Controlling quantum coherence of atom laser by light with strong strength

A new method for controlling the quantum coherence of atom laser by applying input light with strong strength is presented within the framework of quantum dynamical theory. Unlike the case of rotating wave approximation(RWA), we show that the non-classical properties, such as sub-Poisson distribution and quadrature squeezed effect, can appear in the output atom laser beam with time. By choosing suitable initial RF phase, a steady and brighter output of squeezed coherent atom laser is also available.     

〈111〉晶向冲击加载下单晶铜中纳米孔洞增长的早期动力学行为

利用分子动力学方法模拟计算了单晶铜中纳米孔洞在沿〈111〉晶向冲击加载下增长的早期过程.测量发现不同加载强度下等效孔洞半径随时间近似成线性变化.观测到单孔洞增长的两种位错生长机理：加载强度较低时，只在沿着冲击加载方向的孔洞顶点附近区域有位错的成核和运动；而随着加载强度超过一定阈值，在沿冲击加载和其垂直方向的孔洞顶点区域都观察到位错的成核和运动.在前一种机理作用下，孔洞只沿加载方向增长；在后一种机理作用下，孔洞同时沿加载和垂直于加载方向增长.分析孔洞表面原子的位移历史，发现沿加载及与其垂直方向的孔洞顶点沿径向的速度基本恒定，由此提出了一个孔洞生长模型，可以解释孔洞增长的线性生长规律. 关键词： 纳米孔洞 分子动力学 冲击加载 位错     

激光除冰研究

架空输送电线路因覆冰而导致的事故危害性很大,本文总结了目前国内外输电线路导线覆冰的现状。统计国内外探索出来的各种预防,融化,除冰等很多解决方案。通过研究和探讨,分析导线覆冰的传热和能量,运用了多种激光器进行激光熔(除)冰实验,比较研究二氧化碳激光器的除冰情况。以及提出激光熔冰的方法、研究方向和前景。     

单轴分布式光纤传感器管线泄漏探测方法及定位理论分析

利用Sagnac干涉原理的分布式光纤传感器是一种可用于长途油气管线侵入、泄漏探测和定位的新技术.为了克服屏蔽和隔离Sagnac光纤环中未用作传感的那一半光纤所带来的屏蔽困难、成本增加等问题，提出一种单轴分布式光纤传感器的方法.其原理是利用一条光纤代替光纤环，并在光纤尾端设置法拉第旋转镜，构成偏振无关Sagnac干涉仪探测和定位管线泄漏.文中详细分析和讨论了该方法的系统光路和探测定位原理.     

可重构制造系统重组过程中设备选择模型的研究

根据生产任务选择加工设备进行制造资源重组是实现可重构制造系统的关键问题之一，由于设备的选择涉及到多种因素，既有定量指标，又有定性指标，传统的依靠人工经验的方法显得力不从心。本文首先结合实际情况，提出了一套设备选择评价体系，通过对模糊判断矩阵采用最小对数二乘法确定各评价因素的权重系数，针对定性指标和定量指标采用不同的方法确定其性能指标值，通过模糊积分对评判指标进行综合评判，最后进行了实例研究。所提出的方法有效地简化了决策过程，为可重构制造系统设备选择提供了一套行之有效的方法。     

蕴涵代数与BCK代数

系统研究 Fuzzy蕴涵代数与 BCK代数之间的关系 ,给出 MV代数与 BCK代数之间的联系 ,建立正则 FI代数和对合 BCK代数的对偶代数     

SEPARATING SCN~- FROM DESULPHURIZATION WASTE SOLUTION OF COCKING PLANT BY D241 RESIN

1. INTRODUCTION In the process of coking plant, about 30%~35% sulfur is transformed to H2S and some other sulfide, which form impurity in coal gas together with NH3 and HCN. Only 0.1% H2S containing in air can lead to die, so it is very important to carry on desulphurization and decyanation with coal gas [1~3]. Currently desulphurization and decyanation craft technique have Dry Oxidation Technology, Wet Oxidation Technology and Liquid Absorption Technology [2] three main kinds. The…     

双色激光场中1维共线氢分子离子的经典动力学研究

 运用经典理论方法，并采用辛算法数值求解了双色激光场作用下1维共线氢分子离子(H₂⁺)的哈密顿正则方程，得到了氢分子离子在激光场下的经典轨迹。计算了单色场和双色场下氢分子离子(H₂⁺)的存活几率、电离几率、解离几率、库仑爆炸几率随时间的演化，分析了双色场的相位、强度、强度比及倍频的变化对氢分子离子动力学行为的影响,并给出了相应的物理解释。     

基于远场的拼接光栅压缩池的设计

 利用傅里叶光学方法得到了失调拼接光栅压缩池输出光束的远场振幅表达式，建立了分析拼接光栅的各种误差的理论模型，得到了拼接误差对脉冲的影响是附加相位延迟和角度偏转。在要求远场的一倍衍射极限区域的积分能量分布达到理想情况下的90％的条件下，对于含有口径为40 cm、脉宽为0.1~10 ps脉冲的系统进行分析并分别得到了各种误差的容限。     

Oxidation process of SiGe on SOI substrates

The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer moved to Si/SiO₂ interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM).