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相似文献
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1.
La0.7-xGdxSr0.3MnO3中的相分离和输运行为   总被引:16,自引:6,他引:10  
研究了La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.00,0.10,0.15,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0.70)体系的M-T曲线、M-H曲线、ESR曲线、ρ-T曲线和MR-T曲线。实验结果表明:随着Gd掺杂的增加,体系从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态和反铁磁状态转变,x=0.30和0.40时,样品在Tc以上温区发生相分离;高掺杂时的输运行为在其磁背景下发生异常,Gd掺杂引起的磁结构的变化将导致CMR效应。  相似文献   

2.
实验研究了La0.67-xErxSr0.33MnO3(x=0.00,0.10,0.20)体系的M-T曲线、ρ-T曲线和MR-T曲线。结果发现:随掺杂量增加,体系的磁结构从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态过渡,极低温区出现M-T曲线上翘;体系的电阻率随掺杂量的增加而增加,并出现低温极小值现象。体系磁电性质的变化来源于掺杂引起的额外磁性耦合,以及晶格畸变和局域磁矩引起的类似于磁性杂质对电子自旋散射造成的近藤效应(Kondo Effect)。  相似文献   

3.
采用溶胶 凝胶工艺制备了La0 .7Sr0 .3FexMn1 -xO3化合物 ,研究Fe掺杂对材料的导电性能、磁性能、磁电阻性能的影响。发现随Fe含量的增加 ,材料的电阻率提高 ,铁磁居里温度 (TC)下降 ,巨磁电阻效应增强。观察到x =0 0 5和x =0 0 8的样品的电阻率随温度变化曲线出现双峰。对于x =0 0 8的样品 ,在室温附近磁电阻达到 18% (8× 10 5 A·m- 1 外场 )。对于x >0 0 8的样品 ,金属 绝缘体转变温度均比相应的铁磁 顺磁转变温度低 5 0~ 80K  相似文献   

4.
刘宁  孙勇 《中国稀土学报》2004,22(4):457-457
研究了Mn位掺Cr体系La0.67Ca0.33Mn1-xCrxO3(0.0≤x≤0.15)的磁性和磁电阻性质,发现Cr掺杂对居里温度Tc影响不明显,但是导致了反常的电输运和磁电阻行为,随着Cr含量的增加,起始电阻率峰向低温移动,同时电阻率出现一个附加峰。在磁场作用下,两个电阻率峰被强烈压缩,导致CMR效应中出现双峰,并且CMR效应的温区被极大地拓宽了,从低温直到接近室温。这个结果表明:Mn位元素替代是调节CMR效应的有效方法。  相似文献   

5.
采用溶胶-凝胶法制备了系列多晶CMR材料La0.7Ca0.3Mn1-xCuxO3(x=0%,1%,5%,10%,15%,20%)。在77-350 K温度范围内测量了样品的电阻率及磁电阻大小。实验结果发现:系列样品TC随掺杂量增加而递减;系列样品的电阻率峰及磁电阻峰在整个测温范围内随掺杂量的增加均依次被展宽直至消失,当掺杂量为x≥10%时,电阻率随温度的变化在整个测温范围内呈现绝缘相行为;同时还发现,掺杂量为x≥10%时,样品的磁电阻在整个测温区内基本表现为隧穿磁电阻。基于我们采用蒙特卡罗模拟方法提出的逾渗模型及隧穿磁电阻模型,对样品的磁电阻行为进行了很好的解释。对系列样品的ρ-T曲线进行lnρ-T^-(1/4)系拟合,发现掺杂量为x=10%样品在整个温区内的lnρ-T^-(1/4)系基本呈线性。  相似文献   

6.
研究了La0.67Sr0.33Mn1-xCrxO3(0.00≤x≤0.30)体系的M-T曲线、p-T曲线和MR-T曲线。实验结果表明:Cr对Mn位的替代对居里温度Tc影响不明显,但是随着Cr含量的增加,电阻率和磁电阻出现双峰行为,CMR效应的温区被极大地拓宽了。体系的特殊输运行为和异常CMR效应可能是Mn^3+O-Mn^4+和Mn^3+-O-Cr3^3+两种通道共存和竞争的结果。  相似文献   

7.
采用柠檬酸络合法制备B位掺杂的纳米钙钛矿复合氧化物La0.8Sr0.2Mn1-xCoxO3(x=0,0.3,0.5,1.0)。应用X射线衍射法(XRD)进行结构的测定与分析,并结合扫描电镜(SEM)和热磁曲线(M-T曲线)的实验结果,研究这4种样品的结构和磁性之间的关系。X射线衍射实验分析表明4个样品均属六方晶系,M-T曲线得出的1/χ-T曲线表明:La0.8Sr0.2MnO3是铁磁性,La0.8Sr0.2Mn0.7Co0.3O3和La0.8Sr0.2Mn0.5Co0.5O3是亚铁磁性,而La0.8Sr0.2CoO3是反铁磁性的。利用电镜观察到前3种样品均为颗粒状,颗粒之间首尾相接形成链状结构,并进一步由链状结构支起一个个的空间网状结构,最后一种样品为较为分散的颗粒。  相似文献   

