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991.
992.
针对CH4在熔融碳酸盐中转化的新体系,研究了CH4在熔融碳酸盐介质中的还原行为.对CH4与熔融碳酸盐(Li2CO3、Na2CO,、K2CO3)的反应产物组分作了热力学分析,进行了实验研究,并对反应机制进行民探讨,研究结果表明,气体产物中CO、CO2的含量随反应温度的升高而增加;随反应时间的增加而降低;反应活性大小变化规律为:Li2CO3>Na2CO3>K2CO3,实验结果与理论分析相符.混合熔融盐具有更高的CO选择性,并且气体产物中CO、CO2浓度及CH4转化率随反应时间增加降低较快,较纯组分更适合作CH4转化反应介质.反应机制的推测表明H2、CO、CO2的产生分别来自于CH4裂解及裂解C与熔融碱金属碳酸盐的反应. 相似文献
993.
将聚对苯二甲酸乙二醇酯[Poly(ethylene terephthalate), PET]材料置于氨气气氛中, 利用激光光子同时激发材料表面及氨气形成自由基, 用激光引发反应并促进氨基在材料表面的接枝. 改性后的测试结果表明, 材料表面粗糙度没有显著变化, 但水接触角的减小表明表面化学结构发生了某种变化. 傅里叶变换红外光谱(FTIR/ATR)图谱在3352和1613 cm-1处出现了新的氨基吸收峰, 证实了表面接枝了氨基. 同时X射线光电子能谱(XPS)也证明了材料表面C—N键的存在, 其C1s结合能为285.5 eV, N1s为398.9 eV. 飞行时间二次离子质谱(Tof-SIMS)也检测到含氨基的分子碎片, 其碎片成像图显示接枝仅发生在激光辐照部位. 实验结果表明, 激光能在生物材料表面进行局部区域的选择性接枝. 相似文献
994.
提出了一种在无水丙酮体系中, 采用KMnO4选择性氧化芳环上醛基的新方法. 运用此法, 氧化烷基多环苯酰氧基苯甲醛制备相应的苯甲酸. 采用循环伏安法研究了KMnO4在丙酮体系中的氧化活性, 利用红外光谱探讨了氧化反应的机理, 产物结构用IR, MS, 1H NMR及元素分析表征. 结果表明, 在无水丙酮体系中, KMnO4的氧化活性明显降低, 可以在芳环上同时存在烷基和醛基时, 选择性氧化醛基, 选择性达100%. 经正交试验确定反应最佳条件为高锰酸钾用量为原料的2倍, 反应时间4 h, 酸解时间1.5 h, 产率94%. 通过对结构类似化合物的合成, 表明该法具有一定的普遍性. 相似文献
995.
996.
Nine novel triazole compounds containing ester group were designed and synthesized. Their structures were confirmed by elemental, ^1H NMR and IR analyses, and optimized by means of DFF (Density Functional Theory) method at the B3LYP/6-31G* level. Based on the quantum-chemical calculation results and the Pearson coefficients between FA and quantum- chemical parameters, V, LogP, MR and EHOMO are shown to be the important relative factors which affect FA of the title compounds. 相似文献
997.
The reaction of pyridine-2,5-dicarboxylic acid with Sc2O3 under hydrothermal con- dition yields a new complex [Sc(μ-OH)(2,5-pydc)(H2O)]n 1 which has a chain structure based on homodinuclear scandium units. Crystal data for 1: space group P^-1, a = 6.7192(13), b = 7.6131(13), c = 8.9313(14) A, α = 95.976(6), β = 101.663(6), γ = 108.151(5)^o, V= 418.26(13) A^3, Z = 2, Dc = 1.946 g/cm^3, g = 0.889 mm^-1, F(000) = 248, C7H6NO6Sc, Mr = 245.09, the final R = 0.0429 and wR = 0.1086. 相似文献
998.
Reaction of 8-hydroxyquinoline (HQ) with Pb(NO3)2 in water resulted in the formation of a tetranuclear complex [Pb4(HQ)6(NO3)2] 1. It has been characterized by IR, elemental analyses and X-ray diffraction. Crystal data for this complex: triclinic system, space group P1, a = 9.7399(6), b = 11.6535(8), c = 12.6806(8) A, α = 62.8050(10), β = 78.4910(10), γ = 80.5490(10)°, C54H36N8O12Pb4, Mr= 1817.67, Z = 1, V = 1250.04(14)A^3, Dc = 2.415 g/cm^3,μ = 13.503 mm^-1, -12≤h≤8, -14≤k≤13, -15≤1≤15, F(000) = 840, Rint = 0.0217, R= 0.0348 and wR = 0.0927. X-ray crystal structure analysis revealed that in 1 each Pb( II ) contains a stereo- chemically active lone pair of electrons. The Pb…C interaction, C-H……O weak interaction and π…π stacking interactions are observed in the complex. In the solid state, the complex possesses strong photoluminescent emission at 485 and 528 nm. 相似文献
999.
半导体光催化制氢是一种可实现持续制备和储存氢气的绿色技术.石墨相氮化碳(g-C3N4)是研究广泛的光催化剂,但其仍存在光利用率低、光生电子和空穴易复合等问题,制约着光催化产氢的性能.利用给电子卟啉修饰g-C3N4,构建了四(4-羧基)苯基卟啉(TCPP)以共价/非共价方式修饰g-C3N4的催化剂.卟啉共价修饰g-C3N4(gC3N4-TCPP0.1)及非共价复合结构(TCPP0.1/g-C3N4)光催化产氢速率分别为6 997和5 399μmol·g-1·h-1,较g-C3N4分别提高了53%和18%. TCPPx/g-C3N4异质结加强了界面接触,促进了电荷转移,增强了可见光吸收能力,进而提高了光催化制氢性能. g-C3N4-TCPPx中, TCPP的接枝拓展了共轭结构,优化了电子结构,增大了分子偶极,促进了电荷分离,共价桥键为电荷传输提供了通道. 相似文献
1000.
ZHAO Jinjin LI Wei WANG Xuechen WEI Xiao ZHU Huiwen QU Wenshan MEN Dandan GAO Zhixiang WEI Bin GAO Hanfei WU Yuchen 《高等学校化学研究》2023,39(1):121-126
Organic memristors with low power consumption, fast write/erasure speed, and complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) compatibility have attracted tremendous attention to mimic biological synapses to realize neuromorphic computation in recent years. In this paper, organic resistive switching memory(ORSM) based on (Z)-3-(naphthalen-2-yl)-2-(4-nitrophenyl)acrylonitrile(NNA) and polymer poly(N-vinylcarbazole)(PVK) composite film was prepared by spin-coating method. Device performance based on NNA:PVK composite films with different mass fractions of NNA were systematically investigated. The ORSM based on PVK:40%(mass fraction) NNA composite film exhibited non-volatile and bipolar memory properties with a switching ratio(Ion/Ioff) of 24.1, endurance of 68 times and retention time of 104 s, a “SET” voltage(Vset) of -0.55 V and a “RESET” voltage(Vreset) of 2.35 V. The resistive switching was ascribed to the filling and vacant process of the charge traps induced by NNA and the inherent traps in PVK bulk. The holes trapping and de-trapping process occurred when the device was applied with a negative or positive bias, which caused the transforming of the conductive way of charges, that is the resistive behaviors in the macroscopic. This study provides a promising platform for the fabrication of ORSM with high performance. 相似文献