使用液液萃取法分析溶液中的1,4-丁二醇(BDO)含量,正辛醇作为萃取剂,在30 ℃下测定了水-BDO-正辛醇三元液液相平衡数据。 使用扩展型UNIQUAC模型建立了溶液中水-BDO-正辛醇的活度系数模型,关联该体系的液液平衡数据,通过单纯型法回归获得三元体系组分之间的相互作用能参数。 实验数据以及计算结果表明,通过分析萃取相的组成,能可靠地预测萃余相的组成,进而得到原溶液中BDO的含量。 该法准确、简便,可作为该体系的常规分析方法。     

含邻菲啰啉及对苯二甲酸的Sm(Ⅲ)配位聚合物的合成、结构和光致发光性质

在水热条件下,合成了一个二维稀土Sm(Ⅲ)的配位聚合物[Sm(1,4-bda)1.5(phen)(H2O)]n(1)(1,4-H2bda=对苯二甲酸,phen=1,10-邻菲啰啉),X-射线单晶衍射分析表明,Sm(Ⅲ)离子与6个氧原子和2个氮原子配位。其中5个氧原子来自1,4-bda配体的羧基氧原子,1个来自配位水分子;2个氮原子来自邻菲啰啉分子。每个Sm(Ⅲ)离子与1个邻菲啰啉分子螯合配位,1,4-bda配体在配合物中有两种不同的配位方式。该配合物属三斜晶系,P1空间群,晶胞参数为a=1.030 72(6)nm,b=1.086 75(7)nm,c=1.139 83(8)nm,α=107.759(6)°,β=91.886(5)°,γ=112.878(6)°。该配合物在波长为345 nm紫外光的激发下显示出较好的光致发光性质。     

Effect of Co on magnetic property and phase stability of Ni--Mn--Ga ferromagnetic shape memory alloys: A first-principles study

The effect of Co content on magnetic property and phase stability of Ni50-xMn25Ga25Cox ferromagnetic shape memory alloys has been investigated using first-principles calculations. The total energy difference between paramagnetic and ferromagnetic state of austenite plays an important role in the magnetic transition. The high Curie temperature can be attributed to the stronger Co-Mn exchange interaction as compared to the Ni-Mn one. The phase stability of Ni50-xMn25Ga25Cox austenite increases with increasing Co content, which is discussed based on the electronic structure.     

响应面法优化邻苯二甲酰亚胺微波合成工艺

采用响应面法优化邻苯二甲酰亚胺的微波合成工艺条件。以邻苯二甲酸酐和尿素为原料,N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为反应溶剂,通过Box-Behnken中心组合实验,考察微波辐射温度、原料摩尔配比和反应溶剂量(相对于原料邻苯二甲酸酐的摩尔比例)三个因素对邻苯二甲酰亚胺收率的影响,得出其最佳微波合成条件参数组合并建立多元回归数学模型。结果表明:微波合成最佳反应条件为n(邻苯二甲酸酐)/n(尿素)/n(DMF)=1∶1.25∶1,微波144℃下搅拌回流反应1min得到的产物收率最高(96.28%)。     

电子束光刻的邻近效应及其模拟

用Monte Carlo方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因素——邻近效应的影响.分析了入射电子束的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响，并与实验结果进行了比较，发现模拟结果与实验结果符合得很好.分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大；衬底原子序数越大，衬底越厚，入射电子束能量越低，邻近效应越大. 关键词： 电子束光刻 邻近效应 Monte Carlo     

Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究

采用低流量Ⅲ族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物.采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化物清理速率及氧化层对高能电子的吸收系数.根据清理速率对衬底温度依赖的Arrhenius关系,估算了Ga辅助清理过程中发生化学反应所需要的活化能.Ga束流辅助清理衬底表面氧化物技术在外延生长中具有实...     

柔性光电器件发光层用ZnO微纳阵列/聚合物复合材料

采用简单的低温(温度未超过100 °C)溶液法在具有较好柔韧度的基于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底的铟锡氧化物(ITO)导电膜(PET/ITO)上成功制备了聚丙烯酰胺(PAM)修饰的ZnO微纳阵列. 用X射线衍射(XRD)仪和扫描电子显微镜(SEM)对ZnO微纳阵列的晶体结构和表面形貌进行了表征, 结果表明ZnO阵列的平均直径为150 nm, 长度为3 μm, 端面具有六边形结构, 沿[0001]方向择优生长, 较好地垂直在PET/ITO上; 探讨了ZnO微纳阵列在PAM存在下的形成机理以及所制备的ZnO阵列在柔性光电器件方面的应用; ZnO微纳阵列的光致发光(PL)性能表明, 在没有PAM的存在下, 具有蓝光(457 nm)和绿光(530 nm)缺陷发射峰, 这可能是电子分别从扩展态锌间隙(Zn_i)到价带和从导带到锌位氧(O_Zn)的跃迁引起的, 而在PAM存在下所制备的PAM/ZnO阵列仅仅在400 nm处有一个发射峰, 这是由于电子从Zn_i到价带的跃迁引起的. 基于PAM/ZnO的柔性器件具有较好的二极管特性, 表明其在柔性光电器件方面的应用极具潜力.     

2.0 μm 波段Sb基多量子阱材料的制备

采用分子束外延外延生长技术,优化InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0 m左右。该结果表明,通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料,可以获得良好的结构质量和光学特性。所制备的器件室温条件下输出功率22 mW,阈值电流300 mA。     

Cu,Zn离子注入SiO_2纳米颗粒合成及氧气氛围下的热稳定性研究

通过45 keV,1.0×1017cm-2的Cu离子注入SiO2基底合成了嵌入式的Cu纳米颗粒,采用不同剂量的50 keV Zn离子对Cu纳米颗粒进行后续辐照,详细研究了Zn离子后续辐照对Cu纳米颗粒结构、光学性质的影响及其氧气气氛下的热演变规律.研究结果表明,Cu和0.5×1017cm-2的Zn离子顺次注入可在SiO2基底中形成Cu-Zn合金纳米颗粒,它们可以在516 nm附近引起独特的表面等离子共振(SPR)吸收峰.后续O2气氛中450?C退火可以导致Cu-Zn合金纳米颗粒分解,并在基体中形成了ZnO和Cu纳米颗粒.研究结果还表明后续Zn离子的辐照可以有效地提高Cu纳米颗粒的抗氧化能力;同时基体中Cu的存在也会加速Zn向样品表面的扩散,从而促进了ZnO的形成.