New bifurcations of basin boundaries involving Wada and a smooth Wada basin boundary

This paper demonstrates and analyses double heteroclinic tangency in a three-well potential model, which can produce three new types of bifurcations of basin boundaries including from smooth to Wada basin boundaries, from fractal to Wada basin boundaries in which no changes of accessible periodic orbits happen, and from Wada to Wada basin boundaries. In a model of mechanical oscillator, it shows that a Wada basin boundary can be smooth.     

p-n结二极管结区边界附近的交流电特性

基于p-n结二极管的理想工作状态的基本假定，推导了二极管在交流电下工作时其基区和p-n结分界面附近上的时间常数与二极管空间尺寸、扩散长度、载流子寿命和外加交流电频率等的依赖关系.结果发现高频和低频两种状态下二极管各类特征参量对时间常数的作用不一样.低频条件下，二极管的时间常数由材料本身来决定，与外加电流频率无关.高频情况下，时间常数则与半导体材料性质无关，只由外加交流电的频率来决定.     

《力学学报》1991年分类目录

流体力学三维气泡羽流建立区流动形态的观察············……昊凤林、‘G.Tsang23,1(1)固液两相流体中的空泡溃灭计算·········……陆力、黄继汤、许协庆23,l(8)涂布流动的非线性闽值问题···························……王振东、宋如贵23,1(17)温度对菱形花纹的影响·········……周正瑾、浦群、赖培华、白秀清23,l(25)紊动流场中悬浮颗粒分布的随机理论···············……召朽学军、夏震寰23,l(28)两相混合流体的非线性本构理论·····,·········1…     

(一)-△~(9(12))-CapneUene类的合成中间体——光学活性5-甲基-8-羟基双环[3,3,0]2一辛酮的不对称合成研究

通过手性硝基烯胺(4)与α-甲基-δ-戊内酯烯醇锌盐发生加成消除反应解决了倍半萜Capnellene类合成中构筑不对称季碳这个难题,对映体过量(e. e. )为94％。由L-脯氨酸经14步实现了(一)-△~(9(12))-Capnellene类的合成中间体——光学活性5-甲基-8-羟基双环[3 3,0]-2-辛酮(13)的对映选择合成。     

冷原子—无色散原子荧光光谱法测定奶粉中汞的有关问题的探讨

本文第一次提出汞样品经硝酸消化后，汞（Ｈｇ）与氮氧化物（ＮｘＯｒ）形成络合物，在经典的加氯化亚锡（ＳｎＣｌ２）还原时，生成Ｈｇ与ＮＯ并能同时逸出，确定了Ｈｇ与ＮｘＯｒ存在配位关系，对汞的测定在数学计量上增加到１．５倍，结果表明，应用五氧化二矾消化奶样品能如实反映这一关系，并精确地得出其汞含量，在联合国环境规划署和粮食农业及世界卫生组织食品污染联合监测计划的第八届铅，镉，汞的分析质量保证中，应用本法     

十万焦耳θ-收缩实验装置

为了研究θ-收缩(θ-pinch)等离 子体的物理性质,发展快脉冲、高电压 储能放电技术和各种高温等离子体诊 断技术,设计和建造了十万焦耳直线型θ-收缩实验装置.单匝线圈的内径为8.2厘米,长20匣米,装置的主要参数是:电容量乃微法拉,最高充电电压50千伏,最大峰值电流1.6兆安培,最大峰值磁场82千高斯,最大磁场上升率 4 ×10～(10)高斯/秒,半周期 6.5微秒,能量转换效率～50%.另外还有450千周的预电离与±3.5干高斯的偏磁场电容器组.在初步的实验中,进行了D-D聚变反应中子的探测、高速扫描照相、内部磁探针测量、用软X-射线吸收比较法测量电子温…     

杂质气体对氦氖激光器寿命的影响

一、前 言 氦氖激光器输出为6328A的可见红色激光,光束发散小,相干性强,器件具有工艺简单、成本低、体积小、寿命长等特点,因此得到广泛应用.但目前国内商品器件寿命一般在2000小时以下,存放寿命也普遍较短,而在国外已普遍达到1万小时以上.因此,迫切需要分析研究国内商品器件目前寿命低的主要原因. 本文分析了氦氖激光器中出现的杂质气体及其对功率和寿命的影响.氢是最为常见的杂质气体,它对功率和寿命的影响也最严重.我们分析了它的主要来源,并进行了控制氢产生的试验.试验表明,控制住氢的产生后,器件寿命可普遍达8000小时.现将我们在这方…     

FAAS法测定硫酸中的铜、铁和锌

采用火焰原子吸收光谱法测定硫酸中铜、铁和锌,确定了最佳仪器工作条件和样品处理方法.在选择好的实验条件下,测定铜的特征浓度为0.005μg/mL/1%;铁的特征浓度为0.014μg/mL/1%吸收;锌的特征浓度为0.002μg/mL/1%吸收.回收率分别为铜97.7%-98.2%,铁98.2%-99.4%,锌96.8%-98.7%.     

Growth and Characterization of A1GaN/A1N/GaN HEMT Structures with a Compositionally Step-Graded A1GaN Barrier Layer

A new A1GaN/A1N/GaN high electron mobility transistor （HEMT） structure using a compositionally step-graded A1GaN barrier layer is grown on sapphire by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD）. The structure demonstrates significant enhancement of two-dimensional electron gas （2DEG） mobility and smooth surface morphology compared with the conventional HEMT structure with high A1 composition A1GaN barrier. The high 2DEG mobility of 1806 cm2/Vs at room temperature and low rms surface roughness of 0.220 nm for a scan area of 5μm×5 μm are attributed to the improvement of interracial and crystal quality by employing the stepgraded barrier to accommodate the large lattice mismatch stress. The 2DEG sheet density is independent of the measurement temperature, showing the excellent 2DEG confinement of the step-graded structure. A low average sheet resistance of 314.5Ω/square, with a good resistance uniformity of 0.68%, is also obtained across the 50 mm epilayer wafer. HEMT devices are successfully fabricated using this material structure, which exhibits a maximum extrinsic transconductance of 218 mS/ram and a maximum drain current density of 800 mA/mm.     

关于数列{2~n}

易知等比数列{2~n}前n项的和为S_n=a_(n+1)-2。对于这个关系式,我们有三点联想。 (一)简便求和。若a_5=32,则S_4=30。 (二)判定由关系式a_(n+1)=rS_n+S给出的数列是否为等比数列。事实上a_(n+1)=rS_n+S (1) a~n=rS_(n-1)+S (2) (1)-(2)得a_(n+1)-a_n=r(s_n-S_(n-1))=ra_n a_(n+1)/a_n=r+ 因此,r≠-1,a_1=S,{a_n}为等比数列。 (三)等比数列前n项和公式的新法推导。