双向分束角对称的偏光分束镜设计与性能分析

为了获得分束角对称的偏光分束棱镜，在双Wollaston棱镜结构的基础上，通过合理设计棱镜左右两端晶体光轴的取向，使棱镜整体呈中心切面对称；在保证对正向入射的光对称分束的同时，对反向入射光同样可以对称分束，达到了双向对称分束的目的；在此基础上给出了晶体光轴的旋转角δ与棱镜结构角S以及与波长的关系；并分析了对633 nm设计的棱镜用于其他波长时分束角的对称性.结果表明：在±300 nm的光谱范围内，分束角的不对称度均小于0.24°.     

Nd(Fe,Si)11Cx化合物的全电子计算(x=0,2)

采用基于第一原理的全势能线性缀加平面波加局域轨道((L)APW lo)方法对Nd(Fe,Si)11Cx化合物(x=0,2)的电子结构进行了计算,得到了化合物态密度和磁矩等信息.计算结果表明NdFe9Si2化合物中Si原子主要与4b和32i位Fe原子产生杂化,导致Fe原子磁矩减小.NdFe9Si2C2化合物C原子使32i位Fe原子磁矩进一步降低,同时减弱了Si原子的影响,使得4b位Fe原子磁矩增大.     

8β-hydroxyeremophil-7(11)-ene-12,8α(4β,6α)-diolide分子的晶体结构

运用层析法、结晶法从狭苞橐吾全草中分离得到艾里莫芬烷型倍半萜8β-hydroxyeremophil-7(11)-ene-12,8α(4β,6α)-diolide化合物,并通过质谱、核磁共振氢谱和碳谱、氢核-氢核相关谱、异核多量子相干谱和异核多键相干谱进行结构鉴定．其单晶经X射线衍射测试表明,其晶体属正交晶系,空间群为P212121,晶胞参数为: a=6．8519(5),b=10．7191(8),c=18．5942(14)A,V=1365．67(18) A3,Z=4,Dc=1．354 mg／m3．F(000)=592,μ=0．101 mm-1     

时间分辨光子计数系统的研究和应用

对由SPCM-AQR-14和MCS组成的时间分辨光子计数系统进行了研究,分析了SPCM和MCS的工作原理及主要特性.利用该系统对磷光物质和洋葱的延迟发光进行了测量,对它们的光子计数率曲线进行拟合,发现其光强衰减符合双曲线规律.     

Oxidation process of SiGe on SOI substrates

The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer moved to Si/SiO₂ interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM).     

DUAL FUNCTIONALS OF SAID-BEZIER TYPE GENERALIZED BALL BASES OVER TRIANGLE DOMAIN AND THEIR APPLICATION

A family of Said-Bézier type generalized Ball (SBGB) bases and surfaces with a parameter H over triangular domain is introduced, which unifies Bézier surface and Said-Ball surface and includes several intermediate surfaces. To convert different bases and surfaces, the dual functionals of bases are presented. As an application of dual functionals, the subdivision formulas for surfaces are established.     

Can Millimeter Waves Generate Electroporation?

Analysis of the field distributions in a single biological cell under electromagnetic wave is given. With Debye approximation, the dielectric relaxation of each part of the cell, including the extracellular and cellular media, the cell membrane and the nuclear membrane, was taken into account. Making use of some typical parameters for a cell, the voltage across nuclear and cytoplasma membranes under electromagnetic waves are calculated up to millimeter wave frequency range. The calculated result indicates that it is unlikely to generate electroporation by present available millimeter wave sources.     

利用微悬臂梁表面应力研究聚N-异丙基丙烯酰胺分子的构象转变

提出了一种基于微悬臂梁传感技术研究大分子折叠/构象转变的新方法.通过分子自组装的方法将热敏性的聚N-异丙基丙烯酰胺(PNIPAM)分子链修饰到微悬臂梁的单侧表面,用光杠杆技术检测温度在20-40 ℃之间变化时由于微悬臂梁上的PNIPAM分子在水中的构象转变所引起的微悬臂梁变形.实验结果显示:在升温过程中,微悬臂梁的表面应力发生了变化并且导致微悬臂梁产生了弯曲变形,这个过程对应着微悬臂梁上的PNIPAM分子从无规线团构象到塌缩小球构象的构象转变.在降温过程中,微悬臂梁发生了反方向的弯曲变形,这对应着PNIPAM分子从塌缩小球构象向无规线团构象的构象转变.整个温度变化过程中构象转变是连续进行的,而在低临界溶解温度(约32 ℃)附近转变幅度较大,这与自由水溶液中PNIPAM分子的无规线团-塌缩小球构象转变相对应.实验结果还显示:由于PNIPAM分子在塌缩过程中氢键的形成和链段间可能的缠结效应,整个温度循环过程中微悬臂梁的变形是不可逆的且有明显的迟滞效应.     

强流脉冲离子束辐照靶及其喷发的数值研究

利用拟合实测的TEMP Ⅱ型加速器磁绝缘二极管(MID)电压波形及其焦点附近束流密度曲线，建立了Gaussian分布模型，据此计算了与靶作用的离子的能量及数量，采用Monte Carlo(MC)方法计算了沉积在靶内的能量.并以此作为热源，与流体动力学(HD)模型相结合，对不同的靶状态采用相应的状态方程，模拟计算了靶内压力演化情况; 同时对烧蚀产生的等离子体采用理想气体状态方程, 结合HD方程组, 模拟计算了喷发过程中压力的空间演化过程. 关键词： 强流脉冲离子束 Gaussian模型 HD方程 数值研究     

Fe100-xPdx合金纳米线阵列的制备及其磁性研究

利用直流电沉积法在多孔阳极氧化铝模板中制备出了一系列Fe100-xPdx磁性纳米线阵列. Pd的增加使纳米线的总体磁性降低,各向异性和矫顽力也发生了较大的变化. 当Pd含量高达x=30时,纳米线仍有相当高的矫顽力(7.48 kA/m)和较明显的各向异性,但当Pd的含量增加到50%时,纳米线的易磁化方向由平行线的方向反转到垂直线的方向. 实验证明,这是由于在Fe80Pd20 和Fe70Pd30中连续的磁性相在Fe50Pd50纳米线中变成了与非磁性相相互间隔的非连续片状结构. 片状磁性相的形状各向异性使易磁化方向转变到垂直纳米线轴的方向. 从生长动力学的角度对Fe50Pd50纳米线中这种片状的形成进行了解释.