首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8402篇
  免费   1384篇
  国内免费   1242篇
化学   6504篇
晶体学   143篇
力学   454篇
综合类   77篇
数学   867篇
物理学   2983篇
  2024年   26篇
  2023年   190篇
  2022年   244篇
  2021年   342篇
  2020年   440篇
  2019年   443篇
  2018年   323篇
  2017年   352篇
  2016年   416篇
  2015年   439篇
  2014年   506篇
  2013年   673篇
  2012年   733篇
  2011年   804篇
  2010年   566篇
  2009年   493篇
  2008年   583篇
  2007年   461篇
  2006年   417篇
  2005年   350篇
  2004年   264篇
  2003年   233篇
  2002年   269篇
  2001年   189篇
  2000年   169篇
  1999年   134篇
  1998年   103篇
  1997年   104篇
  1996年   104篇
  1995年   105篇
  1994年   97篇
  1993年   81篇
  1992年   56篇
  1991年   47篇
  1990年   44篇
  1989年   50篇
  1988年   29篇
  1987年   24篇
  1986年   26篇
  1985年   36篇
  1984年   19篇
  1983年   14篇
  1982年   8篇
  1981年   9篇
  1980年   4篇
  1979年   2篇
  1977年   2篇
  1959年   2篇
  1957年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 337 毫秒
51.
This paper investigates bivariate recursive equations on excess-of-loss reinsurance. For an insurance portfolio, under the assumptions that the individual claim severity distribution has bounded continuous density and the number of claims belongs to R1 (a, b) family, bivariate recursive equations for the joint distribution of the cedent's aggregate claims and the reinsurer's aggregate claims are obtained.  相似文献   
52.
53.
500.8 nmNd∶YAG青光激光器光学薄膜的设计与制备   总被引:5,自引:2,他引:3  
从双波长激光运转及和频的机理出发,对LD泵浦Nd∶YAG,LBO腔内和频500.8 nm〖JP2〗青光激光器所使用的光学薄膜进行了设计和制备.在激光反射镜的设计上,为了达到最佳的和频输出,对膜系要求进行了深入分析.采用对谐振腔一端面反射率固定不变并通过对另一腔镜基频光的透射率进行调谐的方法, 在给出合理初始结构后,利用计算机对膜厚进行了优化.并采用双离子束溅射沉积的方法,通过时间监控膜厚法成功制备出青光激光器所使用的全介质激光反射膜, 在室温下实现946 nm和1064 nm双波长连续运转,并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4 W时和频青光最大输出达20 mW.  相似文献   
54.
3004铝合金“反常”锯齿屈服现象的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
彭开萍  陈文哲  钱匡武 《物理学报》2006,55(7):3569-3575
在应变速率为5.56×10-5s-1—5.56×10-3s-1的范围内,在不同温度下(从223K至773K),对3004铝合金进行系列拉伸试验,探索其锯齿屈服规律;通过激活能的计算、内耗研究、微观组织观察和能谱分析,探讨锯齿屈服的机理与物理本质.结果表明,3004铝合金在形变过程中会出现动态应变时效现象;发现了一种“反常”的锯齿屈服现象:在出现锯齿屈服的温区内,存在锯齿屈服临界应变量转变温度Tt关键词: 动态应变时效 锯齿屈服 铝合金 内耗  相似文献   
55.
从理论的角度分析了绝缘衬底对其上面半导体多晶膜激光熔化再结晶过程的影响, 发现低导热的绝缘层使产生固一液相变的临界激光功率有明显的降低.用喇曼光谱测量了激光再结晶SOI层中的应力. 应力的出现是多晶膜内曾经发生过固一液相的佐证.从这一思想出发, 对LPCVD方法制备的大量SOI 样品进行激光再结晶临界条件的研究, 证明了忽略绝缘层低热导影响的模型不能解释实验结果, 而经过修正的公式则可以较好地拟合实验结果, 关键词:  相似文献   
56.
周小安  钱恭斌  丘水生 《物理学报》2006,55(8):3974-3978
基于混沌信号的统计特性,提出了一种通过改善混沌信号的空间关联性实现混沌控制的方法.以Hénon离散混沌系统和四阶Chua's电路超混沌连续系统为例进行了数值研究,验证了这种控制方法的有效性.结果表明, 通过改善混沌信号之间的空间关联性, 混沌系统能以较快的速度收敛到它的平衡点或多种周期轨道. 关键词: 混沌控制 空间关联性 Hénon系统 四阶Chua's电路  相似文献   
57.
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. 关键词: MOCVD InGaAs/InGaAsP 应变量子阱 分布反馈激光器  相似文献   
58.
超声波声孔效应中气泡动力学的研究   总被引:8,自引:0,他引:8       下载免费PDF全文
陈谦  邹欣晔  程建春 《物理学报》2006,55(12):6476-6481
在超声快速制取组织细胞病理切片的过程中,发现激励信号对切片制取效果有明显的影响.为了掌握超声激励信号对组织细胞的影响规律,达到快速制取病理切片的最佳状态,从气泡空化模型入手,通过改变激励信号频率、声压、气泡初始半径和液体黏滞系数等参量,研究了声孔效应中气泡动力学激励机制.数值计算表明:空化泡振动随激励声压增强而升高,随液体黏滞系数增强而减弱;一定频率范围内空化泡振动能保持在膨胀、收缩和振荡的稳定空化状态,存在空化泡稳态振动的最佳激励频率;一定初始半径能保证空化泡产生稳定的振动,存在空化泡稳态振动幅度最大的初始半径.实际操作中,在频率、声压、初始半径和黏滞系数综合作用的若干空化阈内,声孔效应使超声快速法制取细胞组织切片获得最佳效果. 关键词: 声孔效应 超声空化 气泡振动 稳态空化域  相似文献   
59.
声流现象的研究及其应用   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
钱盛友  王鸿樟  孙福成 《应用声学》1997,16(6):38-42,25
本文从声流产生的机理出发,综合了影响声流的诸因素,介绍了声流现象的检测方法及声流效应的应用。  相似文献   
60.
Large-scale preparation of thin strain-relaxed SiGe is achieved by combining ion implantation and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. The resulting materials were analyzed by double crystal X-ray diffraction, micro-Raman spectroscopy, and tapping mode atomic force microscope. Results revealed that 100-nm-thick Si0.7Ge0.3 layers with the diameter of 125 mm and full strain relaxation are successfully prepared by pre-modifying the Si substrates using 50 keV Ar+ ions. The strain relaxation is also disclosed to change with both ion species and energy. However, post-modification of SiGe by ion implantation will cause serious damage to the crystal structures, and result in the formation of poly-crystal SiGe.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号