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991.
添加剂对离子液体中电沉积金属钴的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
在含有氯化钴的室温离子液体氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC)和乙二醇(EG)体系中,采用扫描电子显微镜(FE-SEM)、阴极极化曲线、循环伏安及X射线衍射等方法研究了添加剂对电沉积金属钴的影响。结果表明,在EMIC-EG-CoCl2熔盐中加入丁炔二醇能够有效地改善钴镀层的外观质量,丁炔二醇的加入量在0.3~0.7 g·L-1范围内,能够得到银灰色、具有金属光泽的良好镀层。从FE-SEM照片可以看出,在EMIC-EG-CoCl2熔盐中加入丁炔二醇后,使金属钴的结晶变得更加细致;阴极极化曲线表明,丁炔二醇的加入不仅增大了阴极极化,而且还消除了钴的欠电势沉积;循环伏安测试证明,添加剂的加入对阴极沉积过程有阻化作用;XRD分析证实,丁炔二醇的加入使金属钴的衍射峰变宽,晶粒尺寸为纳米级。 相似文献
992.
依据可变模糊集理论,构造了城市用地适用性评估的相对差异函数模型和相对隶属函数模型,建立了求解综合相对隶属度的可变模糊评估模型,并应用该模型对2组待开发利用用地适用性进行了评估.研究表明:可变模糊评估是依据对立相对隶属函数来描述模糊概念,通过参数的可变性,自我验证可变模糊评估方法的可靠性,并通过级别特征值表达了评估对象属于某级别的程度,使评估结果更为精细,从而为城市用地适用性评估提供了一种有效的新方法. 相似文献
993.
对由上证综合指数、深证成分指数、上证基金指数、上证国债指数计算的日自然对数收益率组成的数据矩阵,分别建立了残差服从正态分布、t分布的向量ARCH、向量GARCH、纯对角GARCH、BEKK、常条件相关GARCH、主成分GARCH和EWMA模型,基于这些模型,计算了风险价值(VaR),进而通过比较计算结果,得出BEKK—t模型测算中国金融市场投资组合的风险价值(VaR)效果最好等的结论. 相似文献
994.
995.
采用荧光光谱、电子顺磁共振(EPR)波谱、紫外-可见吸收光谱和分子对接等技术研究了全硫取代三苯甲基(TAM)自由基酯基衍生物ET-03与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用,发现ET--03与BSA能自发发生结合作用;主要以疏水作用力结合在BSA亚结构域ⅡA(位点Ⅰ)和亚结构域ⅢA(位点Ⅱ)上;ET-03对BSA的荧光猝灭效应为动态、静态混合猝灭机制,且可能存在非辐射能量转移.研究结果表明,酯基衍生化TAM自由基与白蛋白能自发结合,有望用于蛋白构效关系研究;同时也提示将TAM自由基酯基衍生物用于活体成像或自旋标记物时应考虑其与蛋白相互作用的影响. 相似文献
996.
997.
在以5,5'-二甲基已内酰脲(DMH)为配位剂的镀液体系中研究了添加剂 C4H6O2、C7H4NNaO3S 和 C12H25 SO4 Na对金电沉积工艺和电结晶过程的影响。阴极极化曲线测试中,金电沉积的最佳电势区间是-0.60~-1.2 V,添加剂浓度在研究的范围内对阴极极化电势的影响较小。循环伏安曲线结果表明,反应界面上添加剂的吸附能够影响成核生长超电势,对金还原过程表现出抑制作用。电化学阻抗谱研究表明,镀液中加入添加剂后,电荷转移过程变得更加困难。 SEM观察表明,添加剂改善了镀层质量,晶粒变得细致、均匀。 XRD分析证实,两种镀液体系中获得的镀金层都沿着Au(111)和(220)晶面择优生长。 相似文献
998.
基于密度泛函理论,采用平面波赝势和BFGS法计算研究了金红石相MgH2电子结构性质和线性光学性质.基态下,金红石相MgH2晶体具有良好的弹性力学稳定性,基本结构参数与实验值及其其他理论值符合得较好.Mulliken电荷分布和集居数分析发现:金红石相MgH2晶体中电荷主要从Mg原子向H原子转移,电荷总数主要来源于Mg2p态电子和H1s态电子,金红石相MgH2属于共价键和离子键混合型化合物.结合电子性质和频率相关介电函数ε(ω)计算研究了金红石相MgH2的介电函数、线性吸收系数、复折射率及消光系数、反射率和能量损失谱,结果表明:金红石相MgH2的主要吸收区间位于紫外光区;24.88~42.35 eV能量区间金红石相MgH2具有很强的透过性;高频情况下,金红石相MgH2具有极高的反射率. 相似文献
999.
1000.
半导体激光器的线宽通常采用激光外差测量技术,通过差拍信号的功率谱密度函数来确定,受傅里叶变换方法的限制,得到的均是在一定时间段内的静态平均线宽。为了获得半导体激光器在电流调谐过程中的瞬时线宽特性,提出了利用时变功率谱获知调谐瞬时线宽的相干和非相干测量方法,并分别进行了理论分析和实验验证。首先对半导体激光器输出光信号及差拍信号进行了时间-频率域下的数学描述,确定了时变功率谱与调谐瞬时线宽的关系;其次,针对差拍信号的趋向性特征,提出了趋势局部均值分解方法,并研究了利用分解出的乘积函数建立差拍信号及激光器输出光信号的时变功率谱的方法;最后利用非相干和相干测量法分别获得了分布反馈式半导体激光器在50~51及50~100 mA锯齿波电流调谐过程中的瞬时线宽。 相似文献