基于垂直距离的直线拟合

在分析传统的直线拟合基础上,提出基于垂直距离的直线拟合问题.针对3种准则,给出了3个模型.对于使残差的平方和为最小准则,经过推导得到一个精确结果.     

pH值对水热法制备的Bi4Ti3O12晶体光催化活性的影响

采用无助剂、非模板的水热法可控制备Bi4Ti3O12（BIT）晶体．通过调节反应物的pH值可以选择性地获得BIT纳米球、纳米带和纳米片．通过对不同pH值制备的样品的结构分析研究了这些不同形貌的形成机制．pH值为1制备的IT样品在可见光下光催化活性最高．基于不同pH值制备的BIT样品的形状、尺寸和局部结构振动分析了光催化活性不同的原因。     

定向集上的B值一致渐近鞅

本文将文献[1]、[2]关于序列情形下的B值一致渐近的概念拓广到定向集的情形,给出了定向集上B值鞅的一个可选采样定理,证明了定向集上B值一致渐近鞅的Riesz分解定理。同时,用B值一致渐近鞅的收敛性及其诱导测度刻划了B空间的R-N性质,最后还给出了一个B值一致渐近鞅本性收敛的充分条件。     

新型脱氢松香基苯并咪唑类衍生物的合成及其氯离子识别性能

以脱氢松香酸甲酯为原料, 经溴代、双硝化、还原、关环等步骤合成了五个新型脱氢松香基苯并咪唑类衍生物(6a～6e). 其结构用1H NMR和13C NMR进行了确证. 对6a～6e进行了阴离子识别研究, 并对其结构与氯离子识别能力的关系进行了讨论.     

天然松香用于制备球型纳米银的研究

以AgNO3为原料,利用天然松香中的还原性物质枞酸还原银氨络离子得到银纳米颗粒,利用油酸等与纳米颗粒的相互作用在表面形成一层保护层来防止纳米颗粒的聚集。并用UV-vis、TEM和XRD对其进行检测和表征。通过控制反应条件,可制得粒度分布较均匀、结晶性能良好的银纳米颗粒。     

石墨烯/聚乙撑二氧噻吩薄膜储能特性（英）

为了有效利用石墨烯和导电聚合物材料,光雕石墨烯/聚3,4-乙撑二氧噻吩(LSG/PEDOT)复合薄膜通过一种灵巧的光雕工艺制备出来。在此复合薄膜中,每种组分对薄膜的电化学性能提升都有独特的贡献。循环伏安、交流阻抗及恒流充放电测试用来检测薄膜的电化学性能。结果显示,在引入PEDOT纳米颗粒后,LSG/PEDOT复合薄膜显示出更好的能量存储能力。复合薄膜的比容量达到64.33 F/cm3,是光雕石墨烯比容量(3.89 F/cm3)的20倍,复合薄膜经过1000次循环后仍能保持初始容量的94.6%。复合薄膜电化学性能的提升主要是由于引入的PEDOT纳米颗粒既阻挡了石墨烯的层层堆叠,又增加了整个薄膜的比表面积。此种灵活的光雕工艺还可以用来大规模制备超级电容器电极。     

木质素基环氧丙烯酸酯的合成及紫外光固化

正木质素是地球上一种储量十分丰富的可再生资源,可生物降解[1,2].木质素结构中含有大量羟基,主要以酚羟基和醇羟基形式存在,可与许多化合物发生化学反应制得木质素基环保材料,是最有前途的生物质资源之一[3].但工业木质素纯度较低,对其利用多为直接混合,如水泥减水剂等低端领域.环氧丙烯酸酯(EA)作为紫外光固化的预聚体,在紫外光照射下可快速固化,其黏接性高,耐化学药品性能优异,应用广泛[4,5].因此降低EA的成本,对其进行改性是近年来该领域的研究热点[6].本文以工     

结构预张力最大安全度设计

本文按参考文献[1]提出的结构最大安全度设计的概念,对工程结构中广泛使用的预应力结构,进行预张力最优设计,文中还附有工程应用实例。     

A multidimensional central limit theorem with speed of convergence for axiom a diffeomorphisms

Let T:X → X be an Axiom A diffeomorphism,m the Gibbs state for a Hlder continuous function ɡ. Assume that f:X → R^d is a Hlder continuous function with ∫_X^fdm = 0.If the components of f are cohomologously independent, then there exists a positive definite symmetric matrix σ²:=σ² （f ） such that S^fn √ n converges in distribution with respect to m to a Gaussian random variable with expectation 0 and covariance matrix σ² . Moreover, there exists a real number A > 0 such that, for any integer n ≥ 1,Π( m*（ 1√ nS f n ）,N （0,σ² ） ≤A√n, where m*（1√ n S^fn）denotes the distribution of 1√ n S^fn with respect to m, and Π is the Prokhorov metric.