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531.
微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS) 是指内部微结构尺寸在微米甚至纳米量级的微电子机械装置,是一个独立的智能系统. 长宽厚均处于微米量级的微平板为MEMS 中的典型结构,其声学和力学特性直接影响MEMS 的性能. 针对同时受声压激励和气膜力(通过考虑相同尺寸微平板振动引入) 作用的四边简支微平板结构,应用Cosserat 理论和Hamilton 原理,建立了考虑微尺度效应(本征长度和Knudsen 数)影响的声振耦合理论模型,并通过多重Fourier 展开法求解了耦合方程,得到了系统的传声损失结果. 通过频域分析,考虑微平板的不同振动频率、振动幅度和板间距,系统研究了不同尺度效应下微结构中气体薄膜所产生的阻尼力对微平板结构传声特性的影响. 研究发现尺度效应对于微结构的声振特性影响巨大,振动行为对微结构的传声特性也有很大影响,控制并减小微平板的振动幅度以及增大微平板的间距都能够提高微平板的声振性能. 研究结果为MEMS 中微平板的稳定性优化设计提供了理论参考. 相似文献
532.
533.
乙醛作为化工原料 ,其工业废水若处理不当 ,将造成天然水系的污染 ,因此 ,乙醛是环境监测的一项重要指标 .测定方法主要有碘量法 ,色谱法 ,光度法 ,及化学发光法等 [1 ,2 ] ,近年来酶法在分析测定方面得到广泛应用 ,以酶法测定食品中乙醛含量已有报道 [3] .本文基于乙醛 NADH(还原型烟酰胺腺嘌呤二核苷酸 ) 乙醇 NAD (氧化型烟酰胺腺嘌呤二核苷酸 )在2 5℃时 ,反应平衡常数为 1 .0× 1 0 1 1 ,反应平衡偏向生成乙醇的方向 ,因此有利于痕量乙醛的测定 .通过在醇脱氢酶存在下 ,NADH→NAD 的转化 ,测定 NADH吸光度的变化率 ,得出其… 相似文献
534.
利用脲酶、谷氨酸脱氢酶偶联催化尿素水解的原理,通过测定还原型烟酰胺腺嘌呤二核苷酸吸光度变化率得出其酶促反应速度,对应不同的尿素浓度制得标准曲线,讨论了pH值和抑制剂对测定的影响,实测了水样中尿素的含量。 相似文献
535.
热开环聚合制备高分子量二茂铁基聚二甲基硅烷及其与四氰基乙烯生成电荷转移络合物的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
主链含有过渡金属元素的聚合物由于其具有独特的结构和性能 ,长期以来一直受到学术界和工业界的高度关注[1~3] .通常这类聚合物的合成是采用不同单体间的缩聚方法来制备的[4] ,所得到的聚合物往往分子量较低如数千 ,因而这类聚合物的实用性较差 .近来 ,Manners等人采用开环聚合法合成了结构单元中含有二茂铁夹心结构的高分子量二茂铁基聚硅烷[5] ,使得这类化合物向实用性方面前进了一大步 .高分子磁性材料由于其质轻、易于加工、保磁性强和易于回收利用等特点 ,以及在电子仪器、传感器、仪表、通讯和自动控制等领域的广泛应用前景 ,… 相似文献
536.
537.
本文采用Sn自熔剂法,通过调节Ga的起始含量(Ba∶ Ga∶ Al∶ Sn =8∶x∶6∶50;x=10,20,30)实现对载流子进行调制,制备出具有p型和n型传导的Ⅷ型Sn基单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明,随着Ga起始含量的增加,Al在化合物中的固溶度减小,材料的晶格常数也随之减小;x=10的样品Seebeck系数全部为负值,x=30的样品Seebeck系数全部为正值,而x=20的样品在450 K后由于本征激发Seebeck系数显著降低,在550 K附近由p型传导转变为n型传导;室温下具有p型传导的化合物具有较高的载流子浓度,但其迁移率显著降低,从而导致其相应的化合物具有较高的电阻率,因此通过对Ga起始含量的改变能够对化合物的载流子实现有效调控;此外,在300 ~600 K内均具有p型传导的样品室温下的载流子有效质量较n型样品的高;通过估算的热导率κ、实测电阻率和Seebeck系数,计算出x=30的p型单晶样品在457 K处获得最大ZT值0.86. 相似文献
538.
本文采用电子束蒸发法,室温下在Si(400)的基片上生长含锗(Ge)填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Sisubstrate,并在真空中进行后续退火.采用Raman散射(Raman Scattering)、X射线衍射(X-ray Diffraction)、高分辨电子扫描显微镜(HRSEM)、光学显微镜和热重差热分析(DSC)等手段,研究退火后样品晶化特性和晶化机理.结果表明,室温下生长的含有250 nm Ge填埋层的生长态样品在400℃退火5h,薄膜基本全部实现晶化,并表现出明显的Si (111)择优取向.样品分别在400℃、500℃、600℃和700℃退火后薄膜的横向光学波的波峰均在519cm-1附近,半高宽大约为6.1 cm-1,且均在Si(111)方向高度择优生长.退火温度为600℃的样品对应的晶粒尺寸约为20 μm.然而,在相同的薄膜结构(a-Si/Ge/Si substrate)的前提下,当把生长温度提高到300℃时,温度高达到700℃退火时间5h后,薄膜依然是非晶硅状态.差热分析表明,室温生长的样品,在后续退火过程中伴随界面应力的释放,从而诱导非晶硅薄膜重结晶成多晶硅薄膜. 相似文献
539.
540.
Structural stabilities and electrical properties of Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30) single crystals under high temperatures 下载免费PDF全文
Single crystalline samples of type-I and type-VIII Ba_8Ga_(16-x)Cu_xSn_(30)(x = 0,1) clathrates are prepared by the Snflux method.Effects of Cu-doping on stability and electrical properties of Ba8Ga16Sn30 single crystal are explored by first-principle and experiment.All samples are heated to different high temperatures and maintained at these temperatures for 120 min and then cooled to room temperature to explore their structural stabilities.Results from DTA and powder xray diffraction analysis indicate that type-I Ba_8Ga_(16)Sn_(30) structure is transformed into type-VIII phase after the sample has been heated to 185℃.Type-VIII BGS is stable during heating and cooling,but type-VIII Ba_8Ga_(15)CuSn_(30) decomposes into Sn and Ba(Ga/Sn)_4 during cooling.Meanwhile,the electrical properties of type-I samples are measured,their electrical conductivities are enhanced,and the Seebeck efficient is reduced with Cu substitution.The type-I samples after phase transformations show the electrical characteristics of type-VIII samples. 相似文献