第一性原理研究GaP的电子结构、光学性质及各向异性

利用基于密度泛函理论(DFT),采用赝势平面波方法和广义梯度近似法(GGA)研究了闪锌矿ZB结构和盐岩RS结构GaP的基态电子结构、光学性质,根据能带理论初步研究GaP基态能带结构、总态密度(DOS)和分波态密度(PDOS),并计算出吸收系数,反射率,复介电函数,复折射率及能量损失函数.还计算了闪锌矿结构的GaP的各向异性.     

D4型量子包络代数的Gelfand-Kirillov维数

本文研究了D₄ 型量子包络代数的Gelfand-Kirillov 维数的计算问题. 利用文献[1] 中给出的Gelfand-Kirillov 维数的计算方法和文献[2] 中给出的D₄ 型量子包络代数的Groebner-Shirshov 基计算了D₄型量子包络代数的Gelfand-Kirillov 维数, 得到的主要结果是D₄ 型量子包络代数的Gelfand-Kirillov 维数为28. 希望此结果为计算D_n型量子包络代数的Gelfand-Kirillov 维数提供一些思路.     

含吖啶基的新型二氧代氮杂茂并[3',4'-d]异噁唑衍生物的合成及其生物活性研究

在三乙胺的作用下,N-芳基-马来酰亚胺分别与α-氯代9-吖啶甲醛肟和N-(N,N-对二甲氨基苯基)-C-(9-吖啶基)取代硝酮发生1,3-偶极环加成反应,合成了13个未见文献报道的新型3-(9-吖啶基)-5-芳基-3a,6a-二氢-4,6-二氧代氮杂茂并[3',4'-d]异噁唑啉衍生物3a～3f和2-(N,N-对二甲氨基苯基)-3-(9-吖啶基)-5-芳基-3a,6a-二氢-4,6-二氧代氮杂茂并[3',4'-d]异噁唑烷衍生物4a～4g,其结构经1HNMR,IR和元素分析确证.并对化合物3和4进行了初步药物活性筛选,其对HL-60人白血病细胞生长具有不同程度的抑制作用,但当样品浓度为10μmol/L时,抑制率为0～35%(IC5050%).化合物3f和4g对细胞分裂周期磷酸酯酶Cdc25A具有抑制作用:当样品浓度为20μg/mL时,其抑制率分别为50.90%和51.22%.     

连续函数之集在上半连续函数之集中的一种拓扑位置

设$(X,\rho)$是一个度量空间. 用$\dd {\rm USCC}(X)$和$\dd {\rm CC}(X)$ 分别表示从$X$ 到 $\I=[0,1]$的紧支撑的上半连续函数和紧支撑的连续函数下方图形全体. 赋予 Hausdorff 度量后, 它们是拓扑空间. 文中证明了, 如果 $X$ 是一个无限的且孤立点集稠密的紧度量空间, 则 $(\dd {\rm USCC}(X),\dd {\rm CC}(X))\approx(Q,c_0\cup (Q\setminus \Sigma))$, 即存在一个同胚 $h:~\dd {\rm USCC}(X)\to Q$, 使得 $h(\dd {\rm CC}(X))=c_0\cup (Q\setminus \Sigma)$, 这里 $Q=[-1,1]^{\omega},\,\Sigma=\{(x_n)_{n}\in Q: {\rm sup}|x_n|<1\},\, c_0=\Big\{(x_n)_{n}\in \Sigma: \lim\limits_{n\to +\infty}x_n=0\Big\}.$ 结合这个论断和另一篇文章的结果, 可以得到: 如果 $X$ 是一个无限的紧度量空间, 则 $(\uscc(X), \cc(X))\approx \left\{ \begin{array}{ll} (Q,c_0\cup (Q\setminus \Sigma)), &;\quad \text{如 果 孤 立 点 集 在} X \text{中稠密},\\ (Q, c_0), &;\quad \text{ 其他}. \end{array} \right.$ 还证明了, 对一个度量空间$X$, $(\dd {\rm USCC}(X),\dd {\rm CC}(X))\approx (\Sigma,c_0)$ 当且仅当 $X$是一个非紧的、局部紧的、非离散的可分空间.     

英文维文人名机器翻译算法的研究与实现

本文提出了一种基于规则库的多层过滤进行机器翻译的算法.该算法实现了英文人名向维吾尔文人名的自动翻译.该算法不同于传统的英维人名翻译系统所采取的方法,不需要建立丰富、全面的两种语言人名对齐词库.本算法在对已翻译的大量实例进行统计并分析的基础上,找出了英文与维文人名翻译的三层规则并设计出了本算法.     

基于协变张量方法的ψ衰变到γB(-B)的分波分析

最近BESⅡ合作组在p(-p)不变质量谱阈值附近观测到一个增强.利用协变张量方法,给出了ψ辐射衰变道ψ→γp(-p),γ∧(-∧),γ∑(-∑),γΞ(-Ξ)分波分析的理论公式.通过蒙特卡罗模拟,还给出了J/ψ→γp(-p)中光子和质子的角分布,它们可以作为将来对这些道分波分析的有用参考.     

维吾尔语句子边界识别算法的设计与实现

本文分析维吾尔语的句子结束形式,研究维吾尔语句子边界规则,给出了句子划分思路,并实现了维吾尔语句子边界识别算法及程序.在对大量手工划分句子语料进行统计测试结果表明,该句子边界识别程序准确率超过98.7%.维吾尔语句子边界识别的研究对实现维吾尔语词性标注系统、维吾尔语句法分析器、机器翻译等众多领域有着很高的实际意义.     

Growth of AlGaN Epitaxial Film with Chemical Vapour High A1 Content by Metalorganic Deposition

A high-Al-content AlGaN epilayer is grown on a low-temperature-deposited AlN buffer on （0001） sapphire by low pressure metalorganic chemical vapour deposition. The dependence of surface roughness, tilted mosaicity, and twisted mosaicity on the conditions of the AlGaN epilayer deposition is evaluated. An AlGaN epilayer with favourable surface morphology and crystal quality is deposited on a 2Onto low-temperature-deposited AlN buffer at a low V/Ⅲ flow ratio of 783 and at a low reactor pressure of 100 Torr, and the adduct reaction between trimethylaluminium and NH3 is considered.     

Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique

In this paper we propose a new method for measuring the thickness of the GaN epilayer, by using the ratio of the integrated intensity of the GaN epilayer X-ray diffraction peaks to that of the sapphire substrate ones. This ratio shows a linear dependence on the GaN epilayer thickness up to 2 μm. The new method is more accurate and convenient than those of using the relationship between the integrated intensity of GaN epilayer diffraction peaks and the GaN thickness. Besides, it can eliminate the absorption effect of the GaN epilayer.     

关于3-连通图最长圈的注

设C是3-连通图G的一个最长圈,H是G-V(C)的一个分支满足|H|≥3.文献[4]在给H附加一些条件后,证明|C|≥2d(u) 2d(v)-5,并且不等式严格成立除非G属于某些例外图类,这里u,v是G中两个不相邻的顶点.本文给出了上述例外图类的精确刻划.