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化学通报1955年6月号介绍了铜氨法制人造丝的方法,我在讲高中化学“人造丝和塑胶”时,采用了这个方法,效果很好。但是,如一些教科书(例如哈钦斯基著“有机化学”中译本第二册最后一页和茨维奇科夫著“有机化学”中译本75页)所指出,粘液法是应用最广的方法。因此,为了让学生更好的理解“人造丝和塑胶”一节的内容,我研究了实验室内以黏液法制人造丝的方法,并结合教学进行了实验。现在把我所介绍的方法提出来,供大家参考。按文献记载,工业上以黏液法制人造丝是以如下 相似文献
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近年来有不少报道从事于生理活性Drimane类倍半萜的合成,较多采用了分子间Diels-Alder反应来建立Drimane的骨架。本文首次采用内分子Diels-Alder反应作为关键反应合成了Drimane类化合物。同时还在引入了手性诱导基团后,首次完成了从无手性的原料化合物β-紫罗兰酮至光学活性(-)-drimenin1的不对称合成。 相似文献
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以皮胶原纤维为基质,通过交联剂分别将黑荆树单宁和杨梅单宁固化在胶原纤维上制备吸附材料。实验表明,这两种吸附材料对稀土金属离子La^3+有很好的吸附作用。在pH为4.5的条件下,当吸附剂用量为0.1 g,La^3+初始浓度为9.952 mmol·L^-1,固化杨梅单宁的平衡吸附量为0.388 mmol·g^-1,比固化黑荆树单宁略大,其吸附平衡均符合Freundlich方程。进一步研究了固化杨梅单宁的吸附动力学、温度、pH值等对吸附平衡的影响。结果表明,温度对吸附平衡的影响不明显;pH值对吸附平衡有较大影响,在适当范围内提高pH值会增加平衡吸附量;吸附动力学可用拟二级速度方程来描述。当吸附温度为293 K时,由拟二级速率方程计算所得的平衡吸附量与实测的平衡吸附量误差在3%以内。同时固化杨梅单宁也具有良好的柱动力学特性。 相似文献
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原位插层聚合制备聚丁二烯/蒙脱土纳米复合材料的结构与性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
聚合物 /粘土纳米复合材料由于具有常规复合材料所没有的结构、形态及更优异的力学、热学、阻燃、阻隔等性能 ,自 1 987由日本丰田公司首次报道了制备尼龙 6 粘土纳米复合材料以来 ,立刻引起人们的普遍关注[1~ 17] .目前报道的聚合物 /粘土纳米复合材料主要集中在以树脂为基体 ,例如 ,聚酰胺[1~ 4] 、聚苯乙烯[5~ 8] 、聚甲基丙烯酸甲酯[9,10 ] 、聚丙烯[11,12 ] 等 .制备以橡胶为基体的橡胶/粘土纳米复合材料研究较少 ,采用的方法多为通过橡胶大分子插层 ,如熔融插层法[1 3] 、溶液插层法[14 ] 、乳液法[15,16] 等 ,这些方法均存在插层… 相似文献
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Optical pulse shaper with integrated slab waveguide for arbitrary waveform generation using optical gradient force 下载免费PDF全文
Integrated optical pulse shaper opens up possibilities for realizing the ultra high-speed and ultra wide-band linear signal processing with compact size and low power consumption. We propose a silicon monolithic integrated optical pulse shaper using optical gradient force, which is based on the eight-path finite impulse response. A cantilever structure is fabricated in one arm of the Mach–Zehnder interferometer(MZI) to act as an amplitude modulator. The phase shift feature of waveguide is analyzed with the optical pump power, and five typical waveforms are demonstrated with the manipulation of optical force. Unlike other pulse shaper schemes based on thermo–optic effect or electro–optic effect, our scheme is based on a new degree of freedom manipulation, i.e., optical force, so no microelectrodes are required on the silicon chip,which can reduce the complexity of fabrication. Besides, the chip structure is suitable for commercial silicon on an insulator(SOI) wafer, which has a top silicon layer of about 220 nm in thickness. 相似文献