照相明胶与化学增感剂相互作用的XPS研究

本文采用X射线光电子能谱技术研究了两种照相明胶与化学增感剂相互作用的机理.当两种照相明胶样品在HAuCl₄溶液中反应5min后,明胶中的蛋氨酸、蛋氨酸亚砜均被氧化为蛋氨酸砜.与此同时,明胶吸附的大部分Au³⁺被还原为Au⁺,并且Au⁺以络合形态存在于明胶之中.根据与AuCl₃反应之后明胶中Au³⁺与Au⁺的比例,法国明胶的还原性略高于包头明胶.添加到明胶中的Na₂S₂O₃能将明胶大分子所含的蛋氨酸亚砜全部还原为蛋氨酸.S₂O₃^2-、蛋氨酸和蛋氨酸砜可以稳定共存于明胶体系之中,外加的S₂O₃^2-的还原性高于明胶中蛋氨酸、蛋氨酸亚砜的还原性.添加Na₂S₂O₃后的两种照相明胶均可以将其溶胀吸附的Au³⁺全部还原为胶态金.此时,参与氧化还原反应的主要基团是S₂O₃^2-而非明胶中的蛋氨酸残基.由于Na₂S₂O₃的添加,照相明胶对AuCl₃的还原能力增强.     

照相明胶层中金催化的无电沉积的正电子湮没研究

采用正电子湮没技术(PAT)研究了照相明胶中的自由体积空穴在无电沉积过程中的作用机理。研究结果表明,活化饱和后,照相明胶的自由体积空穴的平均尺寸约减小0.011nm³,相当于一个Au原子的体积的大小,即照相明胶大分子中的每个自由体积空穴平均被填充了一个Au原子,该Au原子作为催化活性核催化铜的沉积,使物理显影生成的影像为紧密铜粒子的堆积形貌,而不是丝状形貌。铜经无电沉积饱和后,照相明胶的自由体积空穴的平均大小约减小了0.020nm³,即照相明胶的自由体积空穴对铜物理显影过程中铜的沉积没有阻碍作用,铜无电沉积近似为各向同性的球状堆积。     

照相明胶中硫存在形态的XPS研究

本文采用X射线光电子能谱技术,研究了国内外典型的两种照相明胶的空白样品、掺杂铁(Ⅲ)的样品中硫元素的存在形态。硫在明胶中主要以三种化学形态存在:蛋氨酸砜中的 基团,蛋氨酸亚砜中的 基团,蛋氨酸中的-S-基团。三种化学形态间的相对含量基本上反应出蛋氨酸及其两种氧化产物之间的相对比例。在我们的实验条件下,外来三价铁,引发部分蛋氨酸砜被还原为蛋氨酸亚砜,与此同时,明胶中的-CH₂-基团部分氧化为 基团。     

明胶大分子的照相性质研究——Ⅰ.明胶中的蛋氨酸砜及亚砜的测定

应用氨基酸分析仪对十六种国外明胶(大部分为IAG明胶)的氨基酸含量进行了测定,其中重点进行了蛋氨酸及其氧化产物含量的测定。测试结果表明:明胶中蛋氨酸含量随不同样品变化较大,亚砜含量一般较少,所有照相胶都含有砜,绝大多数胶样含有亚砜。     

用铜物理显影的多级放大成像过程Ⅲ.影像中铜和银的分布及明胶对Au3+的还原

本文研究了铜物理显影后影像中铜和银的分布以及在非影像区明胶对Au³⁺的还原作用。铜含量随着影像深度的增加而增加,银含量却随着深度的增加而减少。Ag3d结合能向低值位移说明影像内部的银处于单原子和多原子的混合状态,但是影像表面的银却为单原子状态,如果铜物理显影进行得足够长,铜最终会将银全部遮盖。在这以后的铜物理显影是铜的自催化过程,样片浸入氯金酸溶液中后,非影像区中吸收的氯金酸量大大高于影像区,因而铜的沉积速度在非影像区也比影像区大得多。明胶能还原Au³⁺.还原过程可分为两步:第一步由Au³⁺还原成Au⁺,这一步在室温下是快反应;第二步由Au⁺还原成金,这个反应比较慢,Au⁺和Au在物理显影中可作为催化核,使铜在非影像区沉积。     

