关于Pb208附近原子核的能谱(Ⅱ)——Bi208和Bi207

本文是“关于Pb²⁰⁸附近原子核的能谱(I)”的一个继续。对Bi²⁰⁸及Bi²⁰⁷计算的结果指出:实验与理论是十分符合的,从而再一次验证了独立粒子模型的观点及微扰方法在处理原子核能谱问题上的正确性。     

某些类椭园型和抛物型方程广义解的有界性

设G是n(≥3)维欧氏空间E~n中的有界区域,它的边界记为G。在G考虑如下形状的椭园型方程:     

硅霍耳元件和特斯拉计

霍耳效应是美国物理学家霍耳于1879年在金属中发现的.1948年以后,半导体的霍耳效应得到了广泛重视,制成了各种霍耳元件.首先出现的是锗霍耳元件,1955年出现了硅霍耳元件.近二十年来,随着化合物半导体材料(如InAs,InAsP,GaAs等)的出现,用化合物半导体制造的霍耳元件由于有较高的稳定性而越来越引起人们的重视(如西德西门子公司的FA,FC和SV系列,美国贝尔公司的BH系列).其中有的元件可用作0.2级甚至0.1级特斯拉计的测磁探头.而硅霍耳元件则相形见拙,在进口产品中,我们只见过配用在2.5级特斯拉计(日本横河电机3251样机)上的硅霍耳测磁探头…     

新型Zn(Ⅱ)和Co(Ⅱ)配合物的合成、表征及性能

以4,4'-联苯二羧酸（H₂BPDC）和4,4'-联吡啶（BPY）作为混合有机配体,Zn(II)或Co(II)作为中心金属离子,通过溶剂热法合成了两种新型配合物[Zn₃(bpdc)₃bpy]_n（1, CCDC: 1843824）和[Co₃(bpdc)₃bpy]_n（2, CCDC: 1887332）,其结构和性能经X-射线单晶衍射、红外光谱（FT-IR）、粉末X-射线衍射（PXRD）、热重分析（TG）和N₂吸附/脱附测试表征。结果表明:两种配合物具有相似的三维孔状结构,由Zn(II)或Co(II)以四配位和六配位呈现四面体和八面体空间几何构型;1和2均具有较好的热稳定性;在77 K,氮气吸附条件下,配合物1的BET比表面积为5.584 m²/g,吸附总孔体积为0.024 cm³/g,吸附平均孔径为13.932 nm。      

Growth and Characterization of CIS Thin Films Prepared by Ion Beam Sputtering Deposition

Copper indium diselenide （CuInSe2） thin films were prepared by ion beam sputtering Cu, In and Se targets continuously on BK7 glass substrates and the three-layer film was then annealed in the same vacuum chamber. X-ray diffraction shows that the CuInSe2 thin films have a single chalcopyrite structure with preferential （112） orientation. Scanning electron microscopy reveals that the CIS thin films consist of uniform and densely packed grain clusters. Energy dispersive x-ray spectroscopy demonstrates that the elemental composition of CIS films approaches the stochiometric composition ratios of 1：1：2. Raman measurement shows that the main peak is at about 174cm^-1 and this peak is identified as the A1 vibrational mode from chaicopyrite ordered CulnSe2. Optical transmission and absorption spectroscopy measurement reveal an energy band gap of about 1.05 eV and an absorption coefficient of 10^5 cm^-1. The film resistivity is about 0.01 Ωcm.     

Composition-Dependent Characterization of Sb2Te3 Thin Films Prepared by Ion Beam Sputtering Deposition

The optimization of ion beam sputtering deposition process for Sb2 Te3 thin films deposited on BK7 glass substrates is reported. The influence of composition ratio on the thermoelectric properties is investigated. X-ray diffraction shows that the major diffraction peaks of the films match with those of Sb2 Te3. Hall effect and Seebeck coefficient measurement reveal that all the samples are of p-type. The Sb2 Te3 thin films exhibit the Seebeck coefficient of 190μVk^-1 and the electrical conductivity of 1.1 × 10^3 Scm^-1 when the atomic ratio of Sb to Te is 0.65. Carrier concentration and motility of the films increase with the increasing atomic ratio of Sb to Te. The Sb2 Tea film with a maximum power factor of 2.26×10^-3 Win^-1K^-2 is achieved when annealed at 400℃. Raman measurement shows that the main peaks are at about 120 cm^-1, 252 cm^-1 and 450 cm^-1, in agreement with those of V-VI compound semiconductors.     

一类拟齐次多项式中心的极限环分支

确定平面拟齐次多项式微分系统具有中心的条件是一个难度很大的课题.该文首先将文献[12]给出的五次拟齐次多项式系统推广到n(奇数)次系统,给出它具有全局中心的充要条件.然后利用一阶Melnikov函数得到中心的周期环域在n次多项式扰动下产生的极限环个数的最小上界.最后证明了该上界适用于所有以m为权指数的(m,1)-(或(1,m)-)拟齐次平面多项式哈密顿系统,在2m-1次多项式扰动下分支出来的极限环个数,其中m为任意正整数.     

相对论Euler方程组二维活塞问题激波解的局部存在性

考虑二维轴对称相对论Euler方程组的活塞问题.利用轴对称的特点,使用适当的变量先将原问题转化为一维问题,然后通过Taylor展开的方法构造原问题的一个N阶近似解,再利用对相应线性问题所作的能量估计,用Newton迭代法,最终证明其活塞问题激波解的局部存在性.     

珠心算与数学结合教学软件开发的实用研究

珠心算与数学结合的"整合教学"是提升学生学业成绩和核心素养的直接路径。本文通过阐述系列软件的研发背景、研发内容及本软件的实用研究结果,说明珠心算教育完全可以进行创造性转化和创新发展,如此不仅能充分体现珠算的教育启智功能,也能完整的再现珠心算提高数学教学效率的同时促进学生核心素养形成的过程。     

台商投资大陆区位选择影响因素的实证分析

台商对大陆投资区位选择受地区市场因素、集聚因素、劳动力因素及基础设施基本政策等因素的影响.研究利用1995年至2007年台商投资区位选择的面板数据,首先验证了台商投资区位选择受到经济规模、区域开放程度、台商集聚度、劳动成本等关键因素的影响;并在此基础上,采用变系数面板数据模型重点分析了影响因素的时变特征.主要结论包括:外贸依存度指标的变化表现了台商投资由向外出口产品的模式逐渐转向在国内市场销售的模式;区域资金配套能力表明台商企业近些年呈现了对当地资金配套的需求;集聚因素影响显著性极高,说明台资企业的集聚现象非常显著,这与当前实际发展情况相似;劳动力因素结果说明台商对于劳动力的关注已从劳动力成本向劳动力质量转变等等.这些因素的时变特征,对台商投资大陆区位选择的行为是具有较强的解释力度.