水中氯苯类污染物的顶空液相微萃取 GC-MS法测定

研究了用顶空液相微萃取GC-MS法测定水中的痕量氯苯类有机污染物。通过实验选择正辛醇为萃取剂,考察了萃取剂的体积、萃取温度、萃取时间、搅拌速度、样品顶空体积以及盐效应等对萃取的影响。在最佳萃取和测定条件下,方法的线性范围为0.1~800μg/L,检出限(S/N=3)为0.05~0.1μg/L。用本方法测定了实际样品及回收率,结果满意。     

镧系元素双—11—钨锰酸钾的合成与鉴定

用改进方法合成出K_(13)[Ln(MnW_(11)O_(39)_2]·XH_2O(Ln=Eu,Gd,Tb,Dy)。通过化学分析、离子交换、电导滴定及IR、UV、XPS等对合成产物进行了鉴定。对其热性质和在溶液中特性进行了研究。在IR谱中.总趋势是随镧系元素原子序数增加,振动频率向高波数移动。得不到稳定的镧系元素双-11-钨锰酸溶液。热分析表明,镧系元素双-11-钨锰酸钾比12-钨锰酸钾具有较高的热稳定性。     

Al3Ti1B1RE细化剂对罐用铝材的细化效果及稀土的作用

采用XRD，OM，SEM，EDAX等探讨了一种新型Al3Ti1B1RE中间合金细化剂对罐用铝材的细化效果及RE的作用。结果表明，该细化剂对罐用铝材的细化效果优于进口和国产Al3Ti1B，且具有长效性，达6h后仍未见明显衰退，明显提高了该材料的强度和塑性；其细化效果及稳定性好的主要原因是：RE可降低铝液的表面能，增加铝液对细化核心(如TiAl3，TiB2)的润湿性，既充分发挥了异质形核作用，又防止了TiB2聚集沉淀倾向；RE也极易在结晶前沿富集造成成分过冷，阻碍了α-Al晶粒生长，并促进其在细化核心上形核；此外RE还兼有一定的净化、细化和变质作用，尤其是净化作用提高了该细化剂的冶金质量。     

van der Waals状态方程与溶液理论

阐明了van der Waals状态方程与溶液理论间的密切关系。由van der Waals状态方程中的内压力和自由体积简捷地导得Scatchard-Hildebrand正规溶液理论、无热溶液理论和Flory-Huggins聚合物溶液理论。表明这些理论都是建立在van der Waals流体的基础上,为进一步改进这些理论提供了一条切实可行的思路。     

β－环糊精含硫衍生物自组单分子膜修饰金电极的选择穿透性研究

β－环糊精含硫衍生物自组单分子膜修饰金电极的选择穿透性研究何品刚，方禹之，铃木，嚴长，哲郎（华东师范大学化学系，上海，２０００６２）（东北大学药学部，仙台９８０，日本国）关键词硫辛酰－β－环糊精衍生物，自组单分子膜，金电极近年来，为在分子水平上控制和...     

聚乙二醇/无机盐双水相萃取-超高效液相色谱-串联质谱法测定环境水体中5种三嗪类除草剂残留量

移取10.0mL环境水体样品,加入0.90g聚乙二醇-2000,超声溶解后,加入3.25g硫酸铵,超声萃取10min,离心后移取上层萃取相50μL,用流动相稀释至200μL,经0.22μm有机滤膜过滤,采用超高效液相色谱-串联质谱法测定滤液中5种三嗪类除草剂的残留量。以Zorbax Eclipse XDB-C_(18)色谱柱为固定相,以乙腈(7+3)溶液为流动相,串联质谱分析中采用电喷雾正离子源和选择离子监测模式。5种三嗪类除草剂的质量浓度均在0.100～10.00μg·L~(-1)内与其对应的峰面积呈线性关系,检出限(3S/N)为3.72～24.3ng·L~(-1)。方法用于环境水体样品的分析,加标回收率为80.8%～115%,测定值的相对标准偏差(n=5)为0.17%～6.4%。     

无机盐对正负表面活性剂混合体系性质的影响

用滴体积法测定了四种离子强度下(μ=0.02, 0.05, 0.1, 0.2 mol·kg~(-1), 支持电解质为NaBr)C_(12)H_(25)SO_4Na/C_6H_(13)(NC_5H_5)Br混合体系在五种比例(10:1, 3:1, 1:1, 1:3, 1:10)时的临界胶团活度cma(25 ℃). 提出了无机盐对正负表面活性剂混合体系临界胶团活度的影响程度的计算式.     

如何讲好聚合物的导电性(Ⅱ)——新型的载流子:孤子和极化子

传统导体的载流子是电子或空穴,但在具有一维链式结构的聚合物中电子已不是导电的载流子。由液体介质流动形式——"孤波"导出的孤子,以及由孤子和反孤子组成的极化子是导电聚合物除电子外的载流子。极化子和孤子流动所需要的能量比电子流动所需的能量小,所以首先启动的"载流子"不是电子,而是极化子和孤子。     

Interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structure by frequency dependent conductance technique

Frequency dependent conductance measurements are implemented to investigate the interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor(MOS) structures. Two types of device structures, namely, the recessed gate structure(RGS) and the normal gate structure(NGS), are studied in the experiment. Interface trap parameters including trap density Dit, trap time constant τit, and trap state energy ETin both devices have been determined. Furthermore,the obtained results demonstrate that the gate recess process can induce extra traps with shallower energy levels at the Al2O3/AlGaN interface due to the damage on the surface of the AlGaN barrier layer resulting from reactive ion etching(RIE).