阳极溶出催化极谱法测定微量金的研究

使用阳极溶出催化极谱法测定某些元素已成为可能,但在测定金的方面尚未见报导。采用溶出催化极谱法通常可使峰电流提高数十倍到数百倍,因而能大大提高测定灵敏度。在普通极谱仪上测不出的溶出电流,经催化后,可以明显地观察到溶出催化电流。金的溶出催化原理是:三价金在一定条件下经阴极极化以元素态被电解沉积在玻璃碳电极表面上,之后在含有氯化亚锡的催化体系中进行阳极溶出,被电氧化下的金离子又很快被氯化亚锡还原成为元素态金,并在电极上再被电氧化,如此反复,使有限的金能循环使用,从而提高了峰电流(见图1)。     

热处理对照相明胶溶液粘度和分子量分布的影响

本文以四种照相明胶为研究对象,探讨热处理对照相明胶溶液粘度和分子量分布的影响。实验结果表明,随着加热温度上升,照相明胶溶液粘度下降,数均分子量下降。照相明胶溶液粘度和数均分子量密切相关,照相明胶溶液粘度下降发生的内在原因是数均分子量下降。在本实验条件下,惰胶、活性胶的加热温度不超过75℃,PA胶的加热温度不超过60℃。     

丙烯气相直接环氧化Au/TiO2催化剂的研究

在H2和O2共存条件下，金催化剂催化丙烯气相直接环氧化反应是近年来发展起来的一种新型环氧丙烷(PO)合成技术．本文采用沉积沉淀法制备了一系列Au／TiO2催化剂，考察了反应溶液的pH值、Au负载量、沉淀剂以及焙烧温度等因素对催化剂丙烯环氧化催化性能的影响．结果表明制备条件对催化性能有明显影响：反应溶液的pH值为7．5及Au负载量为2．4％时所得催化剂活性最好；当以Na2CO3、NaOH等含Na^ 物质作为沉淀剂时，催化性能明显优于Li^ 、K^ 等其它碱金属离子；400℃焙烧制得的催化剂活性较好，在50℃低温反应条件下，环氧丙烷得率可达1．3％．HRTEM结果表明，催化剂中Au组分高度分散于载体表面，且随着焙烧温度的增加Au粒因发生聚集而变大，从而影响了催化剂的活性．表面XPS分析证实，活性较好的Au／TiO2催化剂中活性组分Au除部分呈氧化态外，主要是以金属态的形式存在．     

显影机理的正电子化学研究

采用正电子湮没技术(PAT)研究了照相明胶中的自由体积空穴在显影过程中的作用机理,为显影过程中银丝的生成机理探讨了一个新的模式,并为感光科学的研究拓展了一种新的研究技术和手段.结果表明:明胶的自由体积空穴的平均尺寸在显影过程中基本保持不变.照相明胶的自由体积空穴在电子密度空间限制了银离子还原为银原子的过程,并使得银原子的沉积生长以丝状的形式进行.照相明胶大分子结构和组份的复杂性导致了其自由体积空穴在空间分布无序混乱性,可能正是这种无序混乱性导致了银丝缠绕成团的松散空间结构.     

高效液相色谱法测定羊体内的丙硫咪唑缓释弹代谢产物的血药浓度

用反相高效液相色谱法追踪分析不同时间内羊血清中药物浓度的变化，以供药物代谢动力学研究。药物为丙硫咪唑砜和丙硫咪唑亚砜（简称砜和亚砜），实验条件为ＯＤＳ柱，流动相甲醇：水＝７：３（ｖ／ｖ），紫外检测波长为２９０ｎｍ。在３ｈ左右测定浓度达峰值，其最高浓度分别为４．０１μｇ／ｍＬ和１１．４７μｇ／ｍＬ，五天左右下降为２．７３μｇ／ｍＬ和１．３２μｇ／ｍＬ附近。最小检出量为０．４ｎｇ／ｍＬ及０．７ｎｇ／ｍＬ。线性关系良好。丙硫咪唑砜和亚砜的回归相关系数分别为０．９９９４和０．９９９１。采用内标法测定回收率，平均为１００±１２％。     

明胶与Ag+相互作用的XPS研究

X射线光电子能谱(XPS)技术是一种高灵敏、高分辨的元素定性定量和结构分析技术.本文用该技术研究了照相明胶中S原子与Ag⁺相互作用的本质.研究结果表明,照相明胶中的蛋氨酸、蛋氨酸亚砜残基均能通过S原子与Ag⁺作用,而且在所研究的明胶中蛋氨酸亚砜残基的含量远高于蛋氨酸残基的含量,这意味着在与Ag⁺键合过程中前者占有更重要的地位.此外,本文还比较了不同原料制成的明胶与Ag⁺的作用情况.     

