凸域内弦的平均长度

本文研究了凸域内弦的平均长度.通过广义支持函数与凸域的弦幂积分,建立了凸域内弦的平均长度的一般公式,并用此公式得出了圆域和矩形域内弦的平均长度.     

HL-2Aƫ�����ṹ���켰�ȸ��ɷ���

根据HL-2A装置改造的初步方案,选择优化的偏滤器位形所决定的参数,设计出可采取的偏滤器结构及水冷方式。外靶板和拱顶板上采用双剪切连接件和环向水路具有极向水流的冷却方式。通过ANSYS编码对靶板的热负荷进行分析,结果表明这样的冷却方式在降低流速要求的条件下可以提高靶板表面承载能力。     

基于痕量联苯胺阻尼作用的荧光光度分析

在HCl介质中，联苯胺的存在对KBrO3氧化吡咯红反应有抑制作用，据此建立了测定痕量联苯胺的荧光动力学新方法。对方法的介质条件、试剂用量、干扰物质影响进行了系统研究。在最佳实验条件下，方法的线性范围为30～400ng／mL，检出限为14．4ng／mL，对11份浓度为80ng／mL，300ng／mL的联苯胺标准溶液进行平行测定，相对标准偏差分别为2．1％和1．2％。本法用于塑料和雨水中联苯胺的测定，回收率为97．8％～102．1％。     

一类不确定混沌系统的观测器同步

基于降维观测器的方法实现了一类具有外部扰动的混沌系统的同步. 无需知道系统外部扰动项的任何信息，就可对驱动系统设计基于降维观测器的响应系统，从而实现了混沌系统的同步. 数值仿真表明该方法是有效的. 关键词： 混沌同步 混沌系统 观测器     

氢离子与碳膜相互作用的实验研究

此文报道了H+、H+2和H+3离子通过碳膜后,在其中产生的各种微量产物的测量结果.讨论了离子与碳膜作用中的电荷交换过程.分析了这些微量产物的形成机理.实验证明在产物的形成中电荷交换过程起关键作用.研究了离子与碳膜作用中的团簇效应和尾流效应.     

聚异丁烯高活性端基含量及相对分子质量测定方法的研究

综合使用核磁，VPO和近红外光谱分析技术对聚异丁烯活性端基含量以及相对分子质量的测定进行了详细研究，分别建立核测定聚异丁烯活性端基含量以及其他烯键含量和近红外光谱快速测量聚异聚丁烯活性端基含量。其他烯键含量和相对分子质量的分析方法。成对t检验结果表明，近红外光谱分析方法测定结果与核磁和VPO方法测定结果之间无显著性差异。     

掺钕钆镓石榴石激光陶瓷粉体的研究

优质的纳米前驱体是生成良好透明陶瓷的关键。采用Sol-gel法制得颗粒均匀、粒度小、无团聚、分散性好的Nd:GGG激光陶瓷前驱粉体。对透明陶瓷前驱体进行测试XRD分析,与标准JCPDS卡片对比表明样品属于立方晶系,空间群Ia3d,晶格常数为:A=123.7nm。粉体的最佳烧成温度为1000℃,煅烧时间8h。SEM观察发现,样品纯度高、单分散、颗粒均匀且近似球形,符合制备透明陶瓷的粉体要求。     

位相物体激光全息二次曝光法无损检测

为借助激光全息进行无损检测，获得位相物体的信息，对位相物体激光全息二次曝光法无损检测进行了研究，指出一般的二次曝光法测位相物体典型光路的缺点，提出了物光波2次通过样品的改进方案。利用此方案对一些位相物体(如普通玻璃和有机玻璃)作了无损检测实验，得到了较满意的实验结果。与普通检测方法相比，该方法具有精度高、结果直接可靠、不损伤物体等诸多优点。对改进方案稍作改动，即可用于塑料制品和玻璃制品生产线对加工产品进行在线产品质量监控。     

射频磁控溅射法制备薄膜电池电极的计算机模拟初步

计算机模拟仿真射频磁控溅射实验制备薄膜及离于电池电极,研究了在特定实验条件下薄膜的生长过程,并分析了影响薄膜生长的部分因素。     

Influence of fluoride on f-f transitions of Eu in LiEuM2O8 (M=Mo, W)

The influence of fluoride on the luminescence of LiEuM₂O₈ (M=Mo, W) was studied. LiEuMo₂O₈ and LiEuW₂O₈ formed the whole range of solid solutions, which emitted intense red luminescence under the excitations by 395, 465 and 535 nm wavelengths. When doped with fluoride, the materials also formed solid solutions and the luminescent intensity was remarkably enhanced. The phosphor with optimized compositions in this system would be a promising red component for solid-state lighting devices based on GaN light-emitting diodes.