六束激光对称辐照微球靶研究

本文报道六束毫微秒脉宽激光对称辐照(CD₂)_n微球靶研究所取得的结果。 关键词：     

离线γ技术测量重离子熔合复合核平均角动量

使用离线γ测量技术在质心系25.0—40.5MeV的能区测量了¹²C+⁹³Nb熔合反应产生的二中子和三中子蒸发道的激发函数。由于在相同的激发能下,蒸发道的相对截面比与复合核的角动量有很强的依赖关系,应用统计蒸发程序(CASCADE),从二中子和三中子蒸发道的截面中提取不同能量下的复合核平均角动量和熔合截面。同时从能很好地拟合熔合激发函数的简单耦合道模型(CCFUS)计算中提取复合核的平均角动量。两种方法得到的复合核平均角动量随入射能量的变化相自洽,表明耦合道模型 关键词：     

半导体的CO2激光退火和合金化

本文主要研究连续CO₂激光对半导体的照射效应。实验结果与理论分析说明,用连续CO₂激光照射可将半导体样片加热到所需的温度。与其它短波长的激光不同,波长为10.6μm的连续CO₂激光照射半导体有如下特点:CO₂激光是借助于自由载流子吸收与半导体耦合;样片在深度方向被均匀加热;激光背面照射可以增强退火效果。连续CO₂激光照射可以固相外延再生长的方式使As离子注入Si的损伤层退火恢复。在再生长的过程中注入的As离子进入替位,电激活率很高,而且不发生杂质再分布。将连续CO₂激光背面照射成功地应用于GaAsFET制备欧姆接触,既可避免激光正面照射对器件结构的破坏,又能得到比热退火为好的电学性能。 关键词：     

二甲亚砜硝酸钇的晶体结构

二甲亚砜硝酸钇Y(NO₃)₃·3DMSO晶体属单斜晶系,a=13.604(4)?,b=12.669(4)?, c=11.554(2)?, β=100.14(4)°,z=4。空间群为P2₁/n。用PW-1100四圆衍射仪收集强度数据,独立衍射点数为3615个。结构已用重原子法解出,用全矩阵和方块对角矩阵最小二乘方法修正结构参数,最后R因子为0.080。结构分析结果表明,围绕着钇离子的九个氧构成稍歪扭的“三帽三方棱柱”配位多面体。钇和配位氧之间 关键词：     

激光加热微管靶反激光方向二次谐波时空分辨结构

本文报道了高功率激光加热微管靶,从入射激光的反方向观察二次谐波的时空分辨结构,分析了激光与微管靶的相互耦合过程.在激光与等离子体细丝相互作用的理论基础上,解释了微管区域内反激光方向二次谐波辐射的特殊现象.     

Fe-Cr-Co永磁合金的高温X射线衍射研究

本文用高温X射线粉末衍射法研究了成分为(重量百分比)62Fe-23Cr-15Co的可加工永磁合金热处理条件与晶体结构的关系。对高温淬火后只经过时效的样品,以及经过淬火、磁场热处理和时效的样品摄取了高温德拜·谢乐相,观察了高温相变的差异,测量了时效样品点阵常数随温度的变化。我们发现:只经过淬火和时效的样品在610℃左右出现一新的过渡相(X相)。 关键词：     

有限长正方形柱导体电容值的一个新的计算法

自由空间孤立导体的电容的计算新近受到了重视,因为这个计算是多电极系统的电极间互电容计算的第一步。本文提出采用混合的外接及内接曲面的方法来求得待计算导体电容的上限及下限,这个方法用在特殊截面同轴线特性阻抗的问题上收到了较好的效果。 试取图1中所示的有限长正方柱的自由空间的电容问题。文献[2]中已出现用外接及内接旋转长椭球曲面给出的此电容值粗的下限及上限。显然,如以一同长度的内接圆柱体的电容作为这个正方形柱的电容的下限,即可得到一个较大的下限。计算指出,如     

YAP:Nd晶体激光跃迁截面的性质和在激光器中的一些新应用

计算了YAP:Nd晶体激光跃迁截面,任意椭圆偏振光的跃迁截面由三个参数确定。实验证实了计算的结果,并且用来得到波长可变的激光器。讨论了传输矩阵为U矩阵的两种激光器结构,计算了本征模式的偏振和频率,实验和理论基本符合。它们可以用来得到较大输出能量的单纵模激光器和激光器的新的调制方法。 关键词：     

锑化铟的热处理

本文叙述N型InSb单晶和含有大晶粒的双晶样品(n～1.23×10¹⁴—2.40×10¹⁵cm^-3,μ_e～5.15×10⁵cm²/V·sec—2.10×10⁵cm²/V·sec),在500℃下、不同气氛中进行热处理产生受主,引起热转换,而整块地变为P型样品,当继续热处理使温度达到熔点以上时,这种P型样品中的热受主消失了,而转变回到原来的N型样品;若把这种N型样品再在500℃下进行热处理,则它又整块地变为P型样品。我们对这一新发现的过程进行了一些研究,发现这种现象与材料的不同制备条件和热处理时的环境气氛不同有关,并对不同气氛下的循环热转换过程和熔化效应作了论述。在500℃下进行热处理所引起的热受主浓度与热处理时间的关系中,发现在热处理起始的一段时间内,热受主形成速率较大;随着热处理时间的增加,热受主浓度达到一个饱和值;若再加长热处理时间,则热受主浓度开始下降,这现象与硅的热处理现象相似。根据实验得到的新结果进行分析,认为这种热处理现象不象是外来因素的影响所引起的,而是一种原来存在于InSb中的内在因素所起的作用,推测可能是与氧和氢有关。最后我们对解释这种热处理现象的可能的机理进行了探讨。     

我国医药卫生事业成就不容抹煞——批判安东尼奥尼拍摄的题为《中国》的反华影片

意大利导演安东尼奥尼在他拍摄的题为《中国》的反华影片中,竭力丑化我们的社会主义祖国,丑化我国人民,还恶毒攻击了我国的医药卫生事业。作为新中国的医务工作者,我们对此感到极大愤慨! 这部反华影片在谈到我国医药卫生事业的时候,竟然说什么“针灸和草药是一种可怜的医学的起码基础”,并用十分卑劣的手法,硬是要把我国的医药卫生事业描绘成十分“可怜”和原始的样子。