Highly ordered chevron-shaped arrays of continuous copper nano-dot lines formed by electroless deposition on hydrogen-terminated Si(111) surfaces

We have succeeded in forming highly ordered chevron-shaped arrays of continuous copper nano-dot lines by electroless deposition on hydrogen-terminated Si(111) (H-Si(111)) surfaces. Detailed investigations have shown that tiny Cu clusters are preferentially formed at step edges when the electroless deposition is carried out in a deoxygenated neutral aqueous solution of a low Cu2+ concentration (less than 10 microM) with pH approximately = 7. This finding was combined with highly ordered step-edge lines on H-Si(111) prepared by the previously reported method of Teflon scratching and NH4F etching, which has led to the above success. The present result indicates that designed ordered metal nanowires can be produced by the electroless deposition method, using H-Si(111) surfaces with well-regulated step lines as a substrate.     

The voltammetric response of bipolar cells: Mechanistic investigations of electroless deposition

The voltammetric response of a bipolar cell is described where the cell is applied to electroless deposition processes. The method is illustrated with copper deposition on gold surfaces, driven by the oxidation of dimethylamine borane.     

Sulfite Determination at In Situ Plated Copper Modified Gold Ultramicroelectrode Arrays

The electroanalytical detection of sulfite has been explored at an in situ formed copper ultramicroelectrode array. The protocol is based upon the in situ deposition of copper at a gold ultramicroelectrode array of cubic geometry which consists of 256 ultramicroelectrodes which are 5 microns in radius and are separated from their nearest neighbor by 100 microns. The immobilized copper array is electrocatalytic for the electrochemical reduction of sulfur dioxide which is formed after protonation of sulfite at low pH values (<pH 2). A sensitivity and detection limit of 0.35 nA μM^?1 and 6 μM respectively is shown to be possible in pH 2.5 using linear sweep voltammetry with a linear range observed from 20–500 μM.     

铜物理显影动力学和机理——电化学探讨

本文采用镀铜铂电极和暂态恒电流阶跃的方法测得了铜物显(铜物理显影)体系的极化曲线。结果表明,单电极Cu²⁺还原的阴极极化曲线与NaBH₄氧化的阳极极化曲线交点的混合电位E_mp=-715mV,对应的i_R为8.9×10^-4Acm^-2。这与直接测得的铜物显体系的E_mp=-720mV,和i_R=8.7×10^-4Acm^-2很相近。这意味着应用混合电位理论来分析铜物显过程是合理的。在铜物显的混合电极系统中,Cu²⁺还原的阴极反应与BH₄^-氧化的阳极反应相互影响很小。当镀铜电极表面涂有明胶时,反应速率降低(6.09μgcm^-2min^-1),与动力学测得的结果(4.82μg cm^-2 min^-1)比较接近,而在不涂明胶的电极上反应速率则大得多(17.12 μg cm^-2 min^-1),这表明了明胶对物显过程的显著影响。根据Tafel方程,从极化曲线斜率可求碍转移系数α=0.48,并推测铜沉积过程是两步单电子转移反应,且第一个电子的转移是控制步骤。     

Electroless Copper Plating on Liquid Crystal Polymer Films Using Dimethylamine Borane as Reducing Agent

Dimethylamine borane (DMAB) was used in electroless copper plating on liquid crystal polymer (LCP) films. An orthogonal test was applied to optimize the plating condition. With Cu film resistivity as the evaluation index, the optimum plating condition is: 10 g/L of CuSO₄ ? 5H₂O, 14 g/L of EDTA‐2Na, 6 g/L of DMAB, 9.5 of pH value and 50 °C. As pH value increases, the Cu film resistivity decreases and the depo‐ sition rate increases. As temperature increases, the Cu film resistivity decreases first and then increases with a minimum at 50 °C while the deposition rate increases first and then decreases with a maximum at 50 °C. The decreased Cu film resistivity can be attributed to the occurrence of CuO. The adhesive strength of copper layer to LCP film is constant at pH values lower than 8.5 and decreases slightly with the increase in pH value. As temperature increases, the adhesive strength decreases slightly. The decreased adhesive strength with both pH and temperature may be a result of an increased corrosion attack from the bath to the surface of LCP films. Low Cu film resistivity and high deposition rate as well as high adhesive strength can be obtained using DMAB reducing agent.