磁场对钙钛矿结构的铁磁体临界行为的影响

采用传统的固相反应法制备了具有钙钛矿结构的稀土锰氧化物La2/3Ca1/3MnO，多晶样品，使用超导量子干涉磁力仪对样品的零场降温磁化强度、有场降温磁化强度和初始磁化强度进行了表征。顺磁相到铁磁相的转变温度发生在265K。零场降温和有场降温磁化强度在260K以上出现分叉，我们认为这是由于零场降温和有场降温磁化强度的不同测试过程导致的。应用标度理论，对外磁场引起的临界行为的变化进行了研究。结果表明，外磁场增加可以导致体系的磁有序程度的增加。     

Mn和Fe掺杂SnO2的水热合成与磁结构研究

采用水热法合成了Sn1-x-yMnxFeyO2(0≤x≤0.10, 0≤y≤0.10)稀磁半导体. 通过XRD, Raman, TEM, SQUID和Mössbeaur等技术对化合物进行了结构和性能的表征. 结果表明, XRD中没有出现第二相的沉积, Raman光谱中出现了Mn位于SnO2晶格中的局域模式. 磁性测试结果表明, 当x=0.10, y=0时, 样品在低温下具有较强的磁化强度, 但室温下其磁化强度急剧降低. 而y=0.10, x=0时, 样品的磁化强度和矫顽力都比较小, 但随温度的改变变化不大, Mössbeaur谱测试结果表明, 其中的Fe一部分是铁磁耦合的, 拟合得到超精细场和同质异能移等参数表明, 铁磁性来源于Fe替代SnO2本征性能. Mn和Fe共同掺杂的样品的磁化强度随x的减少和y的增加而减少, 矫顽力却相对于单一元素掺杂的样品大大增加.     

Gd5Si1.75Ge1.75Sn0.5的结构、磁相变与磁熵变

采用粉末XRD和振动样品磁强计研究了Gd5Si1.75Ge1.75Sn0.5合金的结构、磁相变和低场变化下的磁熵变。磁性测量结果表明,Gd5Si1.75Ge1.75Sn0.5合金的磁化强度在居里温度附近发生突变,具有一级相变的典型特征,室温具有Gd5Si2Ge2型单斜结构;合金低场磁热效应非常明显,1.8T磁场变化下,在其居里温度272K附近的最大磁熵变为16.7J.kg-1.K-1。用成本低廉的Sn取代Gd5Si2Ge2中部分Si和Ge后,Gd5Si1.75Ge1.75Sn0.5在低磁场变化下的磁熵变比金属Gd大得多并略高于Gd5Si2Ge2。     

La0.67Ba0.33MnO3中Bi掺杂产生的低场磁电阻增强效应

将Bi2O3掺杂到溶胶-凝胶法制备的La0.67Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中, 结果发现随着Bi的掺杂, 材料的磁化强度和居里温度基本不变, 但电阻率发生明显变化, 在0～10% (摩尔分数)的掺杂范围内, 电阻率先急速上升后缓慢降低. 掺Bi可以使低温下的低场磁电阻得到显著增强, 但并不改变与双交换作用有关的本征磁电阻; 掺Bi也使室温下的磁电阻得到明显增强.     

Dy_3NiSi_2合金磁相变与磁热性能研究

通过对Dy_3NiSi_2合金样品的X射线粉末衍射谱、等温变磁磁化曲线、等磁场变温磁化曲线分析,主要研究了合金的相结构和晶格参数、磁相变属性和磁热性能。X射线衍射谱表明Dy_3NiSi_2样品几乎为Gd_3NiSi_2型正交结构(空间群:Pnma, No.62)的单相合金,其晶格常数分别为a=1.1242(3) nm,b=0.41073(3) nm,c=1.1223(9) nm。在45～300 K温度范围内, Dy_3NiSi_2合金仅展现出铁磁-顺磁相变, 0.01 T磁场下的dM/dT和0～2 T磁场下的Arrott图表明, Dy_3NiSi_2合金的磁相变为居里温度T_c=54 K的铁磁-顺磁二级磁相变。在0～2 T磁场范围内, Dy_3NiSi_2合金居里温度处的最大磁熵变为3.65 J·(kg·K)~(-1),相对制冷量为167.9 J·kg~(-1)。     

