同轴静电纺丝技术制备Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角状纳米电缆与表征

采用同轴静电纺丝技术,以氧化钇、氧化铕、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、无水乙醇、PVP和DMF为原料,成功制备出大量的Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆.用TG-DTA,XRD,SEM,TEM和荧光光谱等分析技术对样品进行了系统地表征.结果表明,得到的产物为Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆,以无定型SiO2为壳层,晶态Y2O3:Eu3+球为芯,电缆直径约为200nm,内部球平均直径约150nm,壳层厚度约为25nm,电缆长度300μm.纳米电缆内部为球状结构,沿着纤维长度方向有序排列,形貌均一.Y2O3:Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆在246nm紫外光激发下,发射出Eu3+离子特征的波长为614nm的明亮红光.对其形成机理进行了初步讨论.     

ZnO@SiO_2同轴纳米电缆的静电纺丝技术制备与表征

采用同轴静电纺丝技术,以硝酸锌、正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、无水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为原料,成功制备出大量的ZnO@SiO2同轴纳米电缆。用TG-DTA,XRD,SEM,TEM,FTIR等分析技术对样品进行了表征。结果表明,得到的ZnO@SiO2同轴纳米电缆的壳层为无定型SiO2,厚度为50nm,芯轴为晶态ZnO,电缆直径为300~450nm,长度大于300μm。探讨了ZnO@SiO2同轴纳米电缆的形成机理。     

静电纺丝技术制备NiO@Al2O3@TiO2同轴三层亚微米电缆及其形成机理

采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,采用同轴三喷嘴实验装置代替传统的单喷嘴实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[Al(NO3)3+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出了NiO@Al2O3@TiO2同轴三层纳米电缆. 采用差热-热重(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征. 结果表明,所得产物为NiO@Al2O3@TiO2同轴三层纳米电缆. 纳米电缆芯层为NiO,直径大约为137.83±8.85 nm;中间层为Al2O3,厚度大约为215.11±8.66 nm;壳层为TiO2,厚度大约为156.26±16.50 nm. 对NiO@Al2O3@TiO2同轴三层纳米电缆的形成机理进行了讨论.     

同轴静电纺丝技术制备Y2O3:Eu3＋@SiO2豆角状纳米电缆与表征

采用同轴静电纺丝技术, 以氧化钇、氧化铕、正硅酸乙酯(C₈H₂₀O₄Si)、无水乙醇、PVP和DMF为原料, 成功制备出大量的Y₂O₃:Eu^3＋@SiO₂豆角状纳米电缆. 用TG-DTA, XRD, SEM, TEM和荧光光谱等分析技术对样品进行了系统地表征． 结果表明, 得到的产物为Y₂O₃:Eu^3＋@SiO₂豆角状纳米电缆, 以无定型SiO₂为壳层, 晶态Y₂O₃:Eu^3＋球为芯, 电缆直径约为200 nm, 内部球平均直径约150 nm, 壳层厚度约为25 nm, 电缆长度＞300 μm. 纳米电缆内部为球状结构, 沿着纤维长度方向有序排列, 形貌均一. Y₂O₃:Eu^3＋@SiO₂豆角状纳米电缆在246 nm紫外光激发下, 发射出Eu^3＋离子特征的波长为614 nm的明亮红光. 对其形成机理进行了初步讨论.     

NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆的制备、表征及形成机理研究

采用静电纺丝技术, 通过改进实验装置, 在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH₃COO)₂＋PVP]@[SnCl₄＋PVP]@[Zn(CH₃COO)₂＋PVP]@[Ti(OC₄H₉)₄＋CH₃COOH＋PVP]前驱体复合电缆, 将其进行热处理, 制备出NiO@ SnO₂@Zn₂TiO₄@TiO₂同轴四层纳米电缆. 采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征. 结果表明, 所得产物为同轴四层纳米电缆, 芯层为NiO, 直径为35～55 nm|第二层为SnO₂, 厚度为30～50 nm|第三层为Zn₂TiO₄, 厚度为25～40 nm|壳层为TiO₂, 厚度为40～90 nm. 对同轴四层纳米电缆的形成机理进行了探讨.     

同轴三层纳米电缆NiO@SiO2@TiO2的制备与表征

采用静电纺丝技术, 通过改进实验装置, 成功地制备出了NiO@SiO₂@TiO₂同轴三层纳米电缆. 采用差热-热重(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行表征, 结果表明, 所得产物为NiO@SiO₂@TiO₂同轴三层纳米电缆, 内层为NiO, 直径大约为40～50 nm|中间层为SiO₂, 厚度大约为40～45 nm|外层为TiO₂, 厚度大约为45～50 nm. 对NiO@SiO₂@TiO₂同轴三层纳米电缆的形成机理进行了讨论.     

三层同轴静电纺丝技术制备TiO2@SiO2同轴双壁亚微米管及光催化性能研究

采用三层同轴静电纺丝技术,以钛酸丁酯、正硅酸乙酯、聚乙烯吡咯烷酮、无水乙醇、芝麻油、山梨糖醇酐油酸酯和氯仿为原料,成功制备出TiO2@SiO2同轴双壁亚微米管.用差热–热重分析、X射线衍射、红外光谱仪、扫描电镜、透射电镜和能谱仪对样品进行了表征.结果表明,得到的产物为TiO2@SiO2同轴双壁亚微米管,以非晶态SiO2为外壳,晶态金红石型TiO2为内壁,同轴双壁亚微米管平均直径约680 nm,管壁厚约70 nm、内壁厚约40 nm、外壳厚约30 nm,长度大于20μm,对其形成机理进行了分析.同轴双壁亚微米管对罗丹明B显示了较好的光催化活性.     

