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国内工厂生产过硫酸铵大多采用工艺简单且产品纯度高的电解法,但是电解法在生产过程中存在能耗过高的问题。这一问题限制了过硫酸铵在许多领域的进一步发展。针对这一现象,对硫酸铵电解生成过硫酸铵的设备及工艺进行设计和研究,以期达到降低能耗的目的。实验基于零极距和离子交换膜电解槽的设计,研究了加酸量、抑制剂用量、出入口温度和电解液浓度等因素对电解效率的影响。结果表明,在电解液中加酸并且在阳极液中添加抑制剂对提高电流效率和降低槽电压具有很大的影响,在最优条件下电流效率可达到98%,生产过程能耗显著降低。另外,电解槽还具有连续性生产、占地面积小的优势,进一步解决了厂家所面临的生产成本过高的问题。 相似文献
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核磁共振(NMR)异核单量子相干(HSQC)实验因具有较高的灵敏度和分辨率而被广泛用于液体大分子化合物的结构鉴定和研究.然而由于HSQC脉冲的复杂性,需要严格控制实验参数和实验条件才能得到高质量的谱图.本文基于量子力学原理对HSQC实验进行数学建模,通过理论推导、数值计算求解自旋1/2的IS双核体系在每个脉冲节点作用后的密度矩阵,然后结合二维NMR信号采样方法,使用计算机程序完成了该体系HSQC谱图的模拟,同时,还实现了乙醇分子的HSQC谱图模拟. HSQC实验的成功模拟基于对复杂演化过程的精确计算,可用于预测谱图以及实验参数改变对NMR谱图的影响,指导高质量HSQC实验谱图的采集. 相似文献
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针对Y型沸石在ZSM-5沸石干胶制备及晶化过程中易于溶解、坍塌的问题,采用葡萄糖在水热处理条件下对Y沸石进行包膜处理,提高了Y沸石在高温、高碱度环境中的稳定性,并采用蒸汽相转化法制备了同时含有Y和ZSM-5的双沸石复合物。对影响沸石复合物形成的因素如Y沸石表面碳包膜改性、凝胶碱度、晶化时间等进行了详细讨论。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外(FT-IR)、N2吸附-脱附,能谱(EDS)以及NH3-TPD等手段对制备的材料进行了表征。结果表明通过蒸汽相转化法能获得Y和ZSM-5两相共存的双沸石复合物,产物中的ZSM-5沸石相前驱体随蒸汽处理时间的延长逐渐从蠕虫状无定型向纳米多晶ZSM-5沸石转变,纳米多晶聚集体与Y型沸石晶粒之间紧密相连,相互包埋。在异丙苯催化裂化反应中,合成的沸石复合物的活性和稳定性介于Y和ZSM-5之间,优于对应的机械混合物。 相似文献
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采用低温水热合成法制备了碳纸基底的SnO2气体扩散电极(SnO2/GDE), 并对其物化特性与催化还原CO2产甲酸性能进行了研究. 扫描电子显微镜、 X射线衍射及X射线光电子能谱表征结果表明, 在60, 75, 100 ℃下制备的催化剂均为分散性良好的纳米SnO2粉体, 其粒径分别为7.9, 11.8和12.9 nm. 循环伏安、 线性扫描伏安和电化学交流阻抗测试结果显示电极均具有优异的电催化活性, 其电化学活性表面积分别为150, 470, 240 cm 2, 通过等效电路拟合后电阻分别为8.5, 3.9, 6.6 Ω·cm 2. 在-1.8 V(vs. SCE)电位下电解, 通入电量500 C时, 电极都具有较高电催化还原CO2产甲酸性能, 而75 ℃下制备的电极性能最佳, 产甲酸电流密度为22.8 mA/cm 2 , 产甲酸法拉第效率高达93.5%; 该电极经过20 h长时间电解后, 产甲酸电流密度可维持在12.8 mA/cm 2 , 产甲酸法拉第效率稳定在约65%. 相似文献
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利用荧光淬灭法研究了博莱霉素A5与小牛胸腺DNA及DNA类似物多聚dGC、多聚dAT的相互作用,其作用力为疏水作用及氢键,结合常数分别为0.57×105,1.07×105,0.47×105mol-1L,每结合一个博莱霉素A5所需碱基对数分别为22~23,5~6,27~28,上述结果表明博莱霉素A5与DNA的结合具有GC序列特异性 相似文献
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Half metallic polycrystalline, epitaxial Fe3O4 films and Fe3O4 -based heterostructures for spintronics were fabricated by DC reactive magnetron sputtering. Large tunneling magnetoresistance was found in the polycrystalline Fe3O4 films and attributed to the insulating grain boundaries. The pinning effect of the moments at the grain boundaries leads to a significant exchange bias. Frozen interfacial/surface moments induce weak saturation of the high-field magnetoresistance. The films show a moment rotation related butterfly-shaped magnetoresistance. It was found that in the films, natural growth defects, antiphase boundaries, and magnetocrystalline anisotropy play important roles in high-order anisotropic magnetoresistance. Spin injection from Fe3O4 films to semiconductive Si and ZnO was measured to be 45% and 28.5%, respectively. The positive magnetoresistance in the Fe3O4 -based heterostructures is considered to be caused by a shift of the Fe3O4 e g ↑ band near the interface. Enhanced magnetization was observed in Fe3O4 /BiFeO 3 heterostructures experimentally and further proved by first principle calculations. The enhanced magnetization can be explained by spin moments of the thin BiFeO 3 layer substantially reversing into a ferromagnetic arrangement under a strong coupling that is principally induced by electronic orbital reconstruction at the interface. 相似文献
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