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Guangrui Chen Yuxing Yan Dr. Jie Wang Prof. Yong Sik Ok Guiyuan Zhong Prof. Bu Yuan Guan Prof. Yusuke Yamauchi 《Angewandte Chemie (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)》2020,132(44):19831-19836
Mesoporous core–shell nanostructures with controllable ultra-large open channels in their nanoshells are of great interest. However, soft template-directed cooperative assembly to mesoporous nanoshells with highly accessible pores larger than 30 nm, or even above 50 nm into macroporous range, remains a significant challenge. Herein we report a general approach for precisely tailored coating of hierarchically macro-/mesoporous polymer and carbon shells, possessing highly accessible radial channels with extremely wide pore size distribution from ca. 10 nm to ca. 200 nm, on diverse functional materials. This strategy creates opportunities to tailor the interfacial assembly of irregular mesostructured nanounits on core materials and generate various core–shell nanomaterials with controllable pore architectures. The obtained Fe,N-doped macro-/mesoporous carbon nanoshells show enhanced electrochemical performance for the oxygen reduction reaction in alkaline condition. 相似文献
33.
The sunset diagram of λφ4 theory is evaluated numerically in cutoff scheme and a nonzero finite term(in accordance with dimensional regularization (DR) result) is found in contrast to published calculations. This findingdramatically reduces the critical couplings for symmetry breaking in the two-loop effective potential discussed in ourprevious work. 相似文献
34.
35.
矩阵方程A^TXB=C的正定和半正定解 总被引:5,自引:1,他引:4
何楚宁 《高校应用数学学报(A辑)》1997,(4):475-480
给出了矩阵方程A^TXB=C在正定和半正定矩阵类中有解的充要条件及解的一般表达式。 相似文献
36.
37.
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
38.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
39.
High index of refraction via quantum interference in a three-level system of Er^3+-doped yttrium aluminium garnet crystal 下载免费PDF全文
A simple three-level system is proposed to produce high index of refraction with zero absorption in an Er^3+-doped yttrium aluminium garnet (YAG) crystal, which is achieved for a probe field between the excited state 4I13/2 and ground state 4I15/2 by adjusting a strong coherent driving field between the upper excited state 4I11/2 and 4I15/2. It is found that the changes of the frequency of the coherent driving field and the concentration of Er^3+ ions in the YAG crystal can maximize the index of refraction accompanied by vanishing absorption. This result could be useful for the dispersion compensation in fibre communication, laser particle acceleration, high precision magnetometry and so on. 相似文献
40.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献