Different temperature dependence of carrier transport properties between AlxGal-xN/InyGal-yN/GaN and Alx Gal-xN/GaN heterostruct ures

The temperature dependence of carrier transport properties of Alx Gal-xN/InyGal-yN/CaN and AlzGal-xN/GaN heterostructures has been investigated. It is shown that the Hall mobility in Alo.25Gao.75N/Ino.03Gao.97N/GaN heterostructures is higher than that in Alo.25Gao.75N/GaN heterostructures at temperatures above 500 K, even the mobility in the former is much lower than that in the latter at 300 K. More importantly, the electron sheet density in Alo.25Gao.75N/Ino.03Gao.97N/GaN heterostructures decreases slightly, whereas the electron sheet density in Al0.25Gao.75N/CaN heterostructures gradually increases with increasing temperature above 500 K. It is believed that an electron depletion layer is formed due to the negative polarization charges at the Iny Can-yN/GaN heterointerface induced by the compressive strain in the InyCal-yN channel, which effectively suppresses the parallel conductivity originating from the thermal excitation in the underlying GaN layer at high temperatures.     

Structure and luminescence of a-plane GaN on r-plane sapphire substrate modified by Si implantation

We show the structural and optical properties of non-polar a-plane GaN epitaxial films modified by Si ion implantation. Upon gradually raising Si fluences from 5×10¹³ cm^-2 to 5×10¹⁵ cm^-2, the n-type dopant concentration gradually increases from 4.6×10¹⁸ cm^-2 to 4.5×10²⁰ cm^-2, while the generated vacancy density accordingly raises from 3.7×10¹³ cm^-2 to 3.8×10¹⁵ cm^-2. Moreover, despite that the implantation enhances structural disorder, the epitaxial structure of the implanted region is still well preserved which is confirmed by Rutherford backscattering channeling spectrometry measurements. The monotonical uniaxial lattice expansion along the a direction (out-of-plane direction) is observed as a function of fluences till 1×10¹⁵ cm^-2, which ceases at the overdose of 5×10¹⁵ cm^-2 due to the partial amorphization in the surface region. Upon raising irradiation dose, a yellow emission in the as-grown sample is gradually quenched, probably due to the irradiation-induced generation of non-radiative recombination centers.     

DFT方法研究木质素单体及二聚体的结构与拉曼光谱

木质素是自然界中第二丰富的天然聚合物,广泛存在于各种陆地植物的木质部中,利用木质素拉曼光谱对植物种类进行快速无损鉴别具有重要的应用价值。但由于木质素大分子构型非常复杂,对其拉曼特征光谱的仿真研究一直存在困难。利用Gaussian16W中包含的B3LYP密度泛函方法结合6-311G(d, p)基组,构建出三种木质素单体及其三种同种木质素单体构成的二聚体以及三种异种木质素单体构成的二聚体,提出了一种利用木质素的三种基本结构单体及其二聚体仿真分析木质素大分子拉曼光谱特征的方法。首先计算了三种单体的基本构型、轨道能级和电子空间分布,并分析了三种木质素单体拉曼光谱和振动模式的特点。随后利用不同组合方式的β-O-4二聚体的光谱谱峰特征,解释了特征谱峰信号位置漂移的成因,提出了判断木质素大分子信号特征的主要依据。研究结果表明,1 712 cm^-1谱峰信号最强且位置稳定,振动归属为碳碳双键伸缩振动,该振动归属引起的特征峰可以作为木质素大分子最主要的信号特征;1 642 cm^-1谱峰信号振动归属为芳香环骨架振动,仅受芳香环甲基数量影响产生劈裂,该振动归属引起的...     

Ⅱ-Ⅵ族化合物原子间两体势的第一性原理研究

本文采用基于第一性原理的Hartree-Fork (HF)方法和密度泛函理论(DFT)计算了CdS、CdSe、CdTe、HgTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物的两体相互作用势,并与实验数据进行了比较.分析了计算中基组对计算结果的影响,以及各种近似方法的优缺点.采用Lennard-Jones势、Born-Mayer势和Morse势函数分别对势能值进行拟合,结果表明采用Morse势拟合的势能曲线与计算结果符合最好,说明普遍应用于共价分子的Morse势也同样适用于对Ⅱ-Ⅵ族二聚体的两体势描述.     

