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通过溶胶.凝胶法制备了层状钙钛矿结构的K2La2Ti3O10及硼族元素掺杂的K2La2Ti3O10,采用X-射线衍射(XRD)、紫外可见漫反射光谱(DRS)等对K2La2Ti3O10及硼族元素掺杂K2La2Ti3O10进行表征.以I-为电子给体、分别在紫外和可见光辐射下研究了K2La2Ti3O10及硼族元素掺杂K2La2Ti3O10光催化分解水的产氢活性;采用第一性原理,计算了硼族元素掺杂对K2La2Ti3O10半导体能带结构和态密度的影响.从电子结构的变化揭示了掺杂引起光催化活性差异的原因.研究结果表明,硼族元素的掺入能够改善和提高K2La2Ti3O10的光解水产氢活性;在B,Al,Ga,In与Ti的物质的量的比为0.01:1的情况下,K2La2Ti3O10紫外光催化分解水产氢速率分别为151.7、119.6、155和119.2 umol·L-1·h-1,比K2La2Ti3O10掺杂改性前产氢速率分别提高了166%、110%、172%和109%,可见光分解水的产氢速率为67.0、60.5、55.0和50.0umol·L-1·h-1,分别为K2La2Ti3O10掺杂改性前产氢速率的4、3.7、3.3和3倍. 相似文献
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对新型取代基酞菁和酞菁晶体合成和性质进行了研究。因为酞菁在信息、医疗、化工等众多领域有很广泛的应用,所以近百年来一直是科学家研究的热点课题。酞菁经过近百年的研究,科学家已经合成了上万种酞菁衍生物,但是,随着科技的不断进步,人类社会不断发展的需求,具有新特性的新型酞菁的获得仍是相关科技工作者孜孜以求的目标。为此,在本论文中,我们改进了合成方法,合成了新型的桥联酞菁材料:1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22-二(桥联二丙羧基)酞菁铜,表征其结构。并研究电化学性质。首先以丙二酸和3,6-二羟基邻苯二腈为起始原料,以水为溶剂,加入浓硫酸作为催化剂,先合成前体,即丙二酸3,3′-二(6–羟基邻苯二腈)脂。然后再用丙二酸 3,3′-二(6-羟基邻苯二腈)脂与一水合乙酸铜,以正戊醇为溶剂,以DBU为催化剂,合成了1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22-二(桥联二丙羧基)酞菁铜,其分子式是C38H16N8O12Cu。对1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22–二(桥联二丙羧基)酞菁铜进行紫外吸收及荧光光谱测定,证明合成产物是目标产物,并研究了1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22-二(桥联二丙羧基)酞菁铜的电化学性质。 相似文献
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由于传统的子空间方法易于丢失图像目标的二维特性,为此本文提出了一种新颖的自适应目标跟踪算法,通过张量的方式建立目标的外观模型——张量子空间,利用在线学习的方法更新其外观模型,同时,利用目标仿射运动的先验信息,通过粒子滤波自适应地跟踪运动目标,并将获得的最优目标观测作为新数据反馈回子空间更新.此外,为了保证子空间更新能获得精确且紧致的目标子空间表达,引入动态部分函数滤除样本野点.实验结果表明,本文提出的自适应目标跟踪方法具有较强的鲁棒性,对于存在姿态变化、短时遮挡和光照变化等情况下均可有效地跟踪目标. 相似文献
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合成了一种新型的稀土配合物Eu0.5Tb0.5(TTA)3Phen,并采用原位乳液聚合法进一步制备了Eu0.5Tb0.5(TTA)3Phen/PMMA稀土聚合物。利用红外光谱仪(IR)、电子探针X射线能谱仪等对其结构进行了表征,利用扫描隧道电子显微镜(SEM)、荧光光谱仪(FS)等研究了其微观形貌,并探讨了其发光性能。结果表明,聚合物中PMMA与稀土部分Eu0.5Tb0.5(TTA)3Phen通过键合的方式结合, 仍保持Eu0.5Tb0.5(TTA)3Phen原有的发光特性;在365 nm紫外光的激发下,产生发光峰在611.8 nm附近、谱线带宽为10.4 nm的红光发射,发光亮度高,色纯度高;Eu0.5Tb0.5(TTA)3Phen/PMMA具有良好的发光性能,其发光强度与MMA加入的含量有关。 相似文献
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A comparative study of YBa2Cu3O7-δ/YSZ bilayer films deposited on silicon-on-insulator substrates with and without HF pretreatment 下载免费PDF全文
Highly epitaxial YBa2Cu3O7-δ (YBCO) and yttria-stabilized zirconia (YSZ) bilayer thin films have been deposited on silicon-on-insulator (SOI) substrates by using in situ pulsed laser deposition (PLD) technique. In the experiment, the native amorphous SiO2 layers on some of the SOI substrates are removed by dipping them in a 10% HF solution for 15 s. Comparing several qualities of films grown on substrates with or without HF pretreatment, such as thin film crystallinity, general surface roughness, temperature dependence of resistance, surface morphology, as well as average crack spacing and crack width, naturally leads to the conclusion that preserving the native SiO2 layer on the surface of the SOI substrate can not only simplify the experimental process but can also achieve fairly high quality YSZ and YBCO thin films. 相似文献