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1.
通过Heck—SonogashFT—IRa偶合法合成了含五蝶烯(Pentiptycene)基团的新型荧光共轭聚合物——聚对苯撑乙炔撑衍生物(PPE),分别为:侧链不对称烷氧基取代的PPE1和侧链单、双一丙基七异丁基多面体齐聚倍半硅氧烷(POSS)取代的PPE2、PPE3。采用FT—IR、^1H—NMR、UVVis、荧光发射光谱、TGA等仪器对PPE的结构和性能进行了分析测试,并研究了其与TNT之间的荧光响应。结果表明:PPE1、2、3均表现出良好的荧光性能及较高的荧光量子产率;对TNT显示出很高的猝灭敏感性,其荧光猝灭效率与TNT的浓度曲线表现为非线性关系,特别是侧链引入POSS的PPE2,提高了PPE的荧光量子产率及与TNT荧光猝灭效率,同时,PPE的热稳定性得到明显提高。  相似文献   
2.
简要介绍了纳米二氧化硅(SiO2)粒子的制备方法、结构和特性,对近年来国内外纳米SiO2的表面处理方法及聚合物/SiO2纳米复合材料的制备方法进行了阐述,并针对不同改性方法和制备方法的特点加以分析比较;讨论了SiO2粒子的分散机理和增强机理,并对未来的研究内容及方向提出展望。  相似文献   
3.
简要介绍了胺类末端官能化聚合物的国内外发展状况,按照伯胺类、仲胺类、叔胺类三类封端剂合成的官能化聚合物进行了分类介绍,对于利用不同的胺类封端剂合成官能化聚合物的官能化反应的机理、反应条件和反应特点进行了深入的分析对比,叙述了从苛刻的低温反应条件到室温或更高反应温度、从需要添加极性调节剂到使用非极性烃类做溶剂和从单一特殊的官能化封端反应到通用的官能化封端反应的发展历程,并对未来胺类末端官能化聚合物的发展进行了展望。  相似文献   
4.
以苯乙烯为单体、氯丙基七异丁基多面体低聚倍半硅氧烷(chloropropyllsobutyl POSS,POSS-Cl)为封端剂、正丁基锂(n-Bu Li)为引发剂、环己烷为溶剂、四氢呋喃(THF)为结构调节剂,采用阴离子聚合技术,合成了POSS端基官能化聚苯乙烯(PS-POSS).采用核磁共振仪(1~H-NMR、~(13)C-NMR)和凝胶渗透色谱仪(GPC)对PS-POSS的结构和分子量分布进行了表征,证明了POSS与聚苯环乙烯锂(PSLi)发生了封端反应生成PSPOSS;封端后分子量分布略有加宽,特别是相比传统有机封端剂,没有二聚等副产物生成.考察了引发剂种类、结构调节剂用量、POSS用量、PS分子量、封端反应温度和时间等因素对PS-POSS封端效率的影响.结果表明,在THF/n-BuLi摩尔比大于5、POSS/n-BuLi摩尔比等于1.1、反应温度为60℃、反应时间为30 min时,封端效率最高,达到80%以上;而随着PS数均分子量增加,封端效率逐渐降低.  相似文献   
5.
采用负离子引发原位插层聚合法制备了聚丁二烯(PB)/有机蒙脱土(OMMT)纳米复合材料(NC).对OMMT纯化方法、OMMT种类和溶剂等因素对聚合反应的影响进行了研究.不同方法纯化的OMMT消耗的BuLi量相差一倍;采用OMMT-DK1制备的NC具有较宽的分子量分布,而采用OMMT-DK1B和OMMT-DK4制备的NC则具有较窄的分子量分布;OMMT在环己烷中不溶解,在甲苯和二甲苯等溶剂中可形成均匀溶液.采用XRD、TEM和H-NMR等仪器对PB/OMMT NC的插层结构、化学结构和形态进行了分析;采用DSC、TGA和DMA等仪器对PB/OMMT NC的Tg、热学性能和动态力学性能进行了研究,结果表明,采用负离子原位插层聚合可得到剥离型PB/OMMT纳米复合材料;与OMMT插层复合明显改变了PB的微观结构组成,在OMMT含量为6.2wt%时,1,2-结构含量增加了近一倍,Tg和Tdc分别增加了10 K和16 K;E′、E″均明显提高,而tanδ下降.  相似文献   
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