膨胀石墨/聚苯胺/Fe_3O_4复合材料的制备及吸波性能

采用原位聚合方法制备了膨胀石墨/聚苯胺(EG/PANI)复合材料,将Fe_3O_4负载于EG/PANI表面,得到具有电磁吸收性能的EG/PANI/Fe_3O_4复合材料.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)及矢量网络分析仪(VNA)等对复合材料的形貌、成分和吸波性能进行了研究.吸波性能分析结果表明,当掺杂浓度为0.05 mol/L,匹配厚度d=2 mm时,样品的最小反射损耗(RLmin)在8.64 GHz处达到-37 dB.随着掺杂浓度的增加,最小反射损耗峰向低频移动,对应的匹配厚度逐渐变厚.材料的介电弛豫极化、涡流损耗及λ/4模型的干涉相消现象出现的双峰,使EG/PANI/Fe_3O_4复合材料在电磁波吸收领域有一定的应用前景.     

霍尔位置传感器法测杨氏模量预习系统的设计与实现

通过设计霍尔位置传感器法测杨氏模量实验的预习系统,可帮助学生学习霍尔位置传感器法测杨氏模量实验仪器的功能及使用方法,并通过模拟实验装置仪器,使学生熟悉实验过程。阐述了该系统的主要功能模块,着重介绍了模拟实验操作的关键技术及实现方法。     

中医古今名方改革之一──因素水平模型

中医古今名方都是比较成熟的、行之有效的处方.但往往治疗同一种疾病,有多个处方,医生很难掌握运用。在治疗某一疾病的各种古今名方中,哪一种处方好?如何从这些好的处方中。筛选出最佳的处方?笔者设计了下面的中医古今名方改革的因素水平模型(以下简称为模型),以期探讨中医古今名方改革的新路子. 这种模型是从治疗某种疾病的各种处方中,筛选出最佳处方的数学方法,具体方法是把处方中的药名称为因素,m种药名就有m个因素,用大写字母A,B,C,D,…表示,并分成全因素,合并因素、有零因素和固定因素四类;把处方中的用药量称为水平,每个因素中不同…     

新型2-(芳氨基乙基氨基)苯甲醇的合成及其杀菌活性

2-氨基苯甲醇及其衍生物是一类很重要的具有双官能团的化合物,在有机化学和药物合成中具有广泛的用途。本文主要提供了一种简单、有效合成2-(芳氨基乙基氨基)苯甲醇类化合物的方法,同时测定了目标化合物的杀菌活性。溴乙酰芳胺与2-氨基苯甲醇经N-烷基化反应生成2-[(2-羟甲基苯基)氨基]乙酰芳胺类化合物3,然后经LiAlH4还原生成了一系列结构新颖的2-(芳氨基乙基氨基)苯甲醇类化合物5a~5i,产率为76%~95%。用IR、~1H NMR、~(13)C NMR和元素分析等对产物结构进行了表征。目标化合物的杀菌活性结果表明,在测试浓度下,大部分显示中等至良好的活性,化合物5e对辣椒疫霉病菌的抑制活性达73.0%。     

交联聚苯乙烯小球的微波加热磺化

用微波加热使苯乙烯和二乙烯苯共聚小球磺化。研究了微波功率、加热时间、反应物配比、溶胀剂、反应器在微波炉内的位置等因素对磺化反应的影响。     

用于n、γ混合场的脉冲中子探测器研究

在瞬态的n、γ混合辐射场中，常采用飞行时间法原理，将n、γ射脉冲分开，实现对脉冲中子的探测。但在某些实验装置条件下，由于测量环境或者中子源强度等受到限制，不能采用成熟的n、γ飞行时间差甄别混合辐射场中的γ，尤其是在近距离测量中，n、γ分辨成为难题，因此，必须研究一种适合于n、γ混合辐射场的新型脉冲中子探测器。     

法布里—珀罗标准具滤波器对超短光脉冲的时间响应

系统地研究了法布里－珀罗标准具滤波器对超短光脉冲的时间响应，由于光在标准具内多次反射所引起的干涉效应，发现输出的光脉冲包含了一连串的次脉冲，这些次脉冲的时间间隔等于光单次通过标准具的时间，在一定条件下，这些次脉冲简并在一起产生一展宽的输出光脉冲，并且输出和输入光脉冲峰值的时间间隔并不等于光单次通过标准具的时间，并得出了在考虑色散和啁啾情况下输出次脉冲的表达式。     

半导体中光的相干传播理论(Ⅰ)

本文是半导体中光的相干传播理论的第一部分。在不考虑电子-电子间的相互作用时,我们得到了相干光作用下描述半导体带间跃迁矩阵元满足的布洛赫方程。半导体的带间跃迁形式上可类比于一个非均匀展宽的二能级系统能级间的跃迁;但是在强光的作用下会有一种特殊的多光子过程发生。 关键词：     

苹果胚乳愈伤组织的诱导和植株的分化

近年来,植物的胚乳培养,引起了一些研究者的注意。我们认为更有意义的是培养胚乳和胚乳植株的诱导,有可能为农、林、果树等育种工作提供三倍体和多倍体的育种方法和原始材料。本文成功地使用苹果未成熟种子的幼嫩胚乳建立起愈伤组织,并诱导分化出根、叶和植株研究结果表明:1.幼嫩胚乳比之目前一般采用成熟的胚乳产生愈伤组织的频率高;2.胚乳产生愈伤组织,和由此愈伤组织分化器官或植株无需胚的参加。     

锗中隧道电流过程的理论(Ⅰ)——杂质引起的隧道电流

这工作是对锗中杂质散射引起的隧道电流的理论分析。说明在高掺杂(～10¹⁹厘米^-3时杂质散射隧道电流是重要的,可以与联系着声子的隧道电流比拟或更大。不同杂质的作用是不同的,AS和P比Sb的强。锗中杂质隧道过程主要是二级过程,由导带底穿入禁带的电子先被杂质场散射到对应于导带(0,0,0)谷的电子状态,然后,再在结势垒场的作用下跃迁到价带。提出了这种过程的理论,得到杂质隧道电流的表达式,说明只有处在势垒区中一定区域(大致是20?左右厚度)中的杂质原子对这个过程有显著贡献。虽然导带底是各向异性的,但这过程的几率却几乎是各向同性的。在附录Ⅱ中还提供了一个在任意形式位垒下直接隧道过程的普遍理论。 关键词：