静电纺丝技术制备TiO2@SiO2亚微米同轴电缆与表征

用静电纺丝技术成功制备出大量的TiO₂＠SiO₂亚微米同轴电缆. 用TGA-DTA, XRD, SEM, TEM, EDS, FTIR分析技术对样品结构和组成进行了系统的表征. 结果表明, 得到的产物为TiO₂＠SiO₂亚微米级同轴电缆, 以无定型SiO₂为壳层, 晶态TiO₂为芯层, 电缆平均直径450 nm, 壳层厚度90 nm, 电缆长度＞300 μm, 同时在样品中发现个别纤维呈现管状结构, 对其形成机理进行了讨论.     

静电纺丝技术制备TiO2@SiO2亚微米同轴电缆与表征

用静电纺丝技术成功制备出大量的TiO₂＠SiO₂亚微米同轴电缆. 用TGA-DTA, XRD, SEM, TEM, EDS, FTIR分析技术对样品结构和组成进行了系统的表征. 结果表明, 得到的产物为TiO₂＠SiO₂亚微米级同轴电缆, 以无定型SiO₂为壳层, 晶态TiO₂为芯层, 电缆平均直径450 nm, 壳层厚度90 nm, 电缆长度＞300 μm, 同时在样品中发现个别纤维呈现管状结构, 对其形成机理进行了讨论.     

Ag/C同轴纳米电缆的制备

采用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)辅助水热法合成了Ag/C同轴纳米电缆,并用SEM、TEM、XRD和EDS对产物进行了表征。结果表明,产物为长达数十微米,内核直径80～100 nm,壳厚约100 nm的纳米电缆。初步探讨了Ag/C同轴纳米电缆的生长机制。     

Aligned Zn-Zn2SiO4 core-shell nanocables with homogeneously intense ultraviolet emission at 300 nm

Aligned coaxial nanocables were grown on Si substrates by a vapor-deposition technique. The lengths of the nanocables increased as the distance between the substrate and the source decreased. The nanocables were characterized as homogeneously crystallized shells of about 25 nm thick, diameters of about 100 nm, and round top ends. It was found that the shell emits an intense middle-ultraviolet about 300 nm at room temperature. This emission was attributed to the thin double-layer structure in the Zn-Zn2SiO4 core-shell nanocable where the Zn2SiO4 shell has the potential to serve as more ideal luminophors. The results demonstrated that the nanocable density could be changed by altering nucleation density at the steps on the substrate surface. The unique growth manner described herein provides a new technique for the homogeneous crystallization of Zn-Zn2SiO4 core-shell nanocables.     

MWCNT@SiO_2纳米同轴电缆的制备及储锂性能

以多壁碳纳米管(MWCNT)为模板,通过正硅酸乙酯(TEOS)的水解缩聚反应制得MWCNT@SiO2纳米同轴电缆.采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和电化学测试对样品的形貌、结构及电化学性能进行表征.结果表明,MWCNT表面包覆了一层厚度均匀的多孔SiO2层,利于其获得较好的储锂性能.作为锂离子电池负极材料,MWCNT@SiO2纳米同轴电缆表现出了较高的比容量和较好的循环性能.在100 m A/g电流密度下经过80次循环,MWCNT@SiO2纳米同轴电缆的放电比容量仍高达431.7 m A·h/g,高于石墨材料的理论比容量(372 m A·h/g).     

Fabrication of SiC-C coaxial nanocables: thickness control of C outer layers

Aligned SiC-C coaxial nanocables were synthesized via the direct growth of SiC nanowires from silicon substrates and subsequent carbon deposition using pyrolysis of methane; the average diameter of the SiC nanowire cores is 20 nm; the thickness of the C outer layers is controlled in the range 3-50 nm; the degree of crystalline perfection of the graphitic sheets increases with the thickness.     

铟掺杂氧化锌-氧化硅纳米电缆芯-壳异质结构的制备及表征

利用碳热还原反应气相沉积法制备了铟掺杂氧化锌-氧化硅纳米电缆芯-壳异质结构. X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及X射线能谱(EDS)研究表明, 纳米电缆内芯为结晶完好的单晶纤锌矿结构, 外壳包覆一层氧化硅非晶层. 纳米电缆直径为30-60 nm, 长径比大于100. 掺杂纳米异质结构的生长机理与传统的金属晶种辅助气-液-固(VLS)机理有所不同. 这种掺杂纳米异质结构有望作为理想的结构单元应用于纳米器件领域.     

Synthesis and characterization of ultrahigh crystalline TiO2 nanotubes

Ultrahigh crystalline TiO2 nanotubes were synthesized by hydrogen peroxide treatment of very low crystalline titania nanotubes (TiNT-as prepared), which were prepared with synthesized TiO2 nanoparticles by hydrothermal methods in an aqueous NaOH solution. Thus, prepared ultrahigh crystalline TiO2 nanotubes (TiNT-H2O2) showed comparable crystallinity with high crystalline TiO2 nanoparticles. The details of nanotubular structures were elucidated by high resolution-transmission electron microscopy (HR-TEM), field emission-scanning electron microscopy (FE-SEM), energy-dispersive X-ray analysis in transmission electron microscopy (TEM-EDX), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), and BET surface area. TiNT-H2O2 was found to be a multiwalled anatase phase only with an average outer diameter of approximately 8 nm and an inner diameter of approximately 5 nm and grown along the [001] direction to 500-700 nm long with an interlayer fringe distance of ca. 0.78 nm. The photocatalytic activity of TiNT-H2O2 was about 2-fold higher than those of TiNT-as prepared, synthesized TiO2 nanoparticles, and TiO2-P25 (Degussa) in the photocatalytic oxidation of trimethylamine gas under UV irradiation.