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In this paper, we consider a viscoelastic wave equation of variable coefficients in the presence of past history with nonlinear damping and delay in the internal feedback and dynamic boundary conditions. Under suitable assumptions, we establish an explicit and general decay rate result without imposing restrictive assumption on the behavior of the relaxation function at infinity by Riemannian geometry method and Lyapunov functional method. 相似文献
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1引言CPL(毛细泵两相流回路)能传输较高的热负荷,而且不需要循环泵、阀门等运动部件,重量轻可靠性好;在飞行器热控制方面有很好的应用前景[1]。CPL在恶劣的空间环境中运行,需要防止工作介质出现冷冻,为此,我们已经用解析[2]和数值的方法[3]进行了初步的分析,得到了一些可供工程设计参考应用的结果。另外,在恶劣的空间环境中,如果出现冻结,需要融化起动,热管的安全设计需要研究它的融化特性,以确保热管在空间能正常运行。双倒易边界元方法用Laplace基本解[4],通过对一类偏微分方程两侧进行转化,将它全部转化为纯边界积分… 相似文献
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25.
根据生产任务选择加工设备进行制造资源重组是实现可重构制造系统的关键问题之一,由于设备的选择涉及到多种因素,既有定量指标,又有定性指标,传统的依靠人工经验的方法显得力不从心。本文首先结合实际情况,提出了一套设备选择评价体系,通过对模糊判断矩阵采用最小对数二乘法确定各评价因素的权重系数,针对定性指标和定量指标采用不同的方法确定其性能指标值,通过模糊积分对评判指标进行综合评判,最后进行了实例研究。所提出的方法有效地简化了决策过程,为可重构制造系统设备选择提供了一套行之有效的方法。 相似文献
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CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 相似文献
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许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究.本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的QuenchingFactor.在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号.实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quench ingFactor随着反冲核能量的减少而增加.在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的. 相似文献
29.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.
关键词:
非弹性中子散射
填充式方钴矿
近藤绝缘体 相似文献
30.
曾六川 《数学物理学报(A辑)》2002,22(1):99-106
该文研究Banach空间中一类强增生型变分包含解的存在性及其具误差的Ishikawa迭代程序的收敛性问题.该文结果是几位作者早期与最近的相应结果的改进和推广. 相似文献