徐僖:中国塑料之父

徐僖,被誉为“中国塑料之父”,是我国著名的高分子材料学家。作为科研工作者,他为我国建设了第一家塑料工厂,创办了中国高校第一个塑料专业,开创了高分子力化学新方向,助推了国防工业和石油开采;作为教育工作者,他出版了中国高等工科院校第一本高分子教科书《高分子物化学原理》,用自己严谨治学的科学态度培养了大批优秀人才。本文通过回顾徐僖先生的求学经历和科研历程,重点介绍了徐僖为我国塑料工业、国防工业、教育教学事业做出的卓越贡献。     

双电层氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性

以环保可降解的天然生物材料制备功能器件越来越受到关注,利用天然鸡蛋清作为栅介质层,采用射频磁控溅射法在其上沉积ZnO薄膜有源层,制备低压双电层氧化锌基薄膜晶体管（ZnO-TFT）并对其电学特性进行了表征,研究了器件在栅偏压和漏偏压应力下电性能的稳定性及其内在的物理机制。该ZnO-TFT器件呈现出良好的电特性,载流子饱和迁移率为5.99 cm²/（V·s）,阈值电压为2.18 V,亚阈值摆幅为0.57 V/dec,开关电流比为1.2×10⁵,工作电压低至3 V。研究表明,在偏压应力作用下,该ZnO-TFT器件电性能存在一定的不稳定性,我们认为栅偏压应力引起的电性能变化可能来源于栅介质附近及界面处的正电荷聚集、充放电效应和新陷阱态的复合效应;漏偏压应力引起的电性能变化可能来源于焦耳热引起的氧空位及沟道中的电子陷阱。     

基于项目学习的高中化学教学设计与实践*——以“探究食品脱氧剂中的化学问题”为例

以“探究食品脱氧剂中的化学问题”为项目学习主题,以探究食品脱氧剂的主要成分、脱氧原理、能量转化形式为项目学习活动,呈现了基于项目学习的高中化学教学设计思路、教学流程,进行了项目教学实施,并结合前后测、学生自评互评和教师评价量表从知识、能力、素养等方面分析了实施项目教学后的效果。     

多元素营养鸡蛋的研制及临床应用研究

研制出钙、铁、锌含量（×１０－６）在４３０～４９）、２２～３２、２３～２６的多元素营养鸡蛋，临床上给６１名儿童、２０名孕妇、８例糖尿病人、６例肿瘤病人连续食用２个月后复查，指血钙、铁、锌值和血红蛋白水平均有提高，尤其对处于生理需要量增高时期的儿童、孕妇效果更明显（Ｐ＜０．０１）．表明选用鸡蛋作为补充钙、铁、锌元素的载体．是防治人体必需元素缺乏的一个良好途径。还就食物中各元素问的相互作用、体内代谢过程进行了讨论．     

倾倒出来的银镜

正1实验装置图1为实验装置,制作过程如下:取一个相框壳,装入与其大小相符的玻璃板。为了防止漏液污染相框,将组装好的相框背面朝上放入塑料盒中(剪去一部分是为了方便观察实验)。2实验药品硝酸银溶液(0.1mol/L),稀氨水(浓氨水与水的体积比为1:4),氢氧化钠溶液(1mol/L),葡萄糖溶液(3%)等。3实验步骤(1)用稀硝酸洗涤玻璃板,再用去离子水洗,直到可形成均匀的水膜。将其立起来自然晾干或用吹风机快速吹干。     

顺铂:从意外合成到抗癌应用

19世纪中叶,顺铂在实验室意外合成。18世纪末到19世纪80年代,以原子-分子论为基础的配合物理论,对顺铂结构的探索从依赖宏观现象和经验归纳发展为微观层面的假说演绎。19世纪末,电子的发现使得配合物理论进入电子时代,并因此对顺铂结构有了新的解释。20世纪60年代,顺铂的抗癌价值得以发现,至今仍不断改良顺铂以减弱其副作用。顺铂的合成和抗癌应用过程,包含着对物质由表及里的认识过程,展现了化学家认识物质、改造物质的动态发展过程,对化学研究和化学教育均有重要的启示。     

非自治的Schroedinger方程的吸引子

研究2维的非自治非线性Schroedinger方程长时间的动力学行为。证明了一致吸引子的存在性,并给出了该一致吸引子Hausdorff维数的上界。     

融合化学史和生活的二氧化碳教学设计

以二氧化碳的发现史为主线,基于化学史、生活与教学融合的思想进行教学设计：从化学史提出问题,引导学生进行实验探究,在探究中建构知识,并将知识应用于生活实际,从而完成教学目标,达到提升学生科学素养的目的。     

Improvement in the electrical performance and bias-stress stability of dual-active-layered silicon zinc oxide/zinc oxide thin-film transistor

Si-doped zinc oxide(SZO) thin films are deposited by using a co-sputtering method,and used as the channel active layers of ZnO-based TFTs with single and dual active layer structures.The effects of silicon content on the optical transmittance of the SZO thin film and electrical properties of the SZO TFT are investigated.Moreover,the electrical performances and bias-stress stabilities of the single- and dual-active-layer TFTs are investigated and compared to reveal the effects of the Si doping and dual-active-layer structure.The average transmittances of all the SZO films are about 90% in the visible light region of 400 nm-800 nm,and the optical band gap of the SZO film gradually increases with increasing Si content.The Si-doping can effectively suppress the grain growth of ZnO,revealed by atomic force microscope analysis.Compared with that of the undoped ZnO TFT,the off-state current of the SZO TFT is reduced by more than two orders of magnitude and it is 1.5 × 10~(-12) A,and thus the on/off current ratio is increased by more than two orders of magnitude.In summary,the SZO/ZnO TFT with dual-active-layer structure exhibits a high on/off current ratio of 4.0 × 10~6 and superior stability under gate-bias and drain-bias stress.     

扶手椅型硅纳米管的电学性质研究

本文采用密度泛函理论的第一性原理方法,对手性指数m=n=K（K为3～15的整数）的扶手型硅纳米管的能带结构和态密度进行了研究。计算结果表明,扶手型（3,3）硅纳米管为间接带隙结构,其余均为直接带隙结构;随着手性指数的增加,硅纳米管的直径增大,硅纳米管的禁带宽度逐渐减小,且导带逐渐下移,总态密度图峰值强度增大;扶手型（3,3）硅纳米管的禁带宽度最大;扶手型（13,13）硅纳米管的禁带宽度最小,说明其导电性优于其他手性指数的扶手椅型硅纳米管;同时,扶手型（4,4）硅纳米管的导带和价带出现重叠,说明扶手型（4,4）硅纳米管为金属性纳米管;态密度图表明扶手型（9,9）硅纳米管的价带顶主要由Si-3p电子态构成,导带底由Si-3p态电子和Si-3s态电子共同构成。