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Jin Sun Yihu Song Qiang Zheng Hong Tan Jie Yu Hong Li 《Journal of Polymer Science.Polymer Physics》2007,45(18):2594-2602
The reinforcement and nonlinear viscoelastic behavior have been investigated for silica (SiO2) filled solution‐polymerized styrene butadiene rubber (SSBR). Experimental results reveal that the nonlinear viscoelastic behavior of the filled rubber is similar to that of unfilled SSBR, which is inconsistent with the general concept that this characteristic comes from the breakdown and reformation of the filler network. It is interesting that the curves of either dynamic storage modulus (G′) or loss tangent (tan δ) versus strain amplitude (γ) for the filled rubber can be superposed, respectively, on those for the unfilled one, suggesting that the primary mechanism for the Payne effect is mainly involved in the nature of the entanglement network in rubbery matrix. It is believed there exists a cooperation between the breakdown and reformation of the filler network and the molecular disentanglement, resulting in enhancing the Payne effect and improving the mechanical hysteresis at high strain amplitudes. Moreover, the vertical and the horizontal shift factors for constructing the master curves could be well understood on the basis of the reinforcement factor f(φ) and the strain amplification factor A(φ), respectively. The surface modification of SiO2 causes a decrease in f(φ), which is ascribed to weakeness of the filler–filler interaction and improvement of the filler dispersion. However, the surface nature of SiO2 hardly affects A(φ). © 2007 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 45: 2594‐2602, 2007 相似文献
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流通池—介质交换—阳极溶出伏安法同时测定铜,锑,铋 总被引:4,自引:1,他引:3
本文研究了同时测定Cu(Ⅱ)Sb(Ⅲ)Bi(Ⅲ)的方法。在盐酸溶液中对Cu(Ⅱ),Sb(Ⅲ),Bi(Ⅲ)进行预电解富集,经介质交换在选定的丙二酸-盐酸溶液中进行了差示脉冲阳极溶出伏安法(DPASV)测定,相邻溶出峰的△Fp>80mV,波形完好。 相似文献
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HBTMPTP与伯胺N1923对稀土元素(Ⅲ)的协同萃取 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了二(2,4,4-三甲基戊基)单硫代膦酸(HBTMPTP,HL)和伯胺N1923的正己烷溶液从硫酸介质中对稀土元素(Ⅲ)的协同萃取.并以La(Ⅲ)为例,用斜率法、恒摩尔法和饱和法确定了协萃配合物的组成为(RNH3)3L2La(SO4)2,计算了协萃配合物的生成常数及热力学函数,观测了协萃配合物的IR谱. 相似文献
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Multiple-State Storage Capability of Stacked Chalcogenide Films (Si16Sb33Te51/Si4Sb45Te51/Si11Sb39Te50) for Phase Change Memory 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
The multiple-state storage capability of phase change memory (PCM) is confirmed by using stacked chalcogenide films as the storage medium. The current-voltage characteristics and the resistance-current characteristics of the PCM clearly indicate that four states can be stored in this stacked film structure. Qualitative analysis indicates that the multiple-state storage capability of this stacked film structure is due to successive crystallizations in different Si-Sb-Te layers triggered by different amplitude currents. 相似文献
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