H等离子体处理对Si中He注入空腔引起的效应

室温下分别采用40,160和1550 keV的He离子注入单晶Si样品到相同的剂量5×10¹⁶cm^-2,部分经He注入过的样品然后再分别接受高密度H等离子体处理.利用透射电子显微镜分析比较了随后800°C高温退火引起的空腔形成.结果表明,附加的H等离子体处理对空腔生长所产生的效应明显地依赖于He离子的能量.对于40 keV He离子注入,空腔的形成和热生长似乎不受H等离子体处理的影响,而对于160 keV He离子注入,附加的等离子体处理则促进了空腔的生长并伴随着空腔分布区域的变窄.对于1550keV He离子注入,H等离子体处理对空腔产生的效应介于40和160 keV注入情况之间.结合H等离子体处理在Si中所引起的缺陷的产生及其热演变过程对实验结果进行了讨论.     

一类算子Riccati方程的解

对一类分布参数系统二次最优控制关联的积分型和代数型算子Riccati方程,本文给出它们的解由开环豫解核的直接表示,后者满足Fredholm型线性矩阵方程。     

分布参数系统的时滞控制问题

有限维线性系统的状态或控制有时滞的问题已有较多的讨论。对抛物型系统的时滞控制也有一些研究。本文考察实Hilbert空间X、U上的线性发展系统的控制问题。这里,设u(·)∈L~(loc)(0,∞U),ψ(·)∈L~2(—r,0;U),并设A是(x)中的C_0类半群T(t)的母元,(1)式的Mild解是下式所示的强连续函数x(t),     

绝缘体中金属离子注入合成纳米颗粒的理论研究

理论上提出了利用离散电子态来计算绝缘体中金属纳米颗粒Fermi能级的方法,给出了金属纳米颗粒的能级结构,并得到了依据金属纳米颗粒等离子体共振峰计算金属纳米颗粒尺寸的新公式.该理论可解释相关现象,通过实验初步验证了该理论的正确性. 关键词： 离子注入 金属纳米颗粒 绝缘体 Fermi能级     

初始振动态对氢分子离子电离通道的影响

通过数值求解非Born-Oppenheimer近似条件下的一维含时薛定谔方程,理论模拟了H2+在不同核初始振动态条件下(=0到=7)的库仑爆炸核初始动能释放谱。模拟结果表明：强激光场中氢分子离子的电离通道主要包括直接多光子电离、电荷共振增强电离及有中间过程的电荷共振增强电离,并且可以通过选取不同的初始振动态实现对氢分子离子电离通道的控制。     

5 kW泵浦增益一体化复合功能激光光纤

5 kW泵浦增益一体化复合功能激光光纤 林傲祥, 湛 欢 , 黄志华, 王瑜英, 王小龙, 倪 力, 唐 选, 梁小宝, 彭 昆, 高 聪 , 王 祯 , 贾兆年, 向小雨, 尤阿妮, 林宏奂, 赵 磊, 王建军, 景 峰     

表/界面水的扫描探针技术研究进展

表面和界面水在自然界、人们的日常生活以及现代科技中无处不在.它在物理、化学、环境学、材料学、生物学、地质学等诸多基础学科和应用领域起到至关重要的作用.因此,表面和界面水的功能与特性的研究,是水基础科学的一项核心任务.然而,由于水分子之间氢键相互作用的复杂性,及其与水-固界面相互作用的竞争,使得表(界)面水对于局域环境的影响非常敏感,往往需要深入到分子层次研究其微观结构和动力学过程.近年来,新型扫描探针技术的发展使得人们可以在单分子甚至亚分子尺度上对表(界)面水展开细致的实空间研究.本文着重介绍几种代表性的扫描探针技术及其在表(界)面水体系中的应用,包括:超高真空扫描隧道显微术、单分子振动谱技术、电化学扫描隧道显微术和非接触式原子力显微术.此外,本文还将对表(界)面水扫描探针技术研究面临的挑战和未来发展方向进行了展望.     

Restraint of spatial distribution in high-order harmonic generation from a model of hydrogen molecular ion

The spatial distribution in high-order harmonic generation(HHG) is theoretically investigated by using a few-cycle laser pulse from a two-dimensional model of a hydrogen molecular ion. The spatial distribution in HHG demonstrates that the harmonic spectra are sensitive to the carrier envelope phase and the duration of the laser pulse. The HHG can be restrained by a pulse with the duration of 5 fs in the region from the 90 th to 320th order. This characteristic is illustrated by the probability density of electron wave packet distribution. The electron is mainly located near the nucleus along the positive-x direction from 3.0 o.c. to 3.2 o.c., which is an important time to generate the HHG in the plateau area. We also demonstrate the time-frequency distribution in the region of the positive-and negative-x direction to explain the physical mechanism.     

Pressure effects on magnetic properties and martensitic transformation of Ni–Mn–Sn magnetic shape memory alloys

The mechanism for the effects of pressure on the magnetic properties and the martensitic transformation of Ni-Mn- Sn shape memory alloys is revealed by first-principles calculations. It is found that the total energy difference between paramagnetic and ferromagnetic austenite states plays an important role in the magnetic transition of Ni-Mn-Sn under pressure. The pressure increases the relative stability of the martensite with respect to the anstenite, leading to an increase of the martensitic transformation temperature. Moreover, the effects of pressure on the magnetic properties and the martensitic transformation are discussed based on the electronic structure.