Nd—Fe—B烧结磁体的磁化行为

研究了热退磁态和磁场退磁态Nd-Fe-B和Nd-Dy-Fe-B烧结磁体室温至150℃不同磁化场的磁化曲线、退磁曲线和磁滞回线。室温下磁场退磁态磁化曲线和内禀矫顽力_MH_C随磁化场H_M的变化曲线在磁化场接近样品最大内禀矫顽力绝对值时出现台阶,当温度升至100～150℃或样品在居里温发以上热退磁后,磁化曲线的形状由阶梯型变成陡峭型,而且_MH_C—H_M曲线的台阶移到低磁化场。膝点矫顽力H_K随H_M的快速升高出现在_MH_C随H_M的快速升高之后。表明Nd-Fe-B烧结磁体的磁硬化主要被畴壁钉扎所控制。     

Tb1-xPrxFe1.96 (x=0,0.1,...,0.7)化合物的磁性能及其物相组成的研究

研究了名义成分为Tb1-xPrxFe1.96 (x=0, 0.1, ..., 0.7)化合物的磁性能及其物相组成. 研究发现, 随着Pr含量的上升, 化合物在易磁化方向的饱和磁化强度先下降后上升, 从x=0的77.24 Am2·kg-1, 下降到x=0.5的最低值11.84 Am2·kg-1, 再回复到x=0.7的37.14 Am2·kg-1; 在x=0.2时化合物开始出现非立方相结构; 化合物主相从x=0时的1:2相过渡为x=0.4时的1:3相, 最后变为x=0.7时的2:17相. 而且Pr的含量越高, 化合物的物相组成就越复杂.     

磁场作用对明胶中卤化银乳剂制备的影响及机理探讨

本文报道了磁处理对明胶中单注法制备卤化银乳剂的影响,SEM照片及粒径分布曲线表明,在本实验磁场条件下,经磁化处理的乳剂较未经处理的乳剂,平均粒径大,颗粒分布均匀,晶粒分散状态良好.机理分析认为磁场处理影响了溶液中离子的水合程度,而且能增加溶液的有序程度,这两方面的因素导致了磁处理和未经磁处理之间的差异.磁处理能够影响明胶中卤化银的结晶过程,这可能为控制制备胶体中颗粒的大小及分布提供新思路.     

磁性阳离子交换树脂的结构与性能分析

利用古埃磁天平法、扫描电镜、粉末Ｘ射线衍射以及分光光度法等检测了化学转化法制备的磁性阳离子交换树脂。结果表明,所制备的树脂内部磁性物质为Ｆｅ３Ｏ４,且在 树脂内部的孔道及表面分布均匀,均被封锁在树脂内部,因而,这类磁性树脂在碱性和中性盐溶液中具有较高的稳定性。此外,树脂的磁化过程并不影响其交换容量。     

稀土-过渡族金属非晶态磁光薄膜表面氧化的物理过程研究

本文报道用表面效应(光电子能谱,极克尔效应)和体效应(磁化强度,矩曲线)研究稀土-过渡族金属(RE-TM)非晶态磁光薄膜表面氧化的物理过程。稀土选择性氧化,在薄膜表面富集,过渡族金属在氧化层内贫乏。表面氧化层内的Fe_2O_3对平面磁化有贡献,且在转矩曲线上180°处出现异常峰,其峰值大小和表面氧化层深度有关。铁比钴容易和氧结合,RE-Co磁光薄膜有奸的抗湿抗氧性能。     

工业应用中钕铁硼磁体不可逆磁通损失的影响因素研究

由于Nd-Fe-B磁体热稳定性较差,在服役过程中会产生不可逆磁通损失,限制了磁体的应用范围。通过探究钕铁硼磁体不可逆磁通损失与矫顽力、导磁系数(Pc值)、服役温度、服役时间之间的关系,并阐述了磁体不可逆磁通损失的产生机制。研究发现磁体随服役温度和服役时间的增加不可逆磁通损失大幅度增加,热稳定性变差,提高磁体矫顽力和Pc值可以降低磁体的不可逆磁通损失。不可逆磁通损失的产生主要是磁体磁矩发生偏转,与原磁化方向不同,反向畴增多,形成了反磁化场,造成磁体磁性能下降。     