8.
择优掺杂的La-Ca-Na-Mn-O体系的庞磁电阻效应   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用溶胶-凝胶法制备出择优掺杂的名义组分为La_(1-x)(Ca_(1-y)Na_y)_xMnO_3(LCNM)的多晶样品.xRD测试表明样品均为钙钛矿结构.电输运测试表明所有样品均发生金属-绝缘体转变和顺磁一铁磁转变(转变温度分别用T_m和T_c表示),转变温度随Na含量的增加而增加,但是由于Ca,Na离子间价态的不同引起的磁不均匀性,同时含Ca和Na的样品电输运曲线在T_m温度以下出现肩型鼓包,同时表现出增宽的顺磁·铁磁转变过程,磁电阻测量发现所有样品均表现出庞磁电阻(CMR)效应,但是由于磁不均匀性,y约为0.25的样品表现出两个CMR峰.  相似文献   

9.
1100 ℃合成La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3低场庞磁电阻效应   总被引:3,自引:2,他引:3  
采用溶胶-凝胶法制备了La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3系列样品.实验研究了系列样品的电输运性质、高温导电机制和低场磁电阻效应.结果发现样品高温下导电遵从Mott变程跳跃机制;在0.3 T的磁场下,绝缘体-金属转变附近磁电阻(MR0=[R(H=0)-R(H)]/R(H=0))由没有掺杂时的2%增加到4%Cu掺杂时的80%;实验同时发现与颗粒晶界有关的磁电阻也有实质性的提高.实验结果表明少量的Cu掺杂可以大大提高低场磁电阻效应.  相似文献   

10.
Zn掺杂对LaMnO3体系磁性的影响   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了LaMn1-xZnxO3 (x=0.05, 0.10, 0.20, 0.30, 0.40)体系的M-T曲线、 M-H曲线、电子自旋共振谱(ESR). 实验结果表明: 随掺杂浓度增高, 体系的TC单调下降, Zn替代没有引起明显的晶体结构的变化, 磁结构从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态转变, ESR图谱测量的微观磁性与M-T曲线测量的宏观磁性一致. 这些结果归因于Zn掺杂引起的双交换作用、磁稀释作用和晶格效应.  相似文献   

11.
La2/3Ca1/3MnO3中的输运机制与CMR效应   总被引:8,自引:3,他引:8  
研究了超大磁阻材料La2/3Ca1/3MnO3的磁电特性,发现由电阻测量得到的绝缘体.金属相变与由磁化曲线得到的顺磁-铁磁相变温区完全一致,均随磁场的增强推向高温区。结果证明样品输运行为的变化起因于磁结构的变化,在Tc附近产生超大巨磁电阻效应。  相似文献   

12.
失配因子σ2对掺杂锰基钙钛矿氧化物输运性质的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
掺杂量、A位阳离子平均半径及失配因子是影响掺杂锰基钙钛矿氧化物从顺磁绝缘体到铁磁金属转变的主要因素,为了突出研究失配因子的影响,本文固定掺杂量和A位阳离子平均半径制备了一系列样品。0和5T磁场下电阻率与温度关系测量表明,随着失配因子的增加,绝缘体-金属转变温度向低温区移动且与σ^2岩保持线性关系;通过调节失配因子,样品La0.53Sm0.17Sr0.3MnO3的磁电阻在室温附近达到了极大值。结合样品的电输运行为,对实验结果进行了讨论。  相似文献   

13.
利用标准的固相反应法制备了La(1-x)2/3Ca(1/3)MnO3(x〈0.1)系列具有稀土La空位的庞磁电阻锰氧化物多晶样品.X射线粉末衍射(XRD)测量分析表明所有的样品均为单相,单胞具有正交对称性(Pnma).分析了不同浓度的La空位对磁电输运性质的影响: 随着空位浓度的增大,绝缘体-金属的转变温度(TMI)几乎不变(约为267 K),这表明少量的稀土空位不会破坏双交换作用;但当La空位浓度x〉0.04时,零场电阻率增大,但磁电阻(MR)值减小;在x=0.04时MR值在转变温度TMI处达到最大值约为220%(8 T).  相似文献   

14.
采用水热法合成了Sn1-x-yMnxFeyO2(0≤x≤0.10, 0≤y≤0.10)稀磁半导体. 通过XRD, Raman, TEM, SQUID和Mössbeaur等技术对化合物进行了结构和性能的表征. 结果表明, XRD中没有出现第二相的沉积, Raman光谱中出现了Mn位于SnO2晶格中的局域模式. 磁性测试结果表明, 当x=0.10, y=0时, 样品在低温下具有较强的磁化强度, 但室温下其磁化强度急剧降低. 而y=0.10, x=0时, 样品的磁化强度和矫顽力都比较小, 但随温度的改变变化不大, Mössbeaur谱测试结果表明, 其中的Fe一部分是铁磁耦合的, 拟合得到超精细场和同质异能移等参数表明, 铁磁性来源于Fe替代SnO2本征性能. Mn和Fe共同掺杂的样品的磁化强度随x的减少和y的增加而减少, 矫顽力却相对于单一元素掺杂的样品大大增加.  相似文献   

