退火温度对PLD法制备ZnO:Eu3+,Li+薄膜结构和发光性质的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上制备了Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜,分别在450,500,550和600℃条件下进行退火,退火气氛为真空。利用X射线衍射(XRD)仪和荧光分光光度计研究了退火温度对薄膜结构和光致发光(PL)的影响。研究结果表明,Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜具有c轴择优取向,Eu3+,Li+没有单独形成结晶的氧化物,均以离子形式掺入ZnO晶格中。PL谱中有较宽的ZnO基质缺陷发光,ZnO基质与稀土Eu3+之间存在能量传递,但没有有效的能量传递。随着退火温度的增加,薄膜发光先增强后减弱,退火温度为550℃时发光最强。当用395 nm的激发光激发样品时,仅观察到稀土Eu3+在594 nm附近的特征发光峰,但发光强度随退火温度变化不明显。     

制备条件对二氧化钛薄膜性能的影响(英文)

用低压化学气相沉积法制备ＴｉＯ２薄膜。研究表明,水的分压、沉积温度、基片材料均对沉积速率有影响。在硅片上镀膜,沉积温度相同而退火温度不同,则薄膜结构亦不同。当退火温度高于８５℃时,薄膜为纯金红石薄膜。     

NaGdF4:Eu3+/AAO薄膜的制备与表征

采用水热法在多孔阳极氧化铝(AAO)模板上制备了NaGdF<,4>:Eu<'3+>(摩尔分数5.0%)/AAO薄膜,并研究了制备方法、溶液浓度和退火温度对薄膜样品形貌、结构和发光性质的影响.XRD结果表明,在低于500 ℃退火,得到具有NaGdF<,4>六方相结构的NaGdF<,4>:Eu<'3+>/AAO薄膜;而在5...     

Er3+,Sm3+掺杂纳米晶体NaNbO3的合成和上转换发光研究

首先用水热法合成了NaNbO3样品,然后用固相法分别合成了NaNbO3,NaNbO3:Er3+,NaNbO3:Sm3+样品,X射线衍射结果表明所制备的粉体NaNbO3(水热法200℃和固相法900℃退火),NaNbO3:Er3+(900℃退火),NaNbO3:Sm3+(900℃退火)为立方相结构,在退火温度800,950和1000℃时是正交晶系,长方体结构.该粉末在980 nm LD激发下,分别发射出中心波长约为526 nm绿色,547nm绿色和662 nm红色(掺Er3+)、526 nm绿色,550 nm绿色和660 nm红色(掺Sm3+)的上转换荧光.探讨了Er3+,Sm3+的上转换发光机制.研究了晶体的对称性和退火温度对NaNbO3:Er3+样品上转换发光强度的影响,结果表明,随着晶体的对称性降低和退火温度的提高,NaNbO3:Er3+样品的上转换发光强度增强.     

Pt(111) 表面上表层 Fe (FeO) 结构和次表层 Fe 结构的可控转变

 利用扫描隧道显微镜 (STM) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对 Pt(111) 表面制备的 Fe 单层薄膜及其在不同环境气氛条件下的多种结构进行了研究. 在温度为 487 K 的 Pt(111) 表面制备出了完整的 Fe 单层薄膜Fe/Pt(111). 对 Fe/Pt(111) 依次升高温度进行超高真空退火, STM 和 XPS 结果表明退火温度高于 800 K 时, 表面 Fe 原子扩散到次表层区域, 形成次表层 Fe 结构Pt/Fe/Pt(111). Pt/Fe/Pt(111) 在 O2 氧化气氛中经 850 K 退火可转变成表面 FeO 薄膜FeO/Pt(111). FeO/Pt(111) 结构在温和的 H2 还原气氛中 (600 K) 转变成表面 Fe 结构, 进一步的还原处理 (800 K) 则可以重新生成 Pt/Fe/Pt(111). 控制样品的环境气氛在 O2 和 H2 之间切换, 使得表面 Fe (FeO) 和次表面 Fe 可以重复地转变. 本研究实现了多种 Fe-Pt 表面结构的可控制备, 可为合理地设计高效、价廉的催化剂提供借鉴.     

C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜) 的光致发光性质研究

用直流辉光溅射法结合真空镀膜法制备出了一种"多层三明治结构"的光致发光材料-C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)夹层膜,然后分别在400、650和750℃退火1 h.在波长为250 nm的紫外光激发下,刚制备出来未经退火处理的样品具有一个在398nm(3.12 eV)处的紫光宽带PL1峰.在650℃退火后,又出现了一个在360nm(3.44eV)附近的PL2峰.PL1和PL2峰形状和峰位与退火温度和激发波长无关,但强度却与退火温度和激发波长密切相关.结合形态结构分析可知,紫光PL1峰可用量子限制-发光中心(QC-LCs)模型进行解释:即光激发发生在8iO2微粒内部,而光发射源于SiO2与Si界面上的缺陷中心.紫外荧光PL2峰则源自SiC内部的电子-空穴复合发光.     

