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182.
激光金等离子体中Au~(49+)能级寿命的相对论多组态计算 总被引:1,自引:0,他引:1
根据扩展的相对论多组态Dirac Fock理论,采用"多功能相对论原子结构程序",计算了类锌Au49+的能级寿命、能级宽度和光谱跃迁波长。计算所得的波长值与实验结果符合较好;能级寿命与能级宽度的大小关系符合海森堡的能量与时间测不准原理。 相似文献
183.
利用X 射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%, 36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn关键词:
磁控溅射
XRD
XAFS
xGe1-x稀磁半导体薄膜')" href="#">MnxGe1-x稀磁半导体薄膜 相似文献
184.
首先以Hwey-Lan Liou眼模型为基础,根据等效性原则,保持该眼模型中自然晶状体屈光度不变,对无穷远点成像。然后利用ZEMAX实现光线追迹的方法,将自然晶状体替换为可调节人工晶状体(accommodative intraocular lens,AIOL),结合对人眼成像质量影响的分析,研究了AIOL在眼内的移动度、材料、中心厚度、结构、光学面非球面性等因素对其屈光调节力的影响。结果表明:AIOL移动度对其调节力贡献最大,材料、中心厚度、结构对调节力基本无影响;具有非球面光学面的AIOL调节力相对较大。 相似文献
185.
186.
用密度泛函理论(DFT)的B3lyp方法在6-311++g(d,p)水平上对Al2O3Hx(x=1—3)分子的几何构型, 电子结构, 振动频率等性质进行了系统研究. 并给出了它们可能基态结构的总能量(ET), 零点能(Ez), 摩尔热容(Cv), 标准熵(S), 原子化能(ΔEm), 垂直电离能(IP)及垂直电子亲和能(EA). Al2O3H和Al2O3H2分子可能的基态的几何构型都为平面结构. Al2O3H3的两个可能为基态的几何构型都是在立体Al2O3(D3h)的几何结构基础上加三个氢原子构成. 这三个分子的能量最低结构为Al2O3H(2A′)Cs, Al2O3H2(1A′) Cs, Al2O3H3 (2A) C1. 相似文献
187.
本文基于原子分子反应静力学证明甲硅烷SiH4的分解方式Ⅱ是对称性允许的,而分解方Ⅰ是对称性不许可的. 相似文献
188.
铁电体独特的自发电极化双稳性质和非线性光学性质使其在光电子器件中得到广泛应用.为了实现器件的小型化和与微电子、光电子工艺兼容,铁电薄膜已成为一个研究热点.自发电极化的大小和取向以及外电场、缺陷和铁电薄膜/电极界面与自发电极化的交互作用决定了铁电薄膜的性质和服役行为.文章以铁电存储器和光电子器件应用为背景,选择了具有重大应用前景的Bi4-xLaxTi3O12(BLT)、SrBi2Ta2O9(SBT)、PbZrxTi1-xO3(PET)和LiNbO3(LN)铁电薄膜以及相关的La(Sr,Co)O3(LSCO)和LaNiO3(LNO)等电极材料为研究对象,研究了缺陷电荷和电畴的交互作用和它们在交变外电场中的动力学行为,探明了铁电薄膜疲劳现象的物理本质;从晶格结构与缺陷的观察研究入手,探索了材料铁电性质的起源和优化材料铁电性质的途径;从铁电薄膜/电极界面结构与性质的研究入手,寻找更有效、更稳定的电极材料与结构,从而为器件应用打下了基础;在研究外电场对铁电薄膜生长机制影响的基础上,找到了利用外电场调控铁电薄膜结构的新途径,发展了新的、与半导体器件和光电子器件工艺兼容的制膜方法. 相似文献
189.
190.