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71.
单重态氧O2 (a1Δg)是迄今唯一能用纯化学反应高效产生的具有长寿命的亚稳激发态分子 .为了考察提出的用两个O2 (1Δ)能量汇集反应生成氧第二单重激发态O2 (b1Σ+ g)以实现近可见短波长化学激光方案的现实性 ,设计和实验了一个氯流量为 3~ 10mmol/s的射流式单重态氧发生器 (JSOG) .考察了三种具有不同孔径和孔数目的喷头、氯气流量和脱水冷阱温度等对JSOG出口的O2 (1Δ)浓度、O2 (1Δ)分压、氯利用率及水蒸气含量的影响 .发现用聚氯乙烯管作冷阱时 ,最佳冷阱介质温度为 - 140~ - 15 0℃ ,对此提出了O2 (1Δ)表面脱活与脱水互相竞争的解释 .在最佳条件下 ,可将O2 (1Δ)气中水分压降低至 4Pa ,这一结果是首次报导 相似文献
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当s∈ R,0,〈q, p〈∈∞,0,〈β≤∞且 max{-n/q,-nδ2/qδ1}〈a时,定义了加权Herz—type Triebel-Lizorkin空间kq^q,pF^s β(R^n,ω1,ω2)和Kq^a,pF^sβ(R^n,ω1,ω2),并给出这些空间的一些特征及在这些空间上的Hard—Littlewood极大算子不等式. 相似文献
74.
第一讲中子散射与散裂中子源 总被引:1,自引:0,他引:1
中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域. 相似文献
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We prove that, for any given vertex ν* in a series-parallel graph G, its edge set can be partitioned into κ = min{κ′(G) + 1, δ(G)} subsets such that each subset covers all the vertices of G possibly except for ν*, where δ(G) is the minimum degree of G and κ′(G) is the edge-connectivity of G. In addition, we show that the results in this paper are best possible and a polynomial time algorithm can be obtained for
actually finding such a partition by our proof. 相似文献
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Baowei Qiao Jie Feng Yun Ling Ting’ao Tang Bomy Chen 《Applied Surface Science》2006,252(24):8404-8409
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory. 相似文献