15.
采用空气中固相反应烧结法制备了一系列钙钛矿结构的(La1-xREx)2/3Sr1/3MnO3(RE=Y,Sm,Eu,Tb;x=0.1~0.5)稀土锰氧化物多晶样品.X射线衍射(XRD)分析表明掺杂RE部分替代La以后,样品的晶体结构为正交结构,空间群为Pbmm.在室温(300K)和液氮温度(77K)下分别测试了样品的磁性质,发现磁性质的改变与RE的掺入量以及RE的离子半径有关.在掺Tb的样品中明显存在巨磁电阻效应,磁场为2 T,温度为300和77 K分别测得(La0.6Tb0.4)2/3Sr1/3MnO3和(La0.7Tb0.3)2/3Sr1/3MnO3的磁电阻(MR)为80%和85%.随着Tb掺杂量的增加,在不同的磁场下,样品电阻-温度关系曲线的峰均向高温方向移动.  相似文献   

16.
银,钾掺杂对稀土锰钙钛矿的磁性和电性的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
用固相反应方法制备了银和钾掺杂稀土锰钙钛矿氧化物Ag-(La0.92K0.04MnO3)n,研究了该系统的电性和磁性。稀土锰钙钛矿系统的电阻-温度曲线呈现双峰结构。根据核壳结构,说明钾的挥发及银的添加对稀土锰钙钛矿颗粒的磁性以及系统的传输性质产生了影响。n=4的样品在很宽的温度范围内表现出很大的磁电阻。实验表明:添加适量的银有利于增大多晶材料的磁电阻并且延展其温度范围。  相似文献   

17.
Nd-Sr-Mn-O钙态矿锰氧化物的低场磁电阻效应   总被引:4,自引:4,他引:4  
采用固相烧结法和脉冲激光沉积法分别制备了钙态矿型锰氧化物Nd1-xSrxMnO3(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)大块多晶和Nd0.7Sr0.3MnO3在(100)LaAlO3基片上的单取向薄膜样品,分别研究了这些样品的磁电阻效应。研究表明,在多晶样品中,x=0.3时具有最大的磁电阻比,其值在240K和1T磁场下可达24.2%。对于同一成分的外延薄膜,发现磁电阻随着沉积时基片温度Ts的升高而下降,当Ts=500℃时的制备态薄膜在同样条件下的磁电阻可达84%,随着外加磁场增大到5T,磁电阻将线性增大到275%。并讨论了造成单取向膜和块材磁电阻不同的原因。  相似文献   

18.
研究了La0.67Sr0.33Mn1-xCrO3(0.00≤x≤0.30)体系的M-T曲线、p-T曲线和MR-T曲线。实验结果表明:Cr对Mn位的替代对居里温度Tc影响不明显,但是随着Cr含量的增加,电阻率和磁电阻出现双峰行为,CMR效应的温区被极大地拓宽了。体系的特殊输运行为和异常CMR效应可能是Mn^3 -O-Mn^4 和Mn^3 -O-Cr^3 两种通道共存和竞争的结果。  相似文献   

19.
系列陶瓷氧化物La0.67Sr0.33FexMn1-xO3(0.055x0.33)通过共沉淀法工艺合成获得.经X射线衍射分析表明,所得氧化物均为单相,属三方结构.在零场和外加磁场下的四极法电阻测试结果表明:所有样品都具有较大的磁电阻效应,当x<0.13时,样品的电阻率-温度曲线中均出现电阻率峰(电阻率出现从半导体性向金属性的转变),该电阻率峰处的温度(Tp)随x的增大而向低温区移动,磁电阻效应是负值;x=0.23时,样品已呈半导体性,磁电阻效应仍是负值;然而x=0.33时,样品虽也表现为半导体性,但其中的磁电阻效应出现奇特的正负交替转换.  相似文献   

20.
将IrO2掺杂到固相反应法制备的La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3(LCSMO)微粉中,制备了(1-x)La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3+xIrO2(LCSMO/IrO2)复合体系。通过X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)以及直流四探针法测试,对复合材料的结构及性能进行了研究。结果发现,在复合体系中,一部分Ir4+离子取代了B位的Mn4+离子,另一部分以IrO2氧化物的形式存在于颗粒的边界处。随着IrO2掺杂量的增加,样品的比饱和磁化强度(σs)快速下降,而居里温度(TC)先下降后上升,电阻率也发生显著变化。与此同时,IrO2的掺杂使样品的低场磁电阻效应(LFMR)和高场磁电阻效应(HFMR)都有所增强,在H=3 kOe,T=307 K,x=5%的样品磁电阻达到11.65%;同样对于x=5%的样品,在H=2 T,T=295 K,磁电阻达到28%,室温磁电阻得到显著增强,这可能与本征磁电阻效应的特点及材料的TC和相变温度接近室温有关,另外掺杂物本身的特性对磁电阻的增强也有一定的影响。  相似文献   

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