受控AR模型中参数估计误差的一致有界性分析

本针对系统为受控AR模型，其参数估计采用随机梯度算法时，用鞅收敛定理的推广形式分析了它的收敛性，得到了参数估计误差一致有界的结果．     

2-硫代丁基-5-巯基-1，3，4-噻二唑Ag[I]修饰的钼硅酸盐纳米颗粒的制备及摩擦性能

以合成的2-硫代丁基-5-巯基-1，3，4-噻二唑为配体，在醇-水体系中制备了Keggin结构钼硅杂多阴离子有机衍生物的纳米颗粒，以透射电子显微镜、扫描电子显微镜、傅立叶变换红外光谱仪、热分析仪等测试手段对此纳米颗粒的形貌、组成和结构进行了表征，并在机械式四球长时抗磨损试验机上考察了其摩擦学性能．分散型实验结果表明化合物在有机溶剂中分散性能良好，红外光谱表明所合成的纳米颗粒具有杂多酸Keggin骨架结构无机核，透射电镜分析表明颗粒平均粒径约为10nm，热分析娃示分解温度范围为200～300℃．作为新型纳米润滑油添加剂，在最佳添加质量分数为0．05％，负荷300N，摩擦时间30min，转速1450r／min的条件下，与空白相比磨斑直径减小27．9％，摩擦系数减小15．3％．     

对一道国际竞赛题的讨论

已知:圆O经过△ABC的顶点A、C,分别与AB、BC交于K、N,△ABC和△KBN的外接圆相交于点B.M,证明∠OMB=90°(二十六届国际奥林匹克竞赛题)。略证一:由于三个圆的圆心不共线,三公共弦共点于P(为么什?),则∠PMN=∠BKN=∠NCA,因此PMNC四点共圆,由此得: BM·BP=BN·BC=BO~2-r~2 PM·PB=Pn·PK=PO~2-r~2(为什么?)其中r是△ACK的外接圆半径。则FO~2-EC~2=BP(PM-BM)=PM~2-BM~2,所以O⊥LBP,∠ONB=90°。     

基于最新势能面的C(1D)+H2反应的环聚合分子动力学研究

本文利用环聚合分子动力学方法对C(¹D)+H₂反应开展了详细的理论研究. 计算中使用了最近构建的Zhang-Ma-Bian(ZMB)从头算势能面,该势能面对锥形交叉附近区域以及范德华区域均有精确的描述. 环聚合分子动力学计算得到的热反应速率常数与最新实验值吻合很好. 与前人计算结果比较,发现在?¹A′电子基态的ZMB-a势能面上获得的反应速率常数远大于前人构建的RKHS势能面上的结果,这是由于ZMB势能面上的范德华鞍具有与之前势能面上的范德华阱完全不同的动态学作用,表明环聚合分子动力学方法能够处理范德华作用引起的势能面拓扑结构所导致的动态学效应. 本文还揭示了b¹A′′电子激发态ZMB-b势能面以及量子效应对反应的重要性.     

小孔周期性泄流的实验与分析

通过对小孔泄流的周期性研究．发现泄流周期随着时间进程变化趋于增大，小孔的直径越大泄流周期越小,不相容的液体间不能形成小孔周期性泄流，并分析了有关现象．     

High throughput N-modular redundancy for error correction design of memristive stateful logic

Memristive stateful logic is one of the most promising candidates to implement an in-memory computing system that computes within the storage unit. It can eliminate the costs for the data movement in the traditional von Neumann system. However, the instability in the memristors is inevitable due to the limitation of the current fabrication technology, which incurs a great challenge for the reliability of the memristive stateful logic. In this paper, the implication of device instability on the reliability of the logic event is simulated. The mathematical relationship between logic reliability and redundancy has been deduced. By combining the mathematical relationship with the vector-matrix multiplication in a memristive crossbar array, the logic error correction scheme with high throughput has been proposed. Moreover, a universal design paradigm has been put forward for complex logic. And the circuit schematic and the flow of the scheme have been raised. Finally, a 1-bit full adder (FA) based on the NOR logic and NOT logic is simulated and the mathematical evaluation is performed. It demonstrates the scheme can improve the reliability of the logic significantly. And compared with other four error corrections, the scheme which can be suitable for all kinds of R-R logics and V-R logics has the best universality and throughput. Compared with the other two approaches which also need additional complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) circuits, it needs fewer transistors and cycles for the error correction.     

建筑风压数值模拟的几种并行化策略

针对四个处理机的Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ并行计算机系统，建立了建筑风压数值模拟问题基于ＳＩＭ－ＰＬＥＣ算法的几种并行化策略：分区并行策略、方程并行策略和双重并行策略。对各种策略的计算流程、数据通讯及并行效率等进行了分析和比较，并通过实例计算作了验证。     

Ⅱ-Ⅲ混合型裂纹相变增韧分析

本文采用压力敏感准则和松函数法对相变增韧陶瓷Ⅱ-Ⅲ混合型裂纹的增韧效应进行了理论预测。分别给出了静止裂纹和定常扩展裂纹相变塑性屏蔽的理论表达式。结果表明：相变对静止裂纹有甚微的负屏蔽效应，并随KⅢ/KⅡ的比值而波动；相变对定常扩展裂纹的增韧结果除与材料弹性模量、相变尾区高度和相变体积分数有关外，还与KⅢ/KⅡ的比值有关。     

弹性力学混合状态方程的小波解法

应用小波理论求解弹性力学混合状态方程，讨论了解的收敛性。从文中的数值算例不难看出，该方法不失为混合状态方程一种新的求解途径。     

O_2在Si掺杂石墨烯上吸附与活化

采用包含色散力校正的密度泛函理论方法(DFT-D)研究了O2在Si掺杂石墨烯(Si-Gra)上吸附与活化.研究结果表明:1)与纯净石墨烯相比,Si掺杂极大的增强了石墨烯对O2的吸附能力.O2的最稳定吸附构型是以Side-on模式吸附在掺杂的Si的顶位,形成O-Si-O三元环.次稳定吸附构型是与Si及近邻的一个C形成O-Si-C-O四元环结构.两个吸附构型对应的吸附能分别为-2.40和-1.93eV;2)O2有两种分解路径:直接分解路径(势垒为0.53eV)和整体扩散后的分解路径(势垒为0.81eV);3)分解之后的两个O原子分别吸附在Si的顶位和相邻碳环的两个碳原子的桥位;4)电子结构分析表明吸附的O2从Si-Gra获得较多电荷,从而被活化.总之,Si-Gra具有较强的催化氧气还原能力,是一种潜在的良好的非金属氧还原催化剂.