Magnetic Properties and Spin State Transition of Gallium Doped Perovskite Cobaltite Oxide

A series of Ga doping perovskite cobaltite La2/3Sr1/3 （Co1-y Gay）03 （y = 0, 0.1, 0.2, 0.3 and 0.4） are prepared by the standard solid-state reaction method. Their magnetic properties and Co ions spin state transitions are studied. Upon doping, no appreciable structure changes can be found. However, the corresponding Curie temperature sharply decreases and the magnetization is greatly reduced, indicating that Ga doping destroys the ferromagnetic interaction in the system. In addition, the high temperature magnetization data follow the Curie-Weiss law. At least one kind of Co ions （Co^3＋ or Co^4＋） favours the mixed spin state, and most Co ions are at the lower spin state （low and intermediate state）. With increasing Ga content, more Co ions transit to the higher spin state.     

空间调制型全偏振成像系统的图像解调算法修正

空间调制型全偏振成像系统可实现目标全偏振参量的同步探测。现有解调算法仅适用于单色光的探测系统,不适用于复色光的探测系统。通过寻找中心频谱位置获得实际载波频率的方式对偏振解调算法进行了修正。复色光偏振成像实验结果表明:宽波段空间调制型全偏振成像系统通过修正的图像解调算法可以得到中心波长的偏振信息,偏振探测误差小于5%。研究结果为复色光全偏振成像系统的解调算法研究提供了参考。     

基于机器学习的偏振遥感云检测优化算法

偏振遥感经验阈值云检测算法受主观因素影响较强,极易在亮地表上空出现云检测不准确的问题。针对该问题,本文提出了一种主动和被动遥感卫星相结合的机器学习云检测算法。该算法基于POLDER3载荷多通道多角度偏振特性以及CALIOP载荷高精度云垂直特性展开研究,利用POLDER3载荷和CALIOP载荷观测重合区域数据,搭建了粒子群算法优化的BP神经网络训练云检测模型。基于该云检测训练模型,利用POLDER3一级数据开展云检测试验,试验显示该算法云检测结果与MODIS云检测产品一致性为92.46%,高于POLDER3官方云检测产品与MODIS云检测产品的一致性83.13%。通过对比本文算法试验结果与POLDER3官方云检测产品不同的像元的光学特性发现,相比POLDER3官方算法,本算法对于亮地表上空薄云具有更强的敏感性,能更有效地进行云检测。     

新型半金属材料-Cr掺杂纳孔结构AlN的第一性原理研究

采用基于密度泛函的第一性原理,研究纳孔结构AlN的稳定性及Cr掺杂纳孔结构AlN的能带结构、态密度、磁矩等性质.结果表明,纳孔结构AlN具有高于岩盐矿结构AlN的稳定性,并在一定压强条件下可实现纤锌矿AlN到纳孔结构AlN的转变;Cr掺杂纳孔结构AlN后,能带结构和态密度均显示半金属性特征;Al23CrN24和Al22Cr2N24的磁矩分别为3+B、6+B,进一步说明Cr掺杂纳孔结构AlN晶体是半金属铁磁体.     

三元化合物ZnCrS2电子结构和半金属铁磁性的第一性原理研究

以闪锌矿相的ZnS 2×2×1超原胞为基础,通过将其中的Zn用Cr按1∶1配比进行了a和b两种不同位置的替换构造出了三元化合物ZnCrS₂ 理论模型,然后采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势(PWPP)方法分别计算了两种不同模型ZnCrS₂的电子结构和磁学性质. 结果表明,两种模型的ZnCrS₂的铁磁态都比反铁磁态更稳定,均是半金属铁磁体(半金属能隙分别为0.9631 eV和0.7556 eV), 其中a位替换不但具有较大的半金属 关键词： 2')" href="#">ZnCrS₂ 电子结构 半金属铁磁性 第一性原理