制备条件对铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜结构和电学性质的影响

本文利用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备得到了AZO透明导电薄膜,就两种不同的热处理-退火方式对薄膜的结构与性质的影响做了比较,研究了掺杂浓度、退火温度对薄膜结构及性质的影响规律.结果表明,高温、分层退火、铝掺杂均有利于生成结晶度高、具有C轴优先取向的AZO薄膜;高温和分层退火有利于晶粒长大,相反铝掺杂却有碍晶粒长大;薄膜的电学性质随退火温度和铝掺杂量的变化呈现规律的变化.通过分析AZO薄膜内的晶体生长过程,本文认为主要是制备条件和AZO晶体的晶面习性导致了薄膜的结晶度、晶体生长取向性和晶粒尺寸等方面的差异.     

应力对退火态Sm-Fe-BGMF磁学性能的影响

利用离子束溅射(IBSD)法,在盖玻片衬底上制备Sm-Fe-B超磁致伸缩薄膜(GMF)样品;并在退火过程中对其施加预应力,研究应力对退火态Sm-Fe-B薄膜磁畴结构、软磁性能及磁致伸缩性能的影响并分析其差异产生的原因。结果表明:退火过程中施加预应力能使薄膜磁畴结构发生显著变化,通过改善退火态薄膜的微结构与应力状态,能有效提高薄膜的软磁性能与磁致伸缩性能;与自由退火态样品比较,应力退火态样品具有较明显的垂直各向异性,虽然在低场磁敏性方面略有降低,但是在饱和磁致伸缩性能方面有较大提高。     

C(膜)/Si(SiO2 )(纳米微粒)/C(膜)热处理的形态及结构分析

用直流辉光溅射+真空镀膜法制备了一种新型结构的硅基纳米发光材料- C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)夹层膜,并对其进行了退火处理.用TEM、 SEM、 XRD和XPS对其进行了形态结构分析.TEM观察表明: Si(SiO2)纳米微粒基本呈球形,粒径在30 nm左右.SEM观察表明: 夹层膜样品总厚度约为50 μm,膜表面比较平整、致密.400℃退火后,样品表面变得凹凸不平,出现孔状结构; 650℃退火后,样品表面最平整、致密且颗粒均匀.XRD分析表明:制备出的夹层膜主要由SiO2和Si组成,在C原子的还原作用和氧气的氧化作用的共同作用下, SiO2和Si的含量随加热温度的升高而呈现交替变化: 400℃时, C的还原作用占主导地位, SiO2几乎全部被还原成了Si,此时Si含量最高; 400～650℃时,氧化作用占主导地位, Si又被氧化成SiO2, Si含量降低, SiO2含量逐渐上升,在650℃达到最高.XPS分析表明: 在加热过程中, C原子逐渐扩散进入Si(SiO2)微粒层,在650℃与Si反应生成了新的SiC.     

基片温度对LiCoO2薄膜结构与电化学性能的影响

采用射频(RF)磁控溅射技术制备了用于全固态薄膜锂电池的非晶态和多晶LiCoO2阴极薄膜,利用XRD和SEM研究了沉积温度对LiCoO2薄膜结构和形貌的影响,并研究了高温退火后薄膜的电化学性能.研究结果表明,随著基片温度的不同,薄膜成分、表面形貌以及电化学行为有明显差异.室温沉积的薄膜很难消除薄膜中Li2CO3的影响,经过高温退火处理后也无法形成有效的多晶LiCoO2薄膜,而150℃沉积的薄膜经过高温退火后形成了有利于锂离子嵌入的多晶LiCoO2结构,薄膜显示出了较好的电化学性能.     

Crystal structure of (acetylacetonato) (dicarbonyl)iridium(I)

The structure of Ir(CO)₂(acac) is determined by XRD at room temperature. Crystallographic data for C₇H₇IrO₄ are: a = 6.4798(5) ?, b = 7.7288(5) ?, c = 9.1629(10) ?, α = 105.738(2)°, β = 90.467(3)°, γ = 100.658(2)°, space group 1, P , V= 433.24(6) ?³, Z = 2, d _calc = 2.662 g/cm³, R = 0.0167. The structure is built of isolated mononuclear molecules. The central iridium atom has a square coordination environment formed by two oxygen atoms that belong to the acetylacetonate ligand and two carbon atoms of carbonyl groups. The average Ir-O and Ir-C bond lengths are 2.045(3) ? and 1.832(6) ? respectively. Molecules are stacked in such a way that the planes of coordination squares turn out to be parallel to the Ir...Ir distances between the nearest neighbors in the stack of 3.242 ? and 3.260 ?. Original Russian Text Copyright ? 2009 by K. V. Zherikova, N. V. Kuratieva, and N. B. Morozova __________ Translated from Zhurnal Strukturnoi Khimii, Vol. 50, No. 3, pp. 595–597, May–June, 2009.