体积产生负氢离子能量沉积及引出效率数值模拟研究

深入研究了负氢离子输运及能量沉积机理,采用全三维蒙特卡罗碰撞方法处理负氢离子与其他粒子间的碰撞,运用CHIPIC软件平台下的PIC(particle-incell)技术处理粒子的储存和磁场约束作用,在此基础上,对JAEA 10 A离子源中体积产生负氢离子输运和散射情景进行了模拟,并分析和讨论了不同气压和过滤磁场对体积产生负氢离子传输和引出特性的影响.结果显示:气压越大,体积产生负氢离子碰撞损耗越大,体积产生负氢离子达到器壁的数量和被引出的数量都越小;低气压放电环境中,过滤磁场对体积负氢离子的引出影响更强烈,且过滤磁场越大,引出效果越差.     

氢气压力对煤加氢反应影响的热重-气相色谱实验研究

采用加压热重分析仪和气相色谱仪联用的方法研究了府谷烟煤和海拉尔褐煤加氢反应过程中的失重规律和主要气体产物析出规律,升温速率15℃/min,压力0.1~5.0MPa,反应终温1000℃。实验结果表明,煤粉加氢反应主要分为初始干燥脱气、热分解及挥发分加氢,半焦加氢气化和焦炭加氢气化四个阶段。氢气压力的提高促进了挥发分自由基的加氢反应,抑制了含氧官能团脱除形成碳氧化物。在热分解及挥发分加氢阶段,府谷烟煤失重速率随氢气压力的升高而减小,氢气压力对海拉尔褐煤失重速率的影响不大。在半焦加氢气化阶段,CH₄生成速率随氢气压力的升高而增大,当氢气压力较高时(3~5MPa),海拉尔褐煤CH₄生成速率随氢气压力的升高不再增大。海拉尔褐煤O_daf较高,其半焦中含氧官能团提供的活性位较多。府谷烟煤H/C原子比较高,能提供更多的内部氢。府谷烟煤和海拉尔褐煤焦炭加氢反应动力学参数分别为k₀=2.38×10⁷ (min^-1·MPa^-1),E=231kJ/mol,n=1和k₀=2.64×10³ (min^-1·MPa^-0.736),E=127kJ/mol,n=0.736。     

天然气水合物藏裂缝注热的数值模拟研究

天然气水合物因其能量密度大、储量丰富、无污染等特点而被认为是一种新型的替代能源,如何提升天然气水合物储层渗透率是实现其商业化开采的关键。本研究提出使用人工压裂技术在水合物储层中形成裂缝网络,然后再将高温水注入储层来提升储层渗透率,并对沿裂缝注水过程进行了数值模拟。结果表明:人工压裂后,注入储层的热水能够到达储层深处,形成高温区和高渗透区,且注水量越大,形成的高渗透区范围越大。     

冲击声场的时域边界元分析

本文用时域边界元技术从理论上探求机械结构在冲击力作用下的瞬态声辐射规律,预报声场特性,为冲击噪声的研究提供理论分析方法和计算手段。     

岩石破碎吸收能与应变率之间的相关性研究

本文主要研究了岩石在高速冲击载荷作用下,不同围压对岩石破碎吸收能与应变率的相互关系。为了查明二者的全貌,示出了全应变范围内岩石破碎吸收能与应变率的关系曲线.试验采用三轴高速冲击试验装置(Split Hopkinson Bar).     

重火石、镧系镜片加工过程中的防腐

本文阐述了化学稳定性较差的一类光学镜面在冷加工进程中的腐蚀现象及产生的原因,并结合本厂实际生产说明所采取的防腐措施。     

HT—6B装置离子温度的光谱法测定

一、引言 在托卡马克高温等离子体诊断中,离子温度T_i是表征等离子体的重要参数之一,对定量了解等离子体内部的信息是非常有用的。它对能量输运、能量平衡和加热机制的研究都是必不可少的。     

论斯米尔诺夫统计量的真确分布及其渐近展开

§1.引言设X为一随机变数具有连续分布函数F(x),x_1,x_2,…,x_n是X_n次相互独立试验的结果。将n个数据依照数值从小到大排列起来,我们把这些结果写成函数通常称作X在n次独立试验下的经验分布函数。继A.H.柯尔莫哥洛夫求出经验分布F_n(x)与连续理论分布F(x)间最大绝对差值的极限分布之后,关于F_n(x)与F(x)间最大的差值H.B.斯米尔诺夫证明了下列极限定理:     

不满足代数微分方程的亚纯函数

本文证明Gamma函数Γ(z)及它与其它函数的复合与组合不满足代数微分方程,并且在某些情况下推广了Bank和Kaufman关于Gamma函数的结果。     

SYNTHESES AND PROPERTIES OF POLYMERIZABLE METALLOPHTHALOCYANINE DERIVATIVES

Metallophthalocyanine derivatives with polymerizable vinyl groups were synthesized, characterized and polymerized. Preliminary results on their Langmuir-Blodgett (LB) film formation and the electronic properties of (Indium-Tin Oxide/LB-film/Al) Schottky devices were reported.