热噪声作用下损耗模式RF—SQUID磁通跃迁性质的研究

本文从能量角度讨论了损耗模式 RF-SQUID 特性及磁通跃迂几率的性质,得到了器件正常工作时所需的条件,分析了磁通跃迁与温度及 SQUID 环路参数的关系,并得到了有意义的结论,最后由此求出了磁通跃迂时间.     

含1，2，3－噻二唑环硫脲的合成及结构鉴定

含１，２，３－噻二唑环硫脲的合成及结构鉴定司宗兴，董燕红（中国农业大学应用化学系，北京１０００９４）作者根据：（１）硫脲分子中氮原子与硫原子电子的ｐ－π－ｐ共轭效应与生物活性关系；（２）硫原子取代脲中氧原子后，毒性降低的一般规律；（３）氮原子上不同苄...     

溶剂萃取法处理工业废水

废与宝是对立的统一,在一定的条件下可以互相转化。工业废水中的许多有毒物质本来都是有用的物质,只是它们在废水中与其它物质夹杂在一起,并且又以分散低浓的形式存在,因此不仅无法利用,而且任其排入江河,必然会污染环境。如果采取积极的治理办法,使工     

在氨水潮湿面固化的胶粘剂——在处理小化肥厂“跑冒滴漏”的应用

小化肥生产中的设备、管辺等,或因本身存在的沙眼气孔等缺陷、或在各种温度下经水(火)气、氨水长期腐蚀、或在压力下遭受气液、物料和(火)尘的冲击等原因,均会产生腐蚀穿孔、泄漏损坏,从而导致生产过程中出现严重的“跑、冒、滴、漏”现象,大大地影响生产效率。目前,国内已有采用氟(木向)胶和硅楠胶的垫片制品代替石棉垫或盘根,对解决化工生产上的阀门和管辺连接卩位的泄漏问题,取得了良好的效果。但对设备和管辺的腐     

发光二极管电视、符号显示

国内外对发光二极管单片式、混合式矩阵显示装置正在进行活跃的研究。成为这种二极管显示装置的基本技术有:制备高效率p-n结;在单一晶体基板上制作多个发光元件的集成化技术;把多个发光二极管组装起来的电气联结技术以及最佳的取光结构等。 近年来,由于GaAsP、GaP发光二极管的效率显著提高;集成化技术、组装技术的进展以及结构上的巧妙设计;用发光二极管显示装置部分地取代阴极射线管显示的可能性日趋增大起来。 本文研究了发光二极管平面显示装置的电视图像显示及文字、数字——符号显示的特性;并论述了作者最近试制的GaP绿色发光二极管平面显示装置的结构、特性及在电视显示、符号显示上的应用。     

光纤模式混合器在差分吸收光谱系统中的应用研究

差分吸收光谱技术(DOAS)已经发展为监测对流层痕量气体的重要技术，一般采用光电倍增管(PMT)作为探测器.由于光电二极管阵列(PDA)在多道探测及像元灵敏性方面的优势，采用PDA代替扫描探测装置将能改善系统剩余噪声，提高系统性能.但实际应用中由于使用收发一体Cassegrain望远镜造成灯谱与大气谱结构不统一，在消除PDA像元间差异的过程中给系统带来误差，从而导致剩余噪声的标准偏差达到1.4×10^-3.根据光纤扰模原理在系统中加入自制光纤模式混合器很好的解决了上述难题，在实际应用中起到良好的作用，系统剩余噪声的标准偏差为3.4×10^-4. 关键词： 差分吸收光谱 扰模 模式混合器 剩余噪声     

用HI-13串列加速器质谱装置测量182Hf的研究

¹⁸²Hf的半衰期为(8.90±0.09)Ma, 是一个接近灭绝的放射性核素. 超新星爆炸是自然界中已知的惟一能产生¹⁸²Hf的途径. 因此¹⁸²Hf是研究近1亿年来在地球附近可能发生的超新星事件的理想核素. 另外, ¹⁸²Hf是核工程中特别感兴趣的一个长寿命放射性核素. 精确测量超痕量的¹⁸²Hf对反应堆的设计和核天体物理学以及其他研究领域都是非常重要的. 用加速器质谱有可能实现对超低含量¹⁸²Hf的测量. 在中国原子能科学研究院的HI-13加速器质谱装置上对¹⁸²Hf的测量方法以及样品的化学去钨方法进行了研究, 分别得到了空白样品以及系列标准样品的¹⁸²Hf和¹⁸³W的能量-飞行时间双维谱. ¹⁸²W对¹⁸²Hf计数的贡献是通过测量¹⁸³W的计数归一扣除的. 目前本工作对¹⁸²Hf的测量灵敏度为4.15±10^－11 (¹⁸²Hf/¹⁸⁰Hf比值).     

自然循环回路内芯片的强化沸腾换热研究

针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究.测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60 μm和200 μm.沸腾介质的过冷度设为10 K、25 K和35 K.随着壁面过热度的增加,微结构表面芯片上的热流密度急剧增加且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,这与其在池沸腾换热中的特点一样.但临界热流密度值与池沸腾情况相比有所降低.     

Photoluminescence Property of Co3O4 Nanowires

Co3O4 nanowire arrays are fabricated by electrodeposition with following heat-treatment in atmosphere ambient. Photoluminescence is investigated at 295K. In the experiment, when increasing the excitation light wavelength from 260 nm to 360 nm, two kinds of emissions corresponding to the increasing excitation light wavelength are observed. One of them alters the excited emission position, another keeps its emission position. The distinct behaviour of excited emissions related to the increasing excitation wavelength indicates that the mechanism of them must be different. According to the experimental comparison and first-principle calculation, the two kinds of emissions are discussed.