硼和铟掺杂对Fe81Ga19快淬薄带的微结构、磁致伸缩性能及磁性的影响

通过甩带快淬法制备三元合金（Fe_0.81Ga_0.19）_100-xB_x （Fe-Ga-B）和（Fe_0.81Ga_0.19）_100-xIn_x （Fe-Ga-In）薄带样品,并对Fe-Ga-B合金样品进行热处理。通过高分辨X射线衍射（HRXRD）和扩展X射线吸收精细结构谱（EXAFS）技术表征薄带的微观结构,利用振动样品磁强计和标准电阻应变仪测量了样品的磁性及饱和磁致伸缩系数。研究表明,有序的L1₂相降低了（Fe_0.81Ga_0.19）₉₈B₂样品的磁致伸缩系数。B原子添加形成的Fe₂B相和modified-DO₃相有利于提高Fe-Ga合金的磁致伸缩系数。但Fe₂B相的饱和磁化强度小于A₂相,饱和磁场却远大于A₂相,因此随着B含量的增加,Fe-Ga-B薄带的饱和磁化强度逐渐减小,矫顽力逐渐增加。合金中形成的非磁性富In相使得In掺杂Fe-Ga-In合金的磁致伸缩系数和饱和磁化强度均减小。非磁性富In相使晶格产生畸变,减弱了磁弹性效应,并且抑制了磁畴的运动,从而明显地减小了Fe-Ga带材样品的磁致伸缩系数以及饱和磁化强度,提高了Fe-Ga合金的矫顽力。     

Gd7Pd3-xFex合金磁性及磁热效应的研究

采用电弧熔炼和高温退火的方法制备了Gd7Pd3-xFex(x=0, 0.2, 0.5, 0.8和1)合金材料,并对该系列合金材料的磁特性及磁热效应进行了研究。X射线粉末衍射研究表明,所有的材料均形成Th7Fe3型结构。并且随着x的增大,晶格常数、居里温度、饱和磁化强度和最大磁熵变均有所降低。相比于Gd7Pd3,掺入Fe元素的材料可以获得更接近室温的居里温度和更宽的工作温区,从而导致了7 T磁场下高达1096 J·kg^-1的相对制冷能力(RCP), Gd7Pd3-xFex有望被用于室温附近的磁制冷。     

尖晶石结构MFe_2O_4(M=Ca,Mg,Cu,Zn)纳米晶粉末的制备和磁性能（英文）

采用新型氨基凝胶自燃法成功制备出尖晶石结构MFe_2O_4(M=Ca,Mg,Cu,Zn)纳米晶粉末。对合成粉体样品的物相、形貌和磁性能进行了详细的研究。经能量色散X射线谱分析确定了合成MFe_2O_4粉末的高纯度。系统地研究了所合成的MFe_2O_4纳米晶粉末的磁性能。所有样品的磁滞回线均较窄,表明了它们具有软磁的特征。经测试得出4种铁氧体的饱和磁化强度(M_s)分别为2.1,29.3,24.1和4.2 emu·g~(-1);剩余磁化强度(M_r)分别为0.2,2.3,11.4和0.2 emu·g~(-1)。这4种铁氧体样品的M_r/M_s值均小于0.5。对CaFe_2O_4和MgFe_2O_4两种典型铁氧体的零场冷却和场冷磁性能作了详细的研究。其中CaFe_2O_4样品的磁化强度在75 K以下有不一致的变化趋势,这是由于其发生了磁相变。     

金属间化合物Y(Fe_(1-x)Co_x)_(11.3)Nb_(0.7)的磁性能机制研究

通过X射线衍射和磁性测量方法研究了金属间化合物Y(Fe1 -xCox) 1 1 .3 Nb0 .7(x =0 ,0 0 5 ,0 10 ,0 2 0 )的结构与磁性能。粉末样品的X射线衍射和热磁曲线测量表明 ,所有Y(Fe1 -xCox) 1 1 .3Nb0 .7(x =0 ,0 0 5 ,0 10 ,0 2 0 )化合物具有ThMn1 2 型结构 ,具有良好的单相性。Co替代Fe引起居里温度显著提高和晶格常数的单调减小 ,室温下的饱和磁化强度Ms 随Co含量的增加在x =0 1～ 0 2之间呈现极大值 ,各向异性场Ba 随x的增加 ,先增加而后减小     

