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使用基于相对论多组态方法的FAC程序,研究了类钠Ni17+(3s)离子通过双激发态Ni16+(3pnl,3dnl)(Δn=0激发)的双电子复合过程,得到了态选择的双电子复合截面和速率系数,并与文献中的实验和理论数据进行了对比.结果发现,计算通过3p3/210l和3p1/211l共振态的双电子复合积分截面在实验误差范围内与实验测量很好地符合,并好于全相对论的多体微扰理论计算结果.结合量子亏损理论,发现包含高里德伯态的共振双激发态的辐射跃迁和自电离速率具有较好的标度关系,利用该关系给出了近激发阈值的所有共振态的双电子复合积分截面和速率系数.比较3pnl和3dnl两个系列,发现在低温(大约小于100eV)等离子体情况下前者速率系数比后者大,更高的温度后者大. 相似文献
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In the framework of T2HDM, we calculated the new physics contributions involving neutral Higgs bosons to the branching ratios of ^-Bs,d^0→e^+e^-(e= e,μ) decays. Comparing the theoretical predictions with the experimental upper-limits, we found that (a) The data of Br(^-Bs,d^0→e^+e^-) give the upper bound on tanβ: tanβ≤22, while Br(^-Bs^0→e^+e^-) give tanβ≤12 for fixed δ = 0^0, mH+ = 350 CeV, mH^0 = 160 GeV, mh^0 = 115 GeV and mA^0 = 120 GeV; (b) A light neutral Higgs boson mass mho (mA^0) less than 50 GeV (120 GeV) is excluded by the data of branching ratios for ^-Bs,d^0→e^+e^-(e = μ) decays with tanβ= 10; (c) The bounds on mh^0 and tanβ, or mA^0 and tanβ are strongly correlated: a smaller (larger) tanβ means a lighter (heavier) neutral Higgs boson. 相似文献
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The general features of the geometries and electronic properties for 3d,4d,and 5d transition-metal atom doped Au 6 clusters are systematically investigated by using relativistic all-electron density functional theory in the generalized gradient approximation(GGA).A number of structural isomers are considered to search the lowest-energy structures of M@Au 6 clusters(M=3d,4d and 5d transition-metal atoms),and the transition metal atom locating in the centre of an Au 6 ring is found to be in the ground state for all the M@Au 6 clusters.All doped clusters,expect for Pd@Au 6,show large relative binding energies compared with a pure Au 7 cluster,indicating that doping by 3d,4d,5d transition-metal atoms could stabilize the Au 6 ring and promote the formation of a new binary alloy cluster. 相似文献
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Surface Carbonization of GaN and the Related Structure Evolution during the Annealing Process 下载免费PDF全文
To explain the stabilization mechanism of the carbon-ion-implanted GaN under the diamond growth environment,the luminescence characteristics and structure evolution correlative with sites' carbon atoms located for highfluence carbon-ion-implanted Ga N are discussed. GaN is implanted with carbon ion using fluence of 2×10~(17) cm~(-2) and energy of 45 keV. Then the implanted samples are annealed at 800℃ for 20 min and 1 h under the N_2 atmosphere. The luminescence characteristics of carbon-ion-implanted GaN are evaluated by photoluminescence spectrum at wavelength 325 nm. The lattice damage of Ga N is characterized by Raman spectrum and the corresponding vacancy-defect evolution before and after annealing is measured by slow positron annihilation. The results show that most of the carbon atoms will be located at the interstitial sites after carbon ion implantation due to the weak mobility. As the implanted samples are annealed, strong yellow luminescence is emitted and the vacancies for Ga(V_(Ga)) are reduced resulting from the migration of interstitial carbon(C_i) and formation of complexes(CGaand/or C_(Ga)-C_i) between them. As the annealing time is prolonged, the carbon ions accommodated by the vacancies are saturated, vacancy clusters with carbon atoms appear and the concentration of C_(Ga) diminishes, which will have an adverse effect on the diamond film nucleation and growth. 相似文献
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