全文获取类型
收费全文 | 916篇 |
免费 | 561篇 |
国内免费 | 173篇 |
专业分类
化学 | 225篇 |
晶体学 | 25篇 |
力学 | 63篇 |
综合类 | 29篇 |
数学 | 13篇 |
物理学 | 1295篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 23篇 |
2022年 | 33篇 |
2021年 | 28篇 |
2020年 | 19篇 |
2019年 | 23篇 |
2018年 | 17篇 |
2017年 | 38篇 |
2016年 | 46篇 |
2015年 | 60篇 |
2014年 | 122篇 |
2013年 | 82篇 |
2012年 | 92篇 |
2011年 | 104篇 |
2010年 | 108篇 |
2009年 | 87篇 |
2008年 | 93篇 |
2007年 | 75篇 |
2006年 | 64篇 |
2005年 | 74篇 |
2004年 | 68篇 |
2003年 | 83篇 |
2002年 | 32篇 |
2001年 | 39篇 |
2000年 | 25篇 |
1999年 | 39篇 |
1998年 | 20篇 |
1997年 | 20篇 |
1996年 | 23篇 |
1995年 | 17篇 |
1994年 | 14篇 |
1993年 | 14篇 |
1992年 | 19篇 |
1991年 | 7篇 |
1990年 | 9篇 |
1989年 | 8篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 4篇 |
1982年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有1650条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
4.
By using the measure of von Neumann entropy, we numerically investigate quantum entanglement of an electron moving in the one-dimensional Harper model and in the one-dimensional slowly varying potential model. The delocalized and localized eigenstates can be distinguished by von Neumann entropy of the individual eigenstates.There are drastic decreases in von Neumann entropy of the individual eigenstates at mobility edges. In the curve of the spectrum averaged von Neumann entropy as a function of potential parameter λ, a sharp transition exists at the metal-insulator transition point λc = 2. It is found that the von Neumann entropy is a good quantity to reflect localization and metal-insulator transition. 相似文献
5.
We present a compact improved model of the magnetically insulated line oscillator with new-type beam dump and other novel features. In the experiments, high-power microwave of the TM01 mode is generated from the device with a frequency range of 1.73-1.78 GHz and a peak power level of above 2 GW, when the diode voltage is taken in the range 520-540kV, and the diode current is in the range 58-62kA. This confirms the simulation results. 相似文献
6.
7.
将介观无损耗传输线中的驻波场看成作相对运动的两列同频率的行波的叠加,此电路量子化后成为两个频率相同、不同模的光子场。计算和分析了激发相干态下电压和电流梯度的量子涨落,指出了双模传输线与一般的LC电路、双模传输线与单模传输线量子涨落的异同之处。 相似文献
9.
在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1~800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。 相似文献
10.
用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量
关键词:
薄氧
可靠性
击穿电压
击穿电量 相似文献