钙钛矿锰氧化物La_(0.875)Eu_(0.025)Sr_(0.1)MnO_3的磁性和磁卡效应研究

多晶样品La_(0.875)Eu_(0.025)Sr_(0.1)MnO_3用传统固相反应法制备得到。X射线衍射仪(XRD)表明样品为纯相。通过测量磁化强度随温度的变化曲线(M-T)、不同温度下磁化强度随磁场的变化曲线(M-H)研究了该多晶样品的磁性及磁卡效应。研究发现:样品在低温部分表现出团簇自旋玻璃的特征,在15～125 K温度范围内表现为铁磁特征;在125～350 K温度范围内表现出预成型团簇相的特征;在350 K以上表现出纯顺磁特征。在居里温度T_C≈119 K附近,系统发生了二级相变而且出现较大的磁熵变值,样品在7 T外加磁场下的最大磁熵变绝对值为2.83J·K~(-1)·kg~(-1),磁制冷效率为427.53 J·kg~(-1)。因此,该样品具有在高温区实现磁制冷的潜能。     

深冷状态下纳米镝铁氧体磁粒子磁性能的研究

采用湿化学法制备出稀土Dy3+掺杂的纳米Fe3O4磁粒子,用月桂酸进行了表面修饰,研究了磁粒子在室温和深冷(200.2～56.5 K)状态下的磁性能.经X射线衍射分析发现,适量的Dy3+掺杂不会改变纳米Fe3O4磁粒子的晶型结构.透射电镜(TEM)照片表明,制备出的纳米磁粒子成球性好,且大部分磁粒子的粒径在14 nm左右.通过磁性测量仪、振动样品磁强计(VSM)对磁性能进行了表征.磁化曲线表明掺杂引起磁性能发生变化,磁粒子室温下无剩磁和矫顽力,具有超顺磁性;深冷状态下出现剩磁和矫顽力,且随温度的降低,剩磁和矫顽力增大,不具有超顺磁性,饱和磁化强度略高于室温值.     

Li2 Autler-Townes分裂的实验观察

用光学-光学双共振激光光谱研究了 7Li2A 1Σ+u态的Autler-Townes (A-T) 分裂.一个强的耦合场 (泵浦激光)激发 7Li2A 1Σ+u v′, J′← X 1Σ+g v″, J″跃迁,诱发A 1Σ+u v′, J′能级和 X 1Σ+gv″, J″能级的A-T分裂.另一个探测激光从A 1Σ+u v′,J′能级进一步激发到4 1Σ+g态.扫描探测激光,监测4 1Σ+g态碰撞诱导紫色荧光,从而探测A 1Σ+u v′, J′能级的A-T分裂.当耦合场频率偏离共振时,激发光谱线出现双重分裂.在该实验条件下,分裂大小和泵浦激光频率偏离共振频率的失谐量成正比. 研究了A-T分裂的两条线的相对强度与泵浦、探测光的强度及缓冲气体压力的关系.     

重掺杂Sm时La（0．6-x）SmxSr0．33MnO3的磁电性质

通过测量样品的磁化强度-温度（M-T）曲线、磁化强度-磁场强度（M-T）曲线、电阻率-温度（ρ-T）曲线及磁电阻（magnetoresistance）-温度（MR-T）曲线，研究了Sm重掺杂（x=0．40，0．50，0．60）对La（0．6-x）SmxSr0．33MnO3磁电性质的影响。发现随着Sm掺杂量增加，样品从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态和反铁磁状态转变；x=0．60时的输运性质在其磁背景下发生异常；掺杂引起的磁结构变化和额外磁性耦合将导致庞磁电阻效应。低温金属型导电的输运机制主要是电子．磁子相互作用，     

微波场溶液电导率的现场测定(英文)

现场测定了溶液在微波场和非微波场中的电导率～温度函数,结果表明在微波场与非微波场中溶液的电导率(Lw)随温度的变化可分别用方程Lw=a′+b′T+c′T2和Ln=a+bT+cT2表述,类似于非微波场中的溶液电导率,而Lw和Ln两者的关系则可表示为lnLw=A+BLn+CL2n。以上a,b,c,…A,B,C